胡冬青

作品数：48被引量：59H指数：4
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供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：内透明集电极IGBT绝缘栅双极晶体管SIC功率MOSFET更多>>
发文领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术文化科学更多>>
发文期刊：《电气传动》《半导体技术》《电源技术》《电工技术学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家电网公司科技项目北京市教委科技发展计划更多>>
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重离子源类别对SiC MOSFET单粒子效应的影响
《航天器环境工程》2024年第5期625-632,共8页郝晓斌 贾云鹏 周新田 胡冬青 吴郁 唐蕴 赵元富 
国家自然科学基金项目(编号:62204011)。
SiC金属−氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为第三代航天器用半导体器件,在应用前须经过抗单粒子效应试验评估。文章探究重离子加速器恒定式和脉冲式束流源这两种不同类别的辐照源对SiC MOSFET单粒子效应的影响。试验结果表明两种束...
关键词：SiC金属−氧化物半导体场效应晶体管 功率器件 单粒子效应 重离子加速器 仿真研究 试验研究 
基于实验与仿真的SiC JFET单粒子效应研究
《原子能科学技术》2023年第12期2304-2313,共10页黎荣佳 贾云鹏 周新田 胡冬青 吴郁 唐蕴 许明康 马林东 赵元富 
国家自然科学基金(62204011)。
我国航天事业发展迅速,大型空间平台的建设以及高性能电推进系统的应用对功率半导体器件的性能提出了越来越高的要求。SiC高压功率器件抗辐射研究亟待突破。对SiC JFET器件施加不同的偏置电压,进行重离子辐照实验,实验表明,SiC JFET器...
关键词：SiC JFET 单粒子效应 单粒子烧毁 重离子辐照 
基于解决“复杂工程问题”能力培养的半导体器件设计课程教学反思被引量：4
《电子世界》2019年第23期67-68,共2页胡冬青 张万荣 
一、概述 学生解决复杂工程问题的能力培养,是工程教育的基本定位(蒋宗礼,本科工程教育:聚焦学生解决复杂工程问题能力得到培养,《中国大学教学》,2016年第11期,P27-30,P84).如何落实《华盛顿协议》倡导的"学生中心"、"产出导向"和"持...
关键词：工程教育专业认证 教改研究 半导体器件 自动控制原理 复杂工程问题 工程教育认证 工程认证 考核评估 
SiC MOSFET驱动电路设计与实验分析被引量：12
《电气传动》2017年第9期59-63,共5页邹世凯 胡冬青 黄仁发 崔志行 梁永生 
为使SiC MOSFET在应用中安全可靠的工作,通过对SiC MOSFET开关特性的分析,设计了一种SiC MOSFET驱动电路。该电路具有结构简单、实用性强、速度快、输出功率大等特点。另外,在高功率、高频等特殊环境下工作,为了提高SiC MOSFET的可靠性...
关键词：碳化硅MOSFET 驱动电路 过载保护电路 Pspice仿真软件 双脉冲实验 
600V槽栅IGBT优良性能的机理分析
《北京工业大学学报》2016年第9期1313-1317,共5页吴郁 周璇 金锐 胡冬青 贾云鹏 谭健 赵豹 李哲 
国家自然科学基金资助项目(61176071);国家电网公司科技项目(5455DW150012)
槽栅结构对功率绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBT)的影响主要是n-漂移区的电导调制而不是对沟道电阻的改善,为了论证这一问题,采用仿真工具Sentaurus TCAD,针对600 V的Trench IGBT和Planar IGBT两种结构的阻断...
关键词：绝缘栅双极晶体管(insulate gate BIPOLAR transistor IGBT) 槽栅 平面栅 通态压降 关断损耗 
电荷耦合内透明集电极IGBT设计与仿真
《半导体技术》2016年第2期107-113,158,共8页李哲 胡冬青 金锐 贾云鹏 谭健 周璇 赵豹 
国家自然科学基金资助项目(61176071);国家电网科技项目(SGR1-WD-71-14-005;5455DW150012)
针对沟槽型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)栅电容较大、开关速度较慢的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将电荷耦合(CC)的思想应用于槽栅IGBT中。采用仿真工具MEDICI对电荷耦合内透明集电极IGBT(CC-ITC-IGBT)的击穿特性、导通特性和开关特性...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 电荷耦合 内透明集电极 导通压降 折中特性 
掺铂和电子辐照对快恢复二极管性能的影响被引量：2
《半导体技术》2016年第1期37-41,共5页赵豹 贾云鹏 吴郁 胡冬青 周璇 李哲 谭健 
中国教育部博士基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(5455DW140003)
寿命控制技术是现在广泛使用的方法,该方法旨在减少快恢复二极管(FRD)基区载流子寿命从而实现更小的反向恢复时间,同时不可避免地引起其他性能的变化。通过高能电子辐照和扩铂对1 200 V FRD进行了寿命控制,并对铂扩散和电子辐照样品在...
关键词：寿命控制 扩铂 电子辐照 快恢复二极管(FRD) 深能级瞬态谱(DLTS) 
用于功率器件动态特性测试的栅驱动脉冲发生器
《智能电网》2015年第5期437-441,共5页苏洪源 杨霏 贾云鹏 吴郁 胡冬青 李立 
国家自然科学基金项目(61176071);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20111103120016)~~
功率器件作为电力电子器件的典型代表,在智能电网的相关设备中起着至关重要的作用。针对智能电网中所用的功率器件(绝缘栅双极晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)、金属–氧化层半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconduc...
关键词：绝缘栅器件 双脉冲 STC89C52单片机 脉冲发生器 
150V电荷耦合功率MOSFET的仿真被引量：1
《半导体技术》2014年第12期902-907,共6页李蕊 胡冬青 金锐 贾云鹏 苏洪源 匡勇 屈静 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
电荷耦合是适用于中等电压功率MOSFET设计的先进设计理念之一，该设计思想旨在改善器件阻断态下的电场分布从而提高耐压。针对150V电荷耦合功率MOSFET双外延漂移区（分别为电荷耦合区N1区与非耦合区N2区）电荷匹配问题进行了仿真优化研...
关键词：金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET) 变掺杂 电荷耦合 场板 低栅漏电容 
600V高性能新型槽栅内透明IGBT的仿真被引量：1
《半导体技术》2014年第12期908-916,共9页苏洪源 胡冬青 刘钺杨 贾云鹏 李蕊 匡勇 屈静 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
载流子存储层(CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力。为了平衡载流子存储层对器件阻断能力的影响,在器件n-漂移区中CSL层处近哑元胞侧设计了p型埋层(p BL),利用电荷平衡的理念改善电场分布,并借助ISE-TAC...
关键词：p型埋层载流子存储层内透明集电极绝缘栅双极晶体管(CSL-pBL-ITC-IGBT) 哑元胞 载流子存储层 p型埋层 槽栅 
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