西安电子科技大学在铁电场效应晶体管(FeFET)存储和存算技术领域取得重要进展  

作　　者：陈栋(整理) 

机构地区：[1]不详

出　　处：《陕西教育(高教版)》2025年第4期9-9,共1页

摘　　要：据西安电子科技大学网站,近日,西安电子科技大学杭州研究院(西电杭研院)韩根全教授课题组在铁电场效应晶体管(FeFET)存储和存算技术领域取得重要进展,相关研究成果以“Low-power Edge Detection Based on Ferroelectric Field-Effect Transistor”为题发表于《自然·通讯》。

关 键 词：铁电场效应晶体管 西安电子科技大学 FET 

分 类 号：O56[理学—原子与分子物理]