刘道广

作品数：44被引量：66H指数：5
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发文主题：SIGE_HBTSIGEHBTVDMOS器件VDMOS更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
发文期刊：《微电子学》《西安电子科技大学学报》《半导体技术》《电工技术学报》更多>>
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数据挖掘在IGBT模型参数提取中的应用研究被引量：2
《微电子学》2020年第6期848-852,共5页严利人 刘道广 刘志弘 
广东省重点领域研发计划项目(2019B010143002)。
针对半导体器件的SPICE模型参数提取,提出了一种正向处理技术。对于选定的器件和模型,大量运行不同模型参数组合下的SPICE仿真,获得各种不同的电特性曲线,形成超大规模的数据集。若通过测试得到了确实的测试数据,则通过数据挖掘和人工...
关键词：批量仿真 数据挖掘 KNN算法 多元回归 
MOS器件开启电压值的贝叶斯统计推断被引量：1
《微电子学》2020年第5期659-663,共5页严利人 刘道广 刘志弘 梁仁荣 
广东省重点领域研发计划项目(2019B010143002)。
在实践中准确地测定和表征出MOS器件样管的开启电压,对于大规模集成电路的设计以及将MOS器件作为分立器件的在电路应用,均是至关重要的。文章采用贝叶斯统计推断工具用于器件输入曲线的处理,从中提取出与器件开启有关的更为精准和深入...
关键词：贝叶斯统计推断 开启电压 最大后验估计 后验分布 
高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管
《电工技术学报》2017年第24期53-58,共6页蒋梦轩 帅智康 沈征 王俊 刘道广 
国家高技术研究发展计划(2014AA052601);中央高校基本科研业务费专项项目(106112017CDJXY150099)资助
在前期高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)的基础上提出一种高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管(CT-IGBT)。该器件沟槽集电极与漂移区的内建电势差感应形成电子沟道而加快关断速度,且集电极沟槽具有不同于传统电场截止层(FS)的电场截止机制,并引...
关键词：绝缘栅双极晶体管 电场截止 关断下降时间 雪崩能量 强度 
功率半导体器件辐射效应综述被引量：7
《微电子学》2017年第5期690-694,共5页谭桢 魏志超 孙亚宾 万欣 晋虎 万慧君 王敬 刘道广 许军 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB 0404100);清华大学自主科研项目(20141081190)
功率半导体器件是航天器电源系统中的核心元件,太空环境中的粒子辐射会使其发生失效。首先,总结了硅功率半导体器件几种主要的辐射效应。然后,介绍了近年来一些新的研究成果和研究热点。最后,对第三代半导体功率器件中的辐射效应进行了...
关键词：硅功率器件 宽禁带半导体器件 总剂量效应 单粒子效应 
基于TEOS-O_2-N_2淀积SiO_2工艺研究
《电子工艺技术》2012年第5期262-264,299,共4页谭德喜 巨峰峰 顾晓春 翁长羽 刘道广 
电子发展基金项目(项目编号:2010-301)
采用正硅酸乙脂热分解系统(TEOS-O2-N2)淀积SiO2工艺在大功率垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件及产品的研发和生产中有着非常重要的应用。主要介绍了正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅(SiO2)系统调试。通过大量的实验建立用正硅...
关键词：TEOS 淀积系统 VDMOS 栅源漏电 
JFET区注入对大功率VDMOS击穿电压和导通电阻的影响被引量：2
《微电子学》2011年第6期918-922,共5页万欣 周伟松 刘道广 许军 
国家自然科学基金资助项目(60820106001)
研究了JFET区注入对大功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻的影响,分析讨论了JFET区注入影响击穿电压的机理,并定量给出JFET区注入对导通电阻的影响。通过器件数值模拟优化JFET区注入剂量,并根据仿真结果改进器件设计,在满足击穿电压要求...
关键词：JFET VDMOS 击穿电压 导通电阻 
p沟VDMOS的设计及抗辐照特性研究被引量：1
《半导体技术》2011年第12期905-909,928,共6页郑君 周伟松 胡冬青 刘道广 何仕均 许军 
国家自然科学基金资助项目(60820106001)
借助半导体仿真工具Silvaco中所提供的工艺摸拟器(Athena)和器件摸拟器(Atlas),及L-Edit版图设计工具,设计了一款击穿电压高于-90 V、阈值电压为-4 V的p沟VDMOS器件。经实际流片测试,器件的导通电阻小于200 m!,跨导为5 S,栅-源泄漏电流...
关键词：p沟VDMOS 单粒子烧毁 单粒子栅击穿 辐照 线性能量转移 
Influence of Heterojunction Position on SiGe HBTs with Graded BC Junctions
《Journal of Semiconductors》2008年第8期1491-1495,共5页雒睿 张伟 付军 刘道广 严利人 
The influence of a heterojunction in the vicinity of a graded BC junction on the performance of npn SiGe HBTs is studied. SiGe HBTs differing only in heterojunction position in the vicinity of a graded BC junction are...
关键词：SiGe HBT BC junction HBE relative position device performance 
IC制造中的ARMA模型分析与动态工艺控制
《微电子学》2008年第2期187-191,共5页黄伟 窦维治 刘道广 严利人 
提出了动态工艺条件控制的概念,即通过引入自适应算法ARMA,可对集成电路制造工艺效果进行预测,并根据预测结果,对工艺条件加以实时的调整控制,达到改善成品率的目的。采用动态工艺条件控制,打破了几十年来IC制造的固定模式,是IC制造领...
关键词：半导体工艺 成品率 动态工艺控制 ARMA模型 时间序列预测 
高性能绝缘层上应变硅动态阈值MOSFET的设计优化被引量：1
《微电子学》2008年第1期72-75,80,共5页李德斌 梁仁荣 刘道广 许军 
国家自然科学基金资助项目(60476017,60636010)
采用二维数值模拟的方法,研究了纳米尺度栅长的绝缘层上应变硅(SSOI)动态阈值(DT) MOSFET的特性,全面分析了台阶型沟道掺杂分布和沟道长度对器件开态和关态特性的影响。结果表明,通过调整轻掺杂的表面沟道和重掺杂的体杂质分布,DT SSOI...
关键词：绝缘层上应变硅 动态阈值 MOSFET 台阶掺杂 
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