特征导通电阻

作品数：29被引量：58H指数：3
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高压VDMOSFETRon最佳化比例设计研究
《中国设备工程》2023年第24期133-135,共3页英秀 
正文以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻Ron与结构参数之间的关系。重点讨论了N沟道VDMOSFET的P^(-)体扩散区结构Xjp^(-)和栅氧化物厚度Tox对器件特性导通电阻Ron的影响,给出了多晶硅窗口区尺寸Lw和多晶区尺寸Lp的...
关键词：VDMOSFET 单胞 特征导通电阻 结深 氧化层厚度 
浮动电极对屏蔽栅沟槽型MOSFET特性的影响
《微电子学》2023年第5期917-923,共7页湛涛 冯全源 
国家自然科学基金重点项目(62090012)
提出了在屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT)的沟槽侧壁氧化层中形成浮动电极的结构,通过改善电场分布,优化了特征导通电阻与特征栅漏电容。在传统SGT结构的基础上,仅通过增大外延层掺杂浓度,改变浮动电极的长度和位置以及氧化层厚度,最终得到击...
关键词：屏蔽栅 浮动电极 特征导通电阻 特征栅漏电容 
超低导通电阻沟槽栅LDMOS器件研究被引量：2
《电子学报》2023年第8期1995-2002,共8页吝晓楠 吴团庄 许超奇 李仁伟 张仪 薛璐洁 陈淑娴 林峰 刘斯扬 孙伟锋 
国家重点研发计划(No.2020YFF0218501);东南大学至善学者基金(No.2242021R41080)。
本文提出了一种具有超低特征导通电阻的沟槽栅横向双扩散场效应晶体管(Trench Gate Lateral Double-diffused MOSFET,TG-LDMOS).本结构源极和漏极都在表面,与BCD(Bipolar CMOS DMOS)工艺相兼容.通过引入介质沟槽、垂直栅极、栅极下方的...
关键词：横向双扩散场效应晶体管 沟槽 横向元胞尺寸 击穿电压 特征导通电阻 
一种1200V碳化硅沟槽MOSFET的新结构设计被引量：3
《微电子学与计算机》2022年第7期94-100,共7页高明阳 顾钊源 杨明超 谭在超 韩传余 刘卫华 耿莉 郝跃 
国家自然科学基金项目(61771384)。
为了实现能源的高效利用,通过减小器件的导通电阻和栅漏电容来降低MOSFET的功耗一直是功率电子学的研究热点,但二者存在折衷关系.碳化硅的材料优势使碳化硅MOSFET更适合高频应用,在不过多增大导通电阻的情况下,减小栅漏电容以降低器件...
关键词：碳化硅 TSN结构 特征导通电阻 特征栅漏电容 
一种具有子沟槽结构的屏蔽栅MOSFET的研究被引量：2
《电子元件与材料》2022年第6期621-626,共6页朱晨凯 赵琳娜 顾晓峰 周锦程 杨卓 
国家自然科学基金(61504049);江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX18_1855);中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51510)。
为了降低屏蔽栅沟槽型(SGT,Shield Gate Trench)MOSFET的导通电阻、提高器件的品质因数,通常使用增加屏蔽栅沟槽深度和密度的方法,但是在刻蚀高密度深沟槽时会使晶圆产生严重的翘曲现象。因此,提出一种100 V具有子沟槽(ST,Sub-Trench)的...
关键词：屏蔽栅沟槽型MOSFET 电荷平衡 击穿电压 特征导通电阻 品质因数 
一种100V分离栅沟槽MOSFET的优化设计被引量：3
《微电子学与计算机》2017年第10期11-15,共5页罗小梦 王立新 杨尊松 王路璐 
国家重点研发计划项目(2016YFB0901800)
把多个侧壁阶梯氧化层应用于分离栅沟槽MOSFET(Split-Gate Trench MOSFET,SGT结构),并把改进的结构称为多阶梯侧壁氧化层分离栅沟槽MOSFET(Multi-Step Sidewall Oxides Split-Gate Trench MOSFET,MSO结构),之后介绍了MSO结构的器件结构...
关键词：分离栅 MSO结构 特征导通电阻 特征栅漏电荷 
一款VDMOS半超结元胞结构的设计被引量：1
《微电子学与计算机》2015年第12期49-53,共5页刘铭 冯全源 庄圣贤 
国家自然科学基金项目(61271090);四川省科技支撑计划项目(2015GZ0103)
设计了一款VDMOS器件的元胞结构,采用半超结结构模型.传统VDMOS结构的导通电阻会随着击穿电压的增长而增长,而半超结结构可以缓和两者之间的矛盾.通过调节工艺条件,经过三次外延注入生长形成P柱,并采用增大外延层浓度和改善电荷平衡的方...
关键词：特征导通电阻 栅漏电容 击穿电压 半超结 
1200V/30 A SiC MOSFET的结构设计与特性仿真
《智能电网》2015年第12期1154-1158,共5页杨勇 封先锋 林涛 臧源 蒲红斌 杨霏 
国家电网公司科技项目(5455DW140003;5455DW130008);北京市科技计划项目(D13110300190000);陕西省科技统筹创新工程计划项目(2013KTCQ01-09)~~
4H-SiC金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)具有开关频率高、功率密度大、耐高温、抗辐照等优点,在军用和民用领域具有广阔的应用前景。针对漏源击穿电压1 200 V的设计目标,利用解析...
关键词：4H-SiC 金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor FIELD-EFFECT transistor MOSFET) 特征导通电阻 静态特性 
Super Junction MOSFET(CoolMOS)被引量：1
《数字技术与应用》2014年第6期113-113,共1页郝晓波 宋海娟 常婷婷 
SJ-MOSFET的结构除外延层外与常规MOSFET类似。但是,其外延层能承受更大的电场,特征导通电阻更小。
关键词：SJ-MOSFET N条和P条 特征导通电阻 非平衡电荷 
500V沟槽阳极LIGBT的设计与优化
《北京工业大学学报》2012年第8期1153-1157,共5页邵雷 李婷 陈宇贤 王颖 
哈尔滨市科技创新人才研究专项基金资助项目(RC2007QN009016)
介绍一种双外延绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)结构的沟槽阳极横向绝缘栅双极型晶体管(trenchanode lateral insulated-gate bipolar transistor,TA-LIGBT).沟槽阳极结构使电流在N型薄外延区几乎均匀分布,并减小了元胞面积;双外...
关键词：沟槽 横向绝缘栅双极晶体管 击穿电压 导通压降 阈值电压 特征导通电阻 
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