硅功率器件

作品数：37被引量：25H指数：3
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气派科技投建第三代半导体及硅功率器件先进封测项目
《中国集成电路》2023年第7期33-33,共1页
气派科技近日发布公告称,以简易程序向特定对象发行股票募集资金总额不超过1.3亿元,投建于第三代半导体及硅功率器件先进封测项目。该项目实施主体为广东气派科技有限公司,本项目建成后用于功率器件封装测试,项目产品主要应用于5G通讯...
关键词：发行股票 实施主体 自动化生产 通讯设备 医疗电子 募集资金 封装测试 消费电子市场 
化硅功率器件白亿赛道开启,国内企业跑步入场!
《变频器世界》2022年第3期1-1,共1页《变频器世界》编辑部 
功率器件从硅基向碳化硅的转型,是半导体集成电路领域快速发展的一个关键,对整个电力电子行业的发展具有重大的影响。碳化硅功率器件弥补了硅基功率器件性能方面无法触及的高度,提升了功率器件的性能和应用场景。目前,碳化硅功率器件在...
关键词：碳化硅功率器件 半导体集成电路 充电时间 电动汽车 转换效率 政策背景 清洁能源 光伏发电 
SiC开启百亿市场更有望取代硅功率器件千亿市场
《半导体信息》2020年第3期29-30,共2页
碳化硅(SiC)功率器件前景亮丽,市场驱动力主要基于四大应用领域:1)太阳能的PV(光伏)逆变器,主要提高电源的转换效率。2)新能源汽车(EV/HEV)中的电力驱动系统。3)开关电源,用于服务器、空调等实现节能目标。4)重型电机和工业设备,主要是...
关键词：市场驱动力 高频电源 电力驱动系统 开关电源 节能目标 转换效率 应用领域 逆变器 
导通电流密度突破50A/cm^2新型IGBT诞生
《半导体信息》2020年第1期13-15,共3页
几十年前,在功率半导体器件领域,半导体硅材料一直"独唱主角",硅基超大规模集成技术对硅功率器件的发展产生了重大影响。然而,随着功率领域对小型化、高频、高温、高压和抗辐照特性的迫切需求,硅基功率器件达到了理论极限,第二代半导体...
关键词：宽禁带半导体材料 功率半导体器件 理论极限 半导体硅材料 硅功率器件 IGBT 氮化铝 
CISSOID和中科院电工所建立战略合作关系
《中国集成电路》2019年第7期8-10,共3页
CISSOID日前宣布:公司已与中国科学院电工研究所(中科院电工所)达成战略合作关系,将共同开展基于碳化硅(SiC)功率模块的系统研发项目,攻克技术难题,实现耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势,推动碳化硅功率器件在新能源汽车领域...
关键词：中国科学院电工研究所 合作关系 中科院 高能量密度 新能源汽车 硅功率器件 研发项目 功率模块 
基本半导体发布国内首款工业级碳化硅MOSFET被引量：1
《变频器世界》2019年第1期31-31,共1页
新年伊始,基本半导体正式发布国内首款拥有自主知识产权的工业级碳化硅MOSFET,该产品各项性能达到国际领先水平,其中短路耐受时间更是长达6μs。碳化硅MOSFET的发布,标志着基本半导体在第三代半导体研发领域取得重大进展,自主研发的碳...
关键词：MOSFET 半导体材料 碳化硅 工业级 硅功率器件 自主知识产权 国际领先水平 自主研发 
功率半导体器件辐射效应综述被引量：7
《微电子学》2017年第5期690-694,共5页谭桢 魏志超 孙亚宾 万欣 晋虎 万慧君 王敬 刘道广 许军 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB 0404100);清华大学自主科研项目(20141081190)
功率半导体器件是航天器电源系统中的核心元件,太空环境中的粒子辐射会使其发生失效。首先,总结了硅功率半导体器件几种主要的辐射效应。然后,介绍了近年来一些新的研究成果和研究热点。最后,对第三代半导体功率器件中的辐射效应进行了...
关键词：硅功率器件 宽禁带半导体器件 总剂量效应 单粒子效应 
三菱电机投资兴建6英寸晶圆生产线扩大碳化硅功率器件产量
《半导体信息》2017年第4期38-40,共3页
三菱电机半导体首席技术执行官Gourab Majumdar博士日前表示，
关键词：三菱电机 硅功率器件 生产线 产量 碳化 晶圆 投资 半导体 
采用碳化硅功率器件的UPS更加高效节能
《UPS应用》2017年第6期23-24,共2页文洋 
如今，随着技术的发展，静态UPS的功率损耗逐渐下降。早期具有输入和输出变压器的采用晶闸管技术的在线式UPS（简称双变换式UPS或IEC的“VFI”）的满载运行效率仅为83％～85％。而目前采用IGBT技术的高频在线互动式UPS的满载效率可达到9...
关键词：在线式UPS 硅功率器件 高效节能 IGBT技术 在线互动式UPS 碳化 输出变压器 功率损耗 
高压硅功率器件的终端设计方法
《中文科技期刊数据库(文摘版)教育》2017年第4期00114-00114,共1页马俊 邓林 
本文对高压硅功率器件的结终端进行了设计方法讨论。结果显示:适度降低掺杂可以在终端有效的降低峰值电场值,更能够节约终端的宽度,从而缩减芯片的面积。
关键词：环形结终端 硅功率器件 
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