蒲红斌

作品数：42被引量：48H指数：4
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供职机构：西安理工大学更多>>
发文主题：SIC碳化硅二极管坩埚触发晶闸管更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
发文期刊：《电力电子技术》《光子学报》《物理学报》《人工晶体学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金陕西省重大科技创新专项计划项目国家教育部博士点基金更多>>
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AlN/β-Ga_(2)O_(3)HEMT直流特性仿真
《人工晶体学报》2024年第5期766-772,共7页贺小敏 唐佩正 张宏伟 张昭 胡继超 李群 蒲红斌 
国家自然科学基金青年科学基金(62104190,61904146);西安市科技局项目(2023JH-GXRC-0122)。
本文利用器件仿真软件对AlN/β-Ga_(2)O_(3)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的直流特性进行研究。由于AlN具有很强的极化效应,在AlN/β-Ga_(2)O_(3)异质结界面处产生高浓度二维电子气(2DEG),使AlN/β-Ga_(2)O_(3)异质结基HEMT具有更加优...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) ALN HEMT 阈值电压 跨导 饱和漏电流 
金刚石衬底上GaN HEMT沟道温度建模:各向异性且非均匀热导率的影响被引量：1
《人工晶体学报》2022年第2期222-228,共7页李姚 郑子轩 蒲红斌 
宽禁带半导体材料教育部重点实验室开放基金(Kdxkf2019-01);陕西省教育厅科研计划(21JK0809)。
为了改善GaN HEMT的自热效应,集成高热导率的金刚石衬底有助于增强器件有源区的热量耗散。然而,化学气相淀积(CVD)生长的多晶金刚石(PCD)具有柱状晶粒结构,导致了各向异性的材料热导率,且其热导率值与生长厚度有关。为此,通过建模金刚...
关键词：GaN HEMT 沟道温度 各向异性 热导率 解析模型 器件热阻 
20 kV SiC GTO关断失效机理研究
《电力电子技术》2021年第12期43-46,共4页刘青 蒲红斌 
国家自然科学基金(51677149)。
碳化硅(SiC)可关断晶闸管(GTO)在感性负载关断过程中,过流应力会导致器件发生关断失败的现象,从而影响器件的可靠性,限制安全工作区(SOA)。此处通过Sentaurus-TCAD模拟软件对20kVSiCGTO不同初始关断电流的关断特性进行了研究,分析了引...
关键词：晶闸管 动态雪崩 关断失效 
低温热处理温度对SiC衬底上CuAlO_(2)薄膜特性的影响
《人工晶体学报》2021年第9期1662-1667,共6页胡继超 孟佳琦 李丹 贺小敏 王曦 许蓓 蒲红斌 
国家自然科学基金(61904146);陕西省教育厅自然科学专项项目(19JK0571)。
为了解决双极型碳化硅(SiC)功率器件中由于p型SiC在室温下难以完全电离所导致的p+n发射结注入效率低的问题,提出将p型CuAlO_(2)与n型SiC形成的异质结作为发射结以提高该结的注入效率。本文利用溶胶凝胶(sol-gel)方法,在4H-SiC衬底上制备...
关键词：SIC 溶胶凝胶法 CuAlO_(2)薄膜 低温热处理 光学带隙 
SiC光触发晶闸管的发展与挑战
《固体电子学研究与进展》2021年第3期171-175,181,共6页王曦 蒲红斌 封先锋 胡继超 刘青 杨勇 谌娟 
国家自然科学基金资助项目(62004161);陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2020JQ-636);陕西省教育厅科学研究计划资助项目(20JK0796);西安市科协青年人才托举计划资助项目(095920201318);山西省招标项目(20201101017)。
SiC光触发晶闸管不仅具备传统SiC晶闸管超高耐压、超大通流能力的特点,还在简化驱动电路、提高系统抗电磁干扰能力方面具备独有优势。概述了SiC光触发晶闸管的发展历程,介绍了SiC LTT紫外发光二极管(UV LED)触发、SiC LTT放大门极以及...
关键词：光触发晶闸管 碳化硅 发展 挑战 
一种新型二阶双频带通频率选择表面的设计
《科技创新与应用》2020年第32期32-33,36,共3页高春燕 蒲红斌 
文章通过层叠三层周期性金属阵列,提出了一种具有高选择性的二阶双频带通频率选择表面结构。根据该FSS的结构建立了等效电路模型,该结构可以提供多个传输极点和传输零点。这些传输零点导致每个通带两侧都有较宽的带外抑制和快速的陡降...
关键词：频率选择表面 二阶 双频 
偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究
《人工晶体学报》2020年第11期2206-2210,共5页胡继超 王曦 贾仁需 蒲红斌 陈治明 
国家自然科学基金(61904146);陕西省教育厅自然科学专项项目(18JK0585);陕西省重点研发计划(2018ZDXM-GY-003,2018ZDCXL-GY-01-01-01)。
利用水平热壁CVD方法,基于SiH4-C3H8-H2生长系统在n型4H-SiC偏4°衬底上进行同质外延生长。通过Nomarski光学显微镜、激光共聚焦显微镜和拉曼散射光谱(Raman),对外延层中的新形貌三角形缺陷——顶端有倒金字塔结构的三角形缺陷(IPRTD)...
关键词：4H-SIC 同质外延生长 三角形缺陷 形成机理 
SiC光触发晶闸管的研制与特性分析
《电力电子技术》2020年第10期36-38,共3页王曦 蒲红斌 陈春兰 陈治明 
国家自然科学基金(51677149);陕西省自然科学基础研究计划(2020JQ-636)。
碳化硅(SiC)光触发晶闸管(LTT)在工业和国防领域均具有重要的应用价值。在此通过理论设计与实验研究相结合的方法,对4H-SiC LTT进行了研制。所研制SiC LTT为p型长基区结构,长基区厚度为80μm,杂质浓度为2×10^(14)cm^(-3)。为改善阳极...
关键词：晶闸管 碳化硅 光触发 
表面缺陷对SiC JBS二极管特性影响研究
《电力电子技术》2020年第10期72-74,共3页胡继超 蒲红斌 胡彦飞 陈治明 
国家自然科学基金(61904146);陕西省教育厅自然科学专项(18JK0585)。
由于碳化硅(SiC)外延材料中缺陷的影响,目前SiC结势垒肖特基(JBS)二极管实际性能仍低于理论预期。通过4H-SiC外延材料生长和表征、4H-SiC JBS二极管制作和器件特性测试分析,研究了表面缺陷对4H-SiC JBS二极管反向特性的影响。结果表明,...
关键词：结势垒肖特基二极管 碳化硅 表面缺陷 
高品质6英寸N型4H-SiC单晶生长研究被引量：3
《人工晶体学报》2020年第4期570-575,共6页刘兵 蒲红斌 赵然 赵子强 鲍慧强 李龙远 李晋 刘素娟 
陕西省重点研发计划项目(2018ZDXM-GY-003)。
PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素。采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以及线圈位置对6英寸SiC晶体生长温场的影响,优化出了适合高品质6英寸SiC晶体生长温场分布,在此条件下生长无裂纹的6英寸N型4H-SiC晶体...
关键词：PVT法 6英寸N型4H-SiC 数值模拟 温场分布 晶体品质 
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