高压硅功率器件的终端设计方法  

作　　者：马俊 邓林 

机构地区：[1]四川职业技术学院电子电气工程系,四川 遂宁 629000

出　　处：《中文科技期刊数据库(文摘版)教育》2017年第4期00114-00114,共1页

摘　　要：本文对高压硅功率器件的结终端进行了设计方法讨论。结果显示:适度降低掺杂可以在终端有效的降低峰值电场值,更能够节约终端的宽度,从而缩减芯片的面积。

关 键 词：环形结终端 硅功率器件 

分 类 号：G623.6[文化科学—教育学] G633.55