导通电流密度突破50A/cm^2新型IGBT诞生  

出　　处：《半导体信息》2020年第1期13-15,共3页Semiconductor Information

摘　　要：几十年前,在功率半导体器件领域,半导体硅材料一直"独唱主角",硅基超大规模集成技术对硅功率器件的发展产生了重大影响。然而,随着功率领域对小型化、高频、高温、高压和抗辐照特性的迫切需求,硅基功率器件达到了理论极限,第二代半导体材料砷化镓(GaAs),以及以碳化硅(SiC)半导体材料和氮化镓(GaN)、氮化铝(A1N)、氧化锌(ZnO)、金刚石等宽禁带半导体材料(禁带宽度大于3.2eV)等为代表的第三代半导体材料纷纷登上半导体的舞台。

关 键 词：宽禁带半导体材料 功率半导体器件 理论极限 半导体硅材料 硅功率器件 IGBT 氮化铝 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]