锗硅异质结双极晶体管

作品数：29被引量：53H指数：5
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相关机构：清华大学上海华虹宏力半导体制造有限公司中国科学院新疆理化技术研究所西北核技术研究所更多>>
相关期刊：《微波学报》《微电子学》《半导体技术》《北京大学学报（自然科学版）》更多>>
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基于锗硅异质结双极晶体管的低噪声放大器及其反模结构的单粒子瞬态数值仿真研究
《物理学报》2024年第12期288-299,共12页黄馨雨 张晋新 王信 吕玲 郭红霞 冯娟 闫允一 王辉 戚钧翔 
针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行TCAD仿真建模,基于SiGe HBT器件模型搭建低噪放大器(LNA)电路,开展单粒子瞬态(SET)的混合仿真,研究SET脉冲随离子不同LET值、入射角度的变化规律.结果表明:随着入射离子LET值的增大,LNA端口的SE...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 反模 混合仿真 
SiGe HBT器件低温S参数计算方法
《核电子学与探测技术》2023年第5期992-999,共8页魏正华 叶小兰 
湖南省教育厅科学研究项目“基于Mesh通信的智慧环境监测系统的研究与应用”(23B1108);湖南省教育厅科学研究项目“宽阻带高抑制小型腔体滤波器的研究与实践”(22C1436);长沙民政职业技术学院校级自科研究项目(23mypy08)。
针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)器件的S参数是用于射频前端电路匹配设计的关键参数,提出一种测量SiGe HBT器件在多个不同温度下的S参数获取该器件低温S参数的计算方法。首先建立SiGe HBT器件在已知直流偏置下的T型小信号电路模型,...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 S参数 低温 T型小信号电路模型 
锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展被引量：5
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第6期523-534,共12页李培 贺朝会 郭红霞 张晋新 魏佳男 刘默寒 
国家自然科学基金资助项目(12005159);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放课题资助项目(SKLIPR2010)。
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 总剂量效应 低剂量率辐射损伤增强效应 电离总剂量/单粒子效应协同效应 电离总剂量/位移损伤协同效应 
SiGe HBT单粒子效应关键影响因素数值仿真
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第9期869-876,共8页张晋新 郭红霞 吕玲 王信 潘霄宇 
国家自然科学基金资助项目(11805270;12005159;61704127)。
针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体三维器件数值仿真工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究SiGe HBT单粒子效应的损伤机理,以及空间极端环境与器件不同工作模式耦合作用下的单粒子效应关键影响因素。分析比较不同条件下离...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 极端环境 数值仿真 
三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应被引量：3
《物理学报》2022年第5期308-318,共11页张晋新 王信 郭红霞 冯娟 吕玲 李培 闫允一 吴宪祥 王辉 
国家自然科学基金(批准号:11805270,12005159,61704127)资助的课题。
为探索锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)总剂量效应的损伤机理,采用半导体器件三维模拟工具(TCAD),建立电离辐照总剂量效应损伤模型,分析比较电离辐射在SiGe HBT不同氧化层结构的不同位置引入陷阱电荷缺陷后,器件正向Gummel特性和反向Gum...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 总剂量效应 三维数值模拟 
采用PIN二极管反馈的射频可变增益放大器被引量：4
《电子学报》2016年第1期206-210,共5页张良浩 谢红云 赵彦晓 张万荣 江之韵 刘硕 
国家自然科学基金(No.61006044);北京市自然科学基金(No.4122014;No.4142007);北京市教委科技发展计划(No.KM200910005001);山东省高等学校科技计划项目(No.J13LN09)
射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性能的射频锗硅异质结双极晶体管,设计并制作了一款射频可变增益放大器.放大器的增益可控性通过改变负反馈...
关键词：可变增益放大器 PIN二极管 小信号等效电路 锗硅异质结双极晶体管 射频 
锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真被引量：3
《物理学报》2015年第11期421-427,共7页李培 郭红霞 郭旗 文林 崔江维 王信 张晋新 
国家自然科学基金(批准号:61274106)资助的课题~~
本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高锗硅异质结双极晶体管(Si Ge HBT)抗单粒子性能的方法.利用半导体器件模拟工具,针对加固前后的Si Ge HBT开展了单粒子效应仿真模拟,分析了伪集电极对Si Ge HBT电荷收集机理的影...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 加固设计 伪集电极 
偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响被引量：2
《核技术》2015年第6期36-42,共7页刘默寒 陆妩 马武英 王信 郭旗 何承发 姜柯 
本文研究了不同偏置条件下国产商用NPN型锗硅异质结双极晶体管(Silicon germanium hetero-junction bipolar transistors,SiGe HBTs)在60Coγ辐射环境中电离辐照响应特性和变化规律。实验结果表明,在0.8 Gy(Si)·s-1剂量率辐照下,总累...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 总剂量效应 偏置条件 退火 
不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究被引量：5
《物理学报》2014年第24期442-449,共8页张晋新 贺朝会 郭红霞 唐杜 熊涔 李培 王信 
国家自然科学基金(批准号:61274106;11175138)资助的课题~~
针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体器件三维计算机模拟工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究不同偏置状态对SiGe HBT单粒子效应的影响.分析比较不同偏置下重离子入射器件后,各端口电流瞬变峰值和电荷收集量随时间的...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 不同偏置 单粒子效应 三维数值仿真 
基于电流复用与有源电感的UWB LNA
《华中科技大学学报（自然科学版）》2014年第12期87-90,共4页赵彦晓 张万荣 谢红云 赵飞义 
北京市自然科学基金资助项目(4142007)
设计了一款超宽带低噪声放大器(UWB LNA).采用Cascode-共基极电流复用结构,直流通路时能有效降低功耗,交流通路时增加了电路的增益,并且保持了Cascode结构高反向隔离性的优点.采用有源电感替代输出级的螺旋电感,减小了芯片面积,并且通...
关键词：电流复用技术 有源电感 锗硅异质结双极晶体管 超宽带低噪声放大器 射频前端 
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