槽栅

作品数：110被引量：136H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张波李泽宏张金平任敏郝跃更多>>
相关机构：电子科技大学上海华虹宏力半导体制造有限公司西安电子科技大学株洲中车时代电气股份有限公司更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国防科技技术预先研究基金北京市教委科技发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
沟槽栅IGBT制备中的翘曲控制
《半导体技术》2025年第3期259-264,共6页夏碧波 蔡乐 张鸿鑫 魏宏杰 彭新华 谭灿健 
沟槽栅IGBT是提高功率器件功率密度和性能的主流发展方向。但随着芯片精细化程度的提升,制备过程产生的晶圆翘曲更大,更容易影响其工艺过程和工艺效果,因此芯片制备过程中的翘曲控制成为了新的关注点。系统分析了沟槽栅IGBT制备流程中...
关键词：IGBT 翘曲控制 工艺优化 多晶硅 铝金属 
基于介电调制的埋双源沟槽栅TFET的生物传感器
《安徽科技学院学报》2024年第6期40-46,共7页崔国伟 许会芳 高伟凡 
安徽省高校自然科学研究项目(2023AH051845);安徽科技学院横向项目(880937);安徽科技学院重点学科建设项目(XK-XJGY002)。
目的:为检测生物分子,提出一种基于介电调制的埋双源沟槽栅隧穿场效应晶体管(DM-BDSTG TFET)的生物传感器。方法:采用更容易放置生物分子的沟槽栅结构,并利用Silvaco Atlas软件对基于DM-BDSTG TFET的生物传感器性能进行评估。结果:当栅...
关键词：埋双源 沟槽栅 生物传感器 灵敏度 亚阈值摆幅 
一种650 V微沟槽IGBT设计与优化
《微电子学》2024年第4期659-664,共6页陈冠谋 冯全源 陈晓培 
国家自然科学基金(62090012);四川省重点研发项目(2023YFG0004)。
介绍了关于IGBT的注入增强原理,以及使用Sentaurus TCAD软件对不同Mesa宽度以及不同沟槽栅长度的器件进行了仿真优化。根据仿真结果以及第三代FS Trench设计平台,设计了一款650 V MPT-IGBT(Micro-Pattern Trench IGBT)。根据流片样品的...
关键词：IGBT 微沟槽绝缘栅二极管 沟槽栅 关断损耗 注入增强 
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC^(TM)MOSFET G2
《变频器世界》2024年第3期37-37,共1页
2024年3月12日,英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比,英飞凌全新的CoolSiC^(TM) MOSFET 650V和1200V Generation2技术在确保质量和可靠性的前提下,将MOSFET的...
关键词：英飞凌科技 MOSFET 功率系统 能量转换 沟槽栅 质量和可靠性 TM 低碳化 
U型高K介质膜槽栅垂直场板LDMOS
《微电子学》2024年第1期110-115,共6页钱图 代红丽 周春行 陈威宇 
天津市大学生创新创业训练计划项目(202210060101)。
近年来,随着汽车电子和电源驱动的发展,集成度较高的LDMOS作为热门功率器件受到了关注,如何提高其击穿电压与降低其比导通电阻成为提高器件性能的关键。基于SOI LDMOS技术,文章提出了在被4μm的高K介质膜包围的SiO_(2)沟槽中引入垂直场...
关键词：LDMOS 高K介质 垂直场板 击穿电压 比导通电阻 
基于TCAD技术的碳化硅槽栅MOSFET器件设计被引量：1
《实验技术与管理》2023年第11期142-147,共6页刘彦娟 韩迪 贾德振 
辽宁省科技厅资助项目(2021-BS-192);辽宁省教育厅资助项目(LJKZ0174);辽宁省教改资助项目(辽教办〔2021〕254号)。
针对碳化硅槽栅MOSFET器件内部寄生二极管的反向恢复特性差的问题,设计了碳化硅槽栅MOSFET器件新结构,通过在碳化硅槽栅MOSFET器件元胞内部集成多晶硅/碳化硅异质结二极管,在不使器件的其他电学特性退化的基础上,改善器件的反向恢复特...
关键词：碳化硅器件 槽栅MOSFET器件 反向恢复特性 多晶硅/碳化硅异质结 半导体功率器件 
碳化硅沟槽栅MOSFET技术研究进展
《机车电传动》2023年第5期10-25,共16页罗海辉 李诚瞻 姚尧 杨松霖 
湖南省科技重大项目(2021GK1180)。
第三代宽禁带半导体碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具备耐高压、耐高温和低损耗等优点,迅速成为行业的研究热点。文章结合SiC功率MOSFET器件发展历史,探讨了从平面栅技术发展到沟槽栅技术的必要性,介绍了SiC沟槽栅MOS...
关键词：碳化硅 沟槽栅MOSFET 沟槽工艺 沟槽栅氧 沟槽结构 新型沟槽 
凹槽栅增强型GaN功率器件的开关特性研究
《中国集成电路》2023年第8期39-44,48,共7页陈泽权 李调阳 
国家自然科学基金(No.62204042);福建省科技重大专项专题项目(No.2021HZ021027)。
由于AlGaN/GaN异质结界面自发极化和压电极化产生的二维电子气,使器件处于常开状态,需要施加额外的负栅极电压将其关断。而增强型p-GaN栅结构的肖特基栅漏电大,极大地限制了器件的工作电压范围。本文基于原子层刻蚀及原子层沉积技术,在...
关键词：氮化镓 凹槽栅 增强型 TCAD仿真 开关特性 
超低导通电阻沟槽栅LDMOS器件研究被引量：2
《电子学报》2023年第8期1995-2002,共8页吝晓楠 吴团庄 许超奇 李仁伟 张仪 薛璐洁 陈淑娴 林峰 刘斯扬 孙伟锋 
国家重点研发计划(No.2020YFF0218501);东南大学至善学者基金(No.2242021R41080)。
本文提出了一种具有超低特征导通电阻的沟槽栅横向双扩散场效应晶体管(Trench Gate Lateral Double-diffused MOSFET,TG-LDMOS).本结构源极和漏极都在表面,与BCD(Bipolar CMOS DMOS)工艺相兼容.通过引入介质沟槽、垂直栅极、栅极下方的...
关键词：横向双扩散场效应晶体管 沟槽 横向元胞尺寸 击穿电压 特征导通电阻 
一种具有多晶硅二极管栅极结构的槽栅IGBT设计被引量：2
《电子元件与材料》2022年第8期834-841,共8页王波 胡汶金 赵一尚 李泽宏 任敏 
为改善传统槽栅IGBT结构开启损耗和电磁干扰噪声两种电学参数间的矛盾关系,在N型Poly栅极和槽栅底部之间引入P型Poly栅极,提出了一种具有多晶硅二极管栅极结构的槽栅IGBT结构(PDG-TIGBT),并实现了工艺制程的设计。多晶硅栅结构中的低掺...
关键词：槽栅IGBT 多晶二极管 密勒电容 电磁干扰 
全选清除导出
共11页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部