陈治明

作品数：132被引量：287H指数：8
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供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院电子工程系更多>>
发文主题：碳化硅SICDC-DC变换器变换器开关电容更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《电气传动自动化》《微处理机》《微电子学》《电力电子》更多>>
所获基金：国家自然科学基金陕西省重大科技创新专项计划项目国家教育部博士点基金中国博士后科学基金更多>>
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偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究
《人工晶体学报》2020年第11期2206-2210,共5页胡继超 王曦 贾仁需 蒲红斌 陈治明 
国家自然科学基金(61904146);陕西省教育厅自然科学专项项目(18JK0585);陕西省重点研发计划(2018ZDXM-GY-003,2018ZDCXL-GY-01-01-01)。
利用水平热壁CVD方法,基于SiH4-C3H8-H2生长系统在n型4H-SiC偏4°衬底上进行同质外延生长。通过Nomarski光学显微镜、激光共聚焦显微镜和拉曼散射光谱(Raman),对外延层中的新形貌三角形缺陷——顶端有倒金字塔结构的三角形缺陷(IPRTD)...
关键词：4H-SIC 同质外延生长 三角形缺陷 形成机理 
表面缺陷对SiC JBS二极管特性影响研究
《电力电子技术》2020年第10期72-74,共3页胡继超 蒲红斌 胡彦飞 陈治明 
国家自然科学基金(61904146);陕西省教育厅自然科学专项(18JK0585)。
由于碳化硅(SiC)外延材料中缺陷的影响,目前SiC结势垒肖特基(JBS)二极管实际性能仍低于理论预期。通过4H-SiC外延材料生长和表征、4H-SiC JBS二极管制作和器件特性测试分析,研究了表面缺陷对4H-SiC JBS二极管反向特性的影响。结果表明,...
关键词：结势垒肖特基二极管 碳化硅 表面缺陷 
SiC光触发晶闸管的研制与特性分析
《电力电子技术》2020年第10期36-38,共3页王曦 蒲红斌 陈春兰 陈治明 
国家自然科学基金(51677149);陕西省自然科学基础研究计划(2020JQ-636)。
碳化硅(SiC)光触发晶闸管(LTT)在工业和国防领域均具有重要的应用价值。在此通过理论设计与实验研究相结合的方法,对4H-SiC LTT进行了研制。所研制SiC LTT为p型长基区结构,长基区厚度为80μm,杂质浓度为2×10^(14)cm^(-3)。为改善阳极...
关键词：晶闸管 碳化硅 光触发 
梯度掺杂对SiCLTT短基区少子输运增强研究被引量：2
《电力电子技术》2017年第8期24-25,29,共3页王曦 蒲红斌 刘青 陈治明 
国家自然科学基金(51677149)~~
通过理论分析与数值仿真的方法对具有梯度掺杂短基区的10kV 4H-SiC光触发晶闸管(LTT)进行了研究。短基区的施主杂质呈梯度分布,未耗尽时会在纵向产生感生电场,使短基区的少子输运从单一的扩散方式改善为扩散与漂移相结合的方式,促进短...
关键词：光触发晶闸管 碳化硅 梯度掺杂 
650V/50A 4H-SiC JBS二极管的设计与验证被引量：1
《电力电子技术》2016年第8期101-102,108,共3页马骏 王曦 蒲红斌 陈治明 
陕西省科技统筹创新工程计划项目(2013KTCQ01-09)~~
对肖特基区宽度不同的4H-碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管进行了仿真与实验研究。根据研究结果设计了一款兼具高功率处理能力与超低漏电流的4H-SiC JBS二极管并进行实验验证。实验结果显示所设计器件通态电阻为36 mΩ,反向耐压650 ...
关键词：二极管 结势垒肖特基 大功率 
调制掺杂结构Si/SiC异质结的光电特性模拟
《微纳电子技术》2016年第1期18-24,共7页何映锋 陈治明 
国家自然科学基金资助项目(51177134)
为了进一步改善Si/SiC异质结光电二极管的性能,采用类似掺杂超晶格的结构,将Si层由多个具有量子尺寸的p型薄层和n型薄层周期性地叠合而成,在Si层中形成一系列不同层的电子势阱和空穴势阱,以延迟光生载流子的复合,延长光生载流子的复合寿...
关键词：Si/SiC异质结 调制掺杂结构 光电效应 光电流密度 Silvaco软件 
6H-SiC衬底上多晶Si薄膜热壁CVD间隔生长与结构表征
《人工晶体学报》2014年第8期1965-1969,共5页高战军 陈治明 李连碧 赵萌 黄磊 
国家自然科学基金(51177134)
在热壁LPCVD系统中利用间隔生长法在6H-SiC衬底上淀积Si薄膜,采用XRD、SEM、激光共聚焦显微镜和拉曼光谱对Si薄膜的表面形貌和结构进行表征。结果表明:相比于连续生长法,用间隔法制备Si薄膜的速率有所降低,但表面粗糙度有所减小,同时晶...
关键词：热壁LPCVD 多晶Si薄膜 择优取向 表面粗糙度 
SiC籽晶背面镀膜对生长晶体品质的影响被引量：1
《人工晶体学报》2013年第10期2024-2027,共4页刘兵 陈治明 封先锋 林生晃 王风府 
陕西省教育厅服务地方专项计划(2012JC20);陕西省工业攻关项目(2012KD6-21)
在SiC单晶生长过程中,与籽晶背面升华有关的热分解腔等缺陷的形成严重影响了生长晶体的品质。本文介绍一种可以有效防止籽晶背面升华的预处理方法,即在粘贴籽晶之前,用直流反应溅射法在籽晶背面镀一层均匀、致密的耐高温薄膜TiN。实验...
关键词：SiC籽晶 升华 热分解腔 微管 
基于InP衬底的晶格失配In_(0.68)Ga_(0.32)As的MOCVD生长及其特性研究被引量：1
《红外与毫米波学报》2013年第2期118-121,共4页朱亚旗 陈治明 陆书龙 季莲 赵勇明 谭明 
国家自然科学基金(61176128);苏州市工业支撑计划(Y1SAQ31001)~~
采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μm In0.68Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力,在InP衬底上得到了与In0.68Ga0.32As晶格匹配...
关键词：IN0 68Ga0 32As 应力释放 InAsxP1-x 
直接变频接收机直流失调消除技术
《微电子学》2012年第3期347-351,共5页雷倩倩 陈治明 石寅 
基于传统的负反馈结构,提出一种改进的直流失调消除技术。分别采用密勒效应和线性区工作的MOS管,实现等效大电容和大电阻。采用此方法的失调消除技术易于实现片内集成。同时,使用补偿电路减小直流失调消除环路中高通截止频率随温度和工...
关键词：直接变频接收机 直流失调 可变增益放大器 
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