跨导为220 mS/mm的AlGaN/GaNHEMT  

AlGaN/GaN HEMT with Transconductance of Over 220 mS/mm

作　　者：张小玲[1] 吕长志[1] 谢雪松[1] 何焱[1] 侯英梁[1] 冯士维[1] 李志国[1] 曾庆明[2] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022 [2]河北半导体研究所,石家庄050051

出　　处：《固体电子学研究与进展》2004年第2期209-211,257,共4页Research & Progress of SSE

摘　　要：介绍了 Al Ga N/ Ga N HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试。漏源欧姆接触采用 Ti/ Al/ Pt/ Au,肖特基结金属为 Pt/ Au。器件栅长为 1 μm,获得最大跨导 2 2 0 m S/ mm,最大的漏源饱和电流密度 0 .72 A/ mm。由 S参数测量推出器件的截止频率和最高振荡频率分别为 1 2 GHz和 2 4GHz。In the paper, the fabrication of AlGaN/GaN HEMT and its properties at RT are reported. Source-drain ohmic contacts and Schottky metal system are Ti/Al/Pt/Au & Pt/Au,respectively. The gate length of the device is 1 μm. We obtained a maximum transconductance of 220 mS/mm, and a saturated current density of 0.72 A/mm. On-wafer measurements of S parameter result in an extrapolated f T of 12 GHz and f max of 24 GHz.

关 键 词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 直流特性 

分 类 号：TN325[电子电信—物理电子学]