小信号等效电路

作品数：55被引量：78H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王军黄风义高建军孙玲玲刘佑宝更多>>
相关机构：西南科技大学东南大学华东师范大学西安电子科技大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金四川省教育厅资助科研项目国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种采用有源器件实现的射频有源带通滤波器
《核电子学与探测技术》2023年第5期1042-1048,共7页白秉旭 肖潇 姚立健 
浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划项目(2022C02042);第五期江苏省职业教育教学改革研究重点课题(ZCZ60)。
针对目前智能化和小型化核检测仪表中的带通滤波器进行了研究,设计了一种采用有源电感和有源电容实现的射频有源带通滤波器。首先,分别对有源电感电路和有源电容电路的构成、工作原理和主要参数进行了分析,并得出了其仿真结果,以表明设...
关键词：核检测仪器 有源组件 滤波器 小信号等效电路 频率响应 线性噪声 
引入射频诱导效应的BCT PD-SOI MOSFET建模技术研究被引量：2
《电子元件与材料》2023年第3期347-353,共7页黎莹 王军 
国家自然科学基金(69901003);四川省教育厅自然科学基金(18ZA0502)。
为了精确模拟高漏源电压(V_(DS))条件下体接触(Body Contact,BCT)部分耗尽型(Partial Depletion,PD)绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)MOSFET器件的异常射频诱导效应,建立了一个基于碰撞电离和寄生BJT机理的RL网络模型。首先分析了S...
关键词：BCT PD-SOI MOSFET 小信号等效电路 射频诱导效应 S参数 
GaN HEMT小信号等效电路模型的关键参数提取
《传感器与微系统》2022年第8期64-67,共4页王旭 王军 
四川省教育厅资助科研项目(18ZA0502)。
为了更好地表征GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)物理特性,对GaN HEMT小信号等效电路建模及参数提取技术进行研究,提出了一种简单、直接的小信号模型参数提取方法。在传统16单元模型基础上,综合考虑GaN HEMT器件结构、本征特性,描述了一种...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 小信号等效电路 参数提取 ADS2014仿真 
一种基于负电容的新型带宽扩展技术
《现代电子技术》2022年第12期31-35,共5页陈江 陆德超 郑旭强 刘果果 刘新宇 
国家重点研发计划资助:PAM4 LDD与TIA芯片研究(2018YFB2201503)。
由于传统的电感峰化带宽扩展技术使用电感导致芯片面积大大增加,加源极退化电阻和电容的技术导致电路的DC增益减小,因此,文中提出一种基于负电容的新型带宽扩展技术,以有效解决上述两个问题。该技术利用两个交叉耦合的MOSFET将正电容转...
关键词：带宽扩展技术 负电容 小信号等效电路 电路分析 传输函数 阶跃响应 仿真分析 
基于物理结构的GaN HEMTs小信号等效电路的精确建模方法研究
《电子元件与材料》2022年第5期531-538,共8页缪文韬 王军 刘宇武 
四川省教育厅资助科研项目(18ZA0502)。
为了有效地表征GaN HEMTs在微波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的精确建模方法。基于GaN HEMTs器件的本征物理结构,综合考虑器件在制版过程中由电极和通孔所带来的寄生特性,描述了一种具有26个详细参数网络的小信号等效电路模...
关键词：GaN HEMTs 物理结构 小信号模型 参数提取 集肤效应 
3 nm环栅场效应管射频小信号等效电路模型
《微电子学》2021年第4期557-562,共6页高恒斌 孙亚宾 胡少坚 尚恩明 刘赟 李小进 石艳玲 
国家自然科学基金资助项目(61704056,61974056);上海市自然科学基金资助项目(19ZR1471300);上海自然科学创新研究计划资助项目(19511131900)。
针对3 nm环栅场效应晶体管,提出了一种射频小信号等效电路模型及基于有理函数拟合的解析模型参数提取方法。首先,在关态条件下提取不受偏置影响的非本征栅/源/漏极电阻、栅到源/漏电容、衬底电容和电阻。然后,在不同偏置条件下提取受偏...
关键词：环栅器件 小信号等效电路 参数提取 射频IC 
低温低偏置条件下SiGe HBT四噪声温度参数建模
《制造业自动化》2021年第3期132-137,共6页何林 王军 
国家自然科学基金项目(699010003)。
为了保证硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)在极端环境下工作的可靠性,研究了其在低温低偏置条件下的噪声特性。在传统SiGe HBT小信号等效电路模型基础上提出了一种简化的等效电路模型,根据与之对应的高频等效噪声电路,建立了一种半经...
关键词：低温低偏置 SiGe HBT 小信号等效电路 半经验噪声模型 四噪声温度参数 
电容式超声换能器小信号等效电路建模与仿真
《电子测量技术》2021年第5期155-160,共6页王红亮 蔚丽俊 刘涛 吕云飞 
国家重点研发计划项目(2018YFF01010500);国家重大科研仪器研制项目(61927807);山西省“1331工程”重点学科建设计划经费(1331KSC)资助。
为了进一步分析优化电容式超声换能器(CMUT)的性能,建立了CMUT微元和CMUT阵元的等效电路模型,并进行了等效电路仿真。首先推导了CMUT微元小信号等效电路模型,然后在射频电路仿真软件ADS中建立CMUT微元的等效电路进行仿真,分析了施加不...
关键词：电容式超声换能器 小信号等效电路 阵元等效电路 辐射阻抗 发射特性分析 频率响应分析 
GaN HEMTs小信号等效电路建模与参数直接提取被引量：2
《电子元件与材料》2021年第1期72-76,共5页郑良川 王军 
半导体技术飞速进步,第三代半导体氮化镓(GaN)因其优越的性能近年来受到了广泛的关注与研究。数以万计的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)应用于微波和毫米波等领域,成为半导体产业研究的热点。本文在传统的氮化镓高电子迁移率晶体管...
关键词：GaN HEMTs 小信号等效电路 参数提取 算法 
InP基HBT小信号模型参数直接提取方法被引量：2
《半导体技术》2020年第8期602-608,644,共8页徐坤 张金灿 王金婵 刘敏 刘博 
国家自然科学基金资助项目(61804046,61704049);河南省科技攻关项目(202102210322)。
为了精确地表征器件特性,提出了一种直接提取T型异质结双极型晶体管(HBT)小信号模型参数的方法。该方法仅依赖于S参数测试数据,采用精确的闭式方程式直接提取电路元件参数。该方法简单、易于实施。首先使用开路短路测试结构提取焊盘寄...
关键词：异质结双极型晶体管(HBT) 小信号等效电路 直接提取 剥离算法 INP 
全选清除导出
共6页<123456>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部