云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 刘果果

刘果果: 作品数：23被引量：31H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文主题：刻蚀ALGAN/GAN_HEMT氮化镓电流崩塌DOHERTY功率放大器更多>>; 发文领域：电子电信金属学及工艺理学更多>>; 发文期刊：《半导体技术》《Journal of Semiconductors》《微波学报》《红外与毫米波学报》更多>>; 所获基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金国家自然科学基金更多>>

一种基于负电容的新型带宽扩展技术: 《现代电子技术》2022年第12期31-35,共5页陈江陆德超郑旭强刘果果刘新宇; 国家重点研发计划资助:PAM4 LDD与TIA芯片研究(2018YFB2201503)。; 由于传统的电感峰化带宽扩展技术使用电感导致芯片面积大大增加,加源极退化电阻和电容的技术导致电路的DC增益减小,因此,文中提出一种基于负电容的新型带宽扩展技术,以有效解决上述两个问题。该技术利用两个交叉耦合的MOSFET将正电容转...; 关键词：带宽扩展技术负电容小信号等效电路电路分析传输函数阶跃响应仿真分析

5G基站宽带功率放大器芯片性能评价方法研究: 《信息技术与标准化》2022年第4期7-11,16,共6页菅端端任翔南江刘舒宁郭轩刘果果; 为适应5G基站应用特点对宽带功率放大器芯片测试提出的新需求,对5G基站功率放大器测试的特点进行分析,梳理了5G基站功率放大器芯片EVM和ACLR等主要测试项,提出了适用于5G基站应用场景的测试方法和一套综合评价方法,并依据该方法对此类...; 关键词：5G基站宽带功率放大器邻近信道泄露比矢量误差幅度

基于GaN的3.4~3.6 GHz高增益Doherty功率放大器被引量：5: 《微波学报》2021年第6期35-40,47,共7页周兴达刘果果袁婷婷魏珂刘新宇; 基于两级功率放大器架构,设计了一款平均输出功率为37 dBm(5 W)的高增益Doherty功率放大器。该器件通过增加前级驱动功率放大器提高Doherty功率放大器的增益,采用反向Doherty功率放大器架构,将λ/4波长传输线放置在辅助功放后端,相位补...; 关键词：两级功率放大器反向Doherty功率放大器 π型相位补偿网络增益氮化镓

一种50 Gb/s PAM4外调制激光器驱动电路被引量：2: 《光通信技术》2021年第10期10-13,共4页陈江陆德超郑旭强刘果果刘新宇; 国家重点研发计划(2018YFB2201503)资助。; 激光器驱动电路是光通信系统中发射端的重要部件,为了适应高速电/光转换的需求,基于28 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种外调制激光器(EML)驱动电路,整个驱动电路采用了5级级联的架构,分别包括可变增益放大器(VGA)、两级连...; 关键词：外调制激光器驱动 4阶脉冲振幅调制可变增益放大器互补放大共源共栅

1 MHz～40 GHz超宽带分布式低噪声放大器设计被引量：1: 《半导体技术》2019年第8期590-594,622,共6页闵丹马晓华刘果果王语晨; 国家自然科学基金资助项目(61631021); 为满足宽带系统中低噪声放大器(LNA)宽带的要求,采用0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了两款1 MHz^40 GHz的超宽带LNA,分别采用均匀分布式放大器结构及渐变分布式放大器结构,电路面积分别为1.8 mm×0.85 mm和1.8 mm...; 关键词：低噪声放大器(LNA) 超宽带均匀分布式LNA 渐变分布式LNA GaAs PHEMT

最大振荡频率为200GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT(英文)被引量：5: 《红外与毫米波学报》2011年第4期289-292,共4页刘果果魏珂黄俊刘新宇牛洁斌; Supported by National Natural Science Foundation(60890191);National “973” program(2010CB327500); 报道了最大振荡频率为200 GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道效应,器件采用凹栅槽和T型栅结合的工艺,实现了Ka波段AlGaN/GaNHEMT.器件饱和电流达到1.1 A/mm,跨导为421...; 关键词：ALGAN/GAN HEMT 蓝宝石衬底 fmax InGaN背势垒湿法腐蚀

Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研制被引量：3: 《红外与毫米波学报》2011年第3期255-259,共5页王东方袁婷婷魏珂刘新宇刘果果; 自然科学基金"氮化镓基毫米波器件和材料基础与关键问题研究"(60890190); 为了提高AlGaN/GaN HEMT的频率,采用了缩小源漏间距、优化栅结构和外围结构等措施设计了器件结构,并基于国内的GaN外延片和工艺完成了器件制备.测试表明所研制的AlGaN/GaN HEMT可以满足Ka波段应用.其中2×75μm栅宽AlGaN/GaN HEMT在30V...; 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 KA波段毫米波

一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路被引量：1: 《电子器件》2009年第1期24-27,共4页张辉陈晓娟刘果果曾轩袁婷婷陈中子王亮刘新宇; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新工程(批准号:KGCX2-SW-107); 论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试。该电路包含了1个10×100μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路。在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8GHz达到36.5 dBm(4.5 W),PAE为6...; 关键词：ALGAN/GANHEMT 内匹配混合集成电路功率放大器

Post-Gate Process Annealing Effects of Recessed AlGaN/GaN HEMTs被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2008年第12期2326-2330,共5页刘果果黄俊魏珂刘新宇和致经; supported by the State Key Development Programfor Basic Research of China(No.2002CB311903);the Key Innovation Program of the Chinese Academy of Sciences(No.KGCX2-S W-107)~~; This paper focuses on how to reduce the gate leakage current caused by plasma dry etching. X-ray photoelectron spectroscopy （XPS） is employed to measure the AlGaN surface before and after etching. N vacancies are in...; 关键词：GAN dry etching gate leakage ANNEALING N vacancy

X波段AlGaN/GaN HEMTs Γ栅场板结构研究: 《电子器件》2008年第6期1790-1793,共4页王冬冬刘果果刘丹李诚瞻刘新宇和致经; 基于SiC衬底成功研制X波段0.25μm栅长带有Γ栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,设计场板(field plate)长度为0.4μm,0.6μm,0.7μm,0.9μm。研究了Γ栅场板长度及不同漏偏压下对器件直流,小信号特性及大信号的影响。器件直流I-V及转移特性并...; 关键词：ALGAN/GAN HEMTS Γ栅场板截止频率功率密度

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