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作品数：55被引量：56H指数：3
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In0.17Al0.83N/GaN IMPATT二极管的温度特性
《半导体技术》2020年第12期936-942,共7页李秀圣 曹连振 
国家自然科学基金资助项目(11404246);山东省重点研发计划资助项目(2019GGX101073)。
为研究碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管的温度特性,采用Sentaurus软件设计了晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN异质结IMPATT二极管二维结构,利用漂移-扩散模型研究了温度对二极管直流及高频特性的影响,并与GaN同质结IMPATT二极管的温度...
关键词：In0.17Al0.83N/GaN 二极管 异质结 碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT) 温度特性 
Gas Sensitivity of In0.3Ga0.7As Surface QDs Coupled to Multilayer Buried QDs被引量：1
《Photonic Sensors》2020年第3期283-290,共8页Guodong WANG Zengguang LIU Junjun WANG Yingli YANG Xiaolian LIU Xinran ZHANG Liwei ZHANG Guohua CAO 
The authors gratefully acknowledge the supports from the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.U1804165 and 61774053);the Project of Henan Provincial Department of Science and Technology(Grant No.182102410047);the Program of Henan Polytechnic University(Grant Nos.NSFRF140116 and B2014-020);the Program of Henan Province Office of Education(Grant No.19B510004).
A detailed analysis of the electrical response of In0.3Ga0.7As surface quantum dots(SQDs)coupled to 5-layer buried quantum dots(BQDs)is carried out as a function of ethanol and acetone concentration while temperature-...
关键词：Surface quantum dots INGAAS gas sensitivity 
X射线光电子能谱法研究In0.53Ga0.47As基Er2O3薄膜的能带排列
《微纳电子技术》2019年第7期575-579,共5页潘小杰 徐海涛 姚博 朱燕艳 曾丽雅 方泽波 
国家自然科学基金资助项目(61504082,51672172);上海市自然科学基金资助项目(15ZR1418700);浙江省自然科学基金资助项目(LQ16F040001,LY15A040001);绍兴市科技规划资助项目(2017B70063,2015B70009)
采用分子束外延(MBE)法在In0.53Ga0.47As衬底上沉积了金属Er薄膜,后经氧气退火得到Er2O3薄膜。台阶仪测得该Er2O3薄膜厚约10 nm。X射线光电子能谱(XPS)显示,采用此方法得到的Er2O3薄膜符合化学计量比。原子力显微镜测试结果显示,该薄膜...
关键词：Er2O3/In0.53Ga0.47As异质结 高K栅介质 分子束外延(MBE) X射线光电子能谱(XPS) 能带偏移 
数字递变异变赝衬底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光电探测器的性能改进（英文）被引量：1
《红外与毫米波学报》2019年第3期275-280,共6页师艳辉 杨楠楠 马英杰 顾溢 陈星佑 龚谦 张永刚 
Supported by the National Key Research and Development Program of China(2017YFB0405300,2016YFB0402400);National Natural Science Foundation of China(61605232,61675225,61775228);the Shanghai Rising-Star Program(17QA1404900)
研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 数字递变异变缓冲层结构( DGMB)的总周期数对2. 6 μm 延伸波长In0. 83Ga0. 17As 光电二极管性能的影响.实验表明,在保持总缓冲层厚度不变的情况下,通过将在InP 衬底上生长的In0. 83Al0. 17As...
关键词：数字递变 异变 缓冲 INGAAS 光电探测器 
Effect of 1070 nm laser intensity on parameters of In_(0.3)Ga_(0.7)As solar cell被引量：1
《Chinese Optics Letters》2019年第3期66-70,共5页Guangji Li Hongchao Zhang Chengmin Wang Yunxiang Pan Jian Lu Dayong Zhou 
supported by the National Defense Basic Scientific Research Program of China(No.JCKY2016606C002);the Shanghai Aerospace Science and Technology Innovation Fund(No.SAST20161113);the National Natural Science Foundation of China(No.11774176);the Fundamental Research Funds for the Central Universities(No.30918011335)
The photoelectric properties of In_(0.3)Ga_(0.7) As solar cells applied in laser wireless power transmission(LWPT) were studied when they were irradiated by 1070 nm continuous wave(CW) laser of various intensities. Th...
关键词：1070 NM laser INTENSITY PARAMETERS In0.3Ga0.7As SOLAR cell 
晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结电容散射机制被引量：1
《物理学报》2018年第24期206-210,共5页任舰 苏丽娜 李文佳 
江苏省高校自然科学研究项目(批准号:17KJB510007;17KJB535001)资助的课题~~
制备了晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结圆形平面结构肖特基二极管,通过测试和拟合器件的电容-频率曲线,研究了电容的频率散射机制.结果表明:在频率高于200 kHz后,积累区电容随频率出现增加现象,而传统的电容模型无法解释该现象....
关键词：晶格匹配 In0.17Al0.83N/GaN异质结 电容频率散射 
高场应力下晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN HEMT退化研究
《电子元件与材料》2018年第12期36-39,共4页任舰 苏丽娜 李文佳 
江苏省高等学校自然科学研究面上项目(17KJB510007;17KJB535001;18KJB510005)
制备了晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),并通过施加一个持续的应力,研究了器件在不同源漏应力下的退化机制。结果表明:应力后器件主要参数如饱和漏电流、跨导峰值和阈值电压等均发生明显的退化,并且随着源漏...
关键词：晶格匹配 In0.17Al0.83N/GaN HEMT 势垒层陷阱 退化 应力 
Strong Influence of Temperature and Vacuum on the Photoluminescence of In0.3Ga0.7As Buried and Surface Quantum Dots被引量：1
《Photonic Sensors》2018年第3期213-219,共7页Guodong WANG Huiqiang JI Junling SHEN Yonghao XU Xiaolian LIU Ziyi FU 
The authors gratefully acknowledge the supports from the National Natural Science Foundation of China （Grant No. U1304608）, the Project of Henan Provincial Department of Science and Technology （Grant No. 182102410047）, and the Program of Henan Polytechnic University （Grant No. T2015-3）.
The strong influences of temperature and vacuum on the optical properties of In0.3Ga0.7As surface quantum dots （SQDs） are systematically investigated by photoluminescence （PL） measurements. For comparison, optical...
关键词：Surface quantum dots PHOTOLUMINESCENCE TEMPERATURE VACUUM InGaAs 
粗糙GaAs(001)表面对In_(0.15)Ga_(0.85)As薄膜生长的影响被引量：1
《电子科技》2018年第4期1-4,共4页杨晓珊 郭祥 罗子江 王一 杨晨 许筱晓 张之桓 丁召 
国家自然科学基金(61564002;11664005;61604046);贵州省科学技术基金(黔科合J字[2014]2046;黔科合LH字[2016]7436;黔科合基础[2017]1055)
通过改变衬底降温速率的方法利用分子束外延(MBE)和扫描隧道显微镜(STM)联合系统制备了不同形貌的Ga As(001)表面。采用SPIP软件测量统计和Bauer定则理论分析,研究了粗糙Ga As(001)表面对In_(0.15)Ga_(0.85)As薄膜生长的影响。结果表明...
关键词：MBE STM GAAS 粗糙表面 In0.15 Ga0.85As薄膜 表面能 
Largely reduced cross-plane thermal conductivity of nanoporous In0.1Ga0.9N thin films directly grown by metal organic chemical vapor deposition
《Frontiers in Energy》2018年第1期127-136,共10页Dongchao XU Quan WANG Xuewang WU Jie ZHU Hongbo ZHAO Bo XIAO Xiaojia WANG Xiaoliang WANG Qing HAO 
In recent year, nanoporous Si thin films have been widely studied for their potential applications in thermoelectrics, in which high thermoelectric performance can be obtained by combining both the dramatically reduce...
关键词：nanoporous film THERMOELECTRICS phonon mean free path diffusive scattering 
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