ALGAN/GANHEMT

作品数：10被引量：22H指数：3
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增强型Cascode结构氮化镓功率器件的高能质子辐射效应研究被引量：4
《物理学报》2023年第1期44-50,共7页白如雪 郭红霞 张鸿 王迪 张凤祁 潘霄宇 马武英 胡嘉文 刘益维 杨业 吕伟 王忠明 
针对增强型共栅共源(Cascode)级联结构和耗尽型AlGaN/GaN功率器件,利用60 MeV能量质子开展辐射效应研究.获得了经质子辐照后器件电学性能的退化规律,并与常规耗尽型HEMTs器件辐照后的电学性能进行了比较,发现增强型Cascode结构器件对质...
关键词：增强型AlGaN/GaNHEMT 质子辐照 电离能损 
源漏偏置电压对AlGaN/GaNHEMT太赫兹探测器灵敏度的调控被引量：2
《微纳电子技术》2021年第10期875-881,共7页刘亮 熊圣浩 丁青峰 冯伟 朱一帆 秦华 
国家自然科学基金资助项目(61775231,61975227);江苏省重点研发计划项目(BE2018005)。
天线耦合的场效应晶体管(FET)太赫兹自混频探测器通常工作在零源漏偏压下,设置恰当的栅极电压可获得最佳的灵敏度。测试分析了天线耦合AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)太赫兹自混频探测器的源漏偏置电压对太赫兹自混频响应度和噪声...
关键词：太赫兹探测器 高电子迁移率晶体管(HEMT) 氮化镓(GaN) 噪声等效功率(NEP) 自混频 噪声 
AlGaN/GaN HEMT电学特性的ATLAS模拟
《科技风》2018年第11期53-54,共2页张子砚 
贵州省2014年联合基金项目(黔科合LH字[2014]7181号)
分析了AlGaN/GaN HEMT器件的结构及特性,2DEG的浓度与器件的电学特性的关系。在仿真软件ATLAS上构建器件模型,对器件的转移特性和输出特性进行了模拟仿真,并对仿真结果进行分析。
关键词：ALGAN/GANHEMT 2DEG 转移特性 输出特性 
毫米波AlGaN/GaNHEMT器件物理模型仿真被引量：1
《微波学报》2014年第S1期48-50,共3页董若岩 徐跃杭 谢俊 徐锐敏 
本文利用器件仿真软件Silvaco Altlas建立了考虑表面态和陷阱效应的微波Al Ga N/Ga N HEMT器件物理模型。针对毫米波Ga N HEMT器件短栅长引起的短沟道效应,本文采用了更精确的能量平衡模型。仿真结果与实测结果取得了良好的一致性。
关键词：GAN HEMT 物理模型 表面态 陷阱 
含有Al组分阶变AlGaN过渡层的Si基AlGaN／GaNHEMT被引量：5
《固体电子学研究与进展》2011年第6期527-531,共5页倪金玉 董逊 周建军 孔岑 李忠辉 李亮 彭大青 张东国 陆海燕 耿习娇 
国家自然科学基金资助项目(61106130)
采用一个AlN缓冲层和两个Al组分阶变的AlGaN过渡层作为中间层,在76.2mm Si衬底上外延生长出1.7μm厚无裂纹AlGaN/GaN异质结材料,利用原子力显微镜、X射线衍射、Hall效应测量和CV测量等手段对材料的结构特性和电学性能进行了表征。材料...
关键词：硅衬底 铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 过渡层 
一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路被引量：1
《电子器件》2009年第1期24-27,共4页张辉 陈晓娟 刘果果 曾轩 袁婷婷 陈中子 王亮 刘新宇 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新工程(批准号:KGCX2-SW-107)
论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试。该电路包含了1个10×100μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路。在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8GHz达到36.5 dBm(4.5 W),PAE为6...
关键词：ALGAN/GANHEMT 内匹配 混合集成电路 功率放大器 
基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计被引量：5
《电子器件》2008年第6期1794-1796,共3页曾轩 陈晓娟 刘果果 袁婷婷 陈中子 张辉 王亮 李诚瞻 庞磊 刘新宇 刘键 
利用内匹配和功率合成技术设计了X波段AlGaN/GaN HEMT功率合成放大器。电路包含有四个AlGaN/GaNHEMT和制作在Al2O3陶瓷基片上的输入输出匹配电路。在偏置条件VDS=30 V,IDS=700 mA时8 GHz测出连续波饱和输出功率达到Psat=40 dBm(10 W),最...
关键词：ALGAN/GANHEMT 内匹配 功率合成 功率放大器 
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管大信号I-V特性模型(英文)
《电子器件》2007年第2期353-355,共3页常远程 张义门 张玉明 曹全君 王超 
国家基础项目资助(2002CB311904)
对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是Al GaN/GaN HEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模型参数只有三个,但是Ids与Vgs的平方关系不符合实际,计算结果与测量数据有误差.我们在考虑了栅电压与漏...
关键词：器件模拟 大信号模型 ALGAN/GANHEMT I-V特性 
基于AlGaN/GaNHEMT的功率放大器的研究进展被引量：3
《微电子学》2005年第3期245-247,共3页王冲 刘道广 郝跃 张进城 
国家重大基础研究发展(973)计划资助项目(2002CB311904);国防预先研究项目
介绍了几类常见的基于AlGaN/GaNHEMT的微波功率放大器;论述了制造微波功率放大器的两种关键工艺技术———倒装芯片集成(FCIC)和共平面线(CPW);分析了自行研制的微波功率放大器核心器件AlGaN/GaNHEMT的性能。
关键词：微波功率放大器 微波集成电路 高电子迁移率器件 ALGAN/GAN 倒装芯片集成 共平面线 
跨导为220 mS/mm的AlGaN/GaNHEMT被引量：2
《固体电子学研究与进展》2004年第2期209-211,257,共4页张小玲 吕长志 谢雪松 何焱 侯英梁 冯士维 李志国 曾庆明 
介绍了 Al Ga N/ Ga N HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试。漏源欧姆接触采用 Ti/ Al/ Pt/ Au,肖特基结金属为 Pt/ Au。器件栅长为 1 μm,获得最大跨导 2 2 0 m S/ mm,最大的漏源饱和电流密度 0 .72 A/ mm。由 S参数测量推出器件的...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 直流特性 
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