云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 高K栅介质

高K栅介质: 作品数：94被引量：99H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：徐秋霞徐静平许高博方泽波陈大鹏更多>>; 相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司华中科技大学中芯国际集成电路制造(北京)有限公司中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划湖北省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>

高k栅介质的TDDB效应: 《安徽大学学报（自然科学版）》2024年第5期52-56,共5页任康贡佳伟丁俊贤王磊李广; 安徽省自然科学基金资助项目(1708085ME123,2208085J16);安徽大学大学生创新创业训练计划项目(X202110357011)。; 半导体工艺进入45 nm以后,使用高k栅介质HfO_(2)代替传统的SiO_(2),解决了因栅氧化层变薄而引起的栅极漏电流过大的问题.经时击穿(time dependent dielectric breakdown,简称TDDB)效应的寿命时间是衡量栅氧化层质量的重要因素,然而高k...; 关键词：高k 栅介质经时击穿效应栅氧化层 HfO_(2)

超薄锡掺杂氧化镓结合高k栅介质:硅基兼容的4英寸功率场效应晶体管阵列: 《Science Bulletin》2024年第12期1848-1851,共4页刘子淳李佳诚杨惠霞杨涵黄元张逸韵黎沛涛马远骁王业亮; supported by the National Key R&D Program of China(2023YFB3611700);the National Natural Science Foundation of China(92163206,62101044,12321004)。; Gallium oxide(Ga_(2)O_(3)),a novel ultrawide-bandgap(UWBG)semiconductor,has attracted considerable attention owing to its large bandgap of up to 4.9 eV,a high breakdown electric field of 8 MV/cm,and a high Baliga's fi...; 关键词：功率场效应晶体管高K栅介质氧化镓

高k栅介质增强型β-Ga_(2)O_(3) VDMOS器件的单粒子栅穿效应研究被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2024年第1期6-12,共7页王韬张黎莉段鑫沛殷亚楠周昕杰; 以增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件作为研究对象,利用TCAD选择不同的栅介质材料作为研究变量,观察不同器件的单粒子栅穿效应敏感性。高k介质材料Al_(2)O_(3)和HfO_(2)栅介质器件在源漏电压200 V、栅源电压-10 V的偏置条件下能有效抵御线...; 关键词：氧化镓单粒子栅穿 TCAD仿真 VDMOS器件

利用^(18)O追踪研究退火对InAs/Al_(2)O_(3)堆栈中界面元素扩散行为的影响: 《真空电子技术》2023年第6期57-63,共7页井美艺冯泽刘澳郑旭刘晖王维华卢峰程雅慧罗锋孔亚萍李治云黄荣董红; 国家重点研发计划项目(2018YFB2200500,2018YFB2200504);国家自然科学基金项目(22090010,22090011)。; 研究了Al_(2)O_(3)/InAs堆栈在退火前后表面界面的物理和化学,通过X射线光电子能谱仪发现了扩散的In原子总是以氧化态的形式存在,通过湿法去除InAs衬底的氧化物后,利用18 O的水蒸汽预先氧化,再利用飞行时间二次离子质谱分析追踪18 O原子...; 关键词：高K栅介质 Ⅲ-Ⅴ族半导体原子层沉积元素扩散沉积后退火

基于Al_(2)O_(3)/Chitosan叠层栅介质的双栅IGZO神经形态晶体管: 《无机材料学报》2023年第4期445-451,共7页王靖瑜万昌锦万青; 国家重点研发计划(2019YFB2205400);国家自然科学基金(62074075,61834001)。; 基于铟镓锌氧(IGZO)的双电层(EDL)晶体管以低加工温度、良好的一致性以及丰富的离子动力学等优势,在神经形态感知和计算系统中具有极大的潜在应用前景。然而,双电层IGZO晶体管的高漏电(>10 nA)导致的高能耗以及异常电流尖峰/毛刺一直是...; 关键词：神经形态器件 IGZO晶体管人造突触叠层栅介质高K栅介质突触可塑性

电离总剂量效应对HfO_(2)栅介质经时击穿特性影响: 《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第9期903-907,共5页魏莹崔江维蒲晓娟崔旭梁晓雯王嘉郭旗; 国家自然科学基金资助项目(11805268);中国科学院“西部青年学者”基金资助项目(2021-XBQNXZ-021);中国科学院青年创新促进会基金资助项目(2018473)。; 针对纳米金属-氧化物-半导体(MOS)器件中采用的高介电常数HfO_(2)栅介质,开展电离总剂量效应对栅介质经时击穿特性影响的研究。以HfO_(2)栅介质MOS电容为研究对象,进行不同栅极偏置条件下^(60)Co-γ射线的电离总剂量辐照试验,对比辐照前...; 关键词：电离总剂量效应高K栅介质经时击穿效应辐射陷阱电荷

辐照对MOSFETs栅介质阈值电压漂移的影响研究: 《北京信息科技大学学报（自然科学版）》2022年第1期40-44,共5页杨燚赵凯赵钰迪董俊辰; 北京市教委科研计划资助项目(KM202111232016);北京信息科技大学“勤信人才”培育计划资助项目(QXTCP C202109);北京信息科技大学校科研基金项目(2021XJJ20)。; 研究了铪基金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistors, MOSFETs)栅介质中陷阱诱导的退化和总剂量电离辐照效应。利用动力学蒙特卡洛模拟方法,研究了MOSFETs栅介质中本征缺陷的生长/复合、辐...; 关键词：高K栅介质金属-氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移总剂量辐照效应动力学蒙特卡洛

不同退火氛围对TiN/HfO_(2)/SiO_(2)/Si结构电荷分布的影响: 《半导体技术》2021年第1期64-69,共6页徐永贵韩锴高建峰; 国家自然科学基金资助项目(61674003);国家科技重大专项资助项目(2017ZX02301007-001)。; 热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段。系统分析了两种不同的退火条件(氨气氛围和氧气氛围)对TiN/HfO_(2)/SiO_(2)/Si结构中电荷分布的影响,给出了不同退火条件下SiO_(2)/Si和HfO_(2)/SiO_(2)界面的界面电荷密度...; 关键词：高K栅介质金属栅退火电荷分布偶极子

基于AlON的4H-SiC MOS高k栅介质电性能: 《微纳电子技术》2020年第9期714-719,共6页夏经华桑玲查祎英杨霏吴军民王世海万彩萍许恒宇; 国家电网有限公司总部科技项目(5455GB180003)。; 提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一。基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-SiC上沉积了Al基高介电常数(k)栅介质材料AlON。在不同沉积后退火(PDA)温度下制备了AlON/4H-SiC MOS电容...; 关键词：4H-SIC 金属氧化物半导体(MOS)电容原子层沉积(ALD) ALON 界面态介质零时击穿(TZDB) 高k栅介质材料

高k HfLaO栅介质MoS2晶体管的性能研究被引量：1: 《微电子学》2020年第4期564-568,共5页邹霁玥汪礼胜; 国家自然科学基金资助项目(51702245)。; 比较研究了HfO2与HfLaO栅介质多层MoS2场效应晶体管。实验结果表明,与HfO2栅介质MoS2晶体管相比,HfLaO栅介质MoS2晶体管表现出更优的电性能。电流开关比高达1×10^8,亚阈斜率低至76 mV/dec,界面态密度低至1.1×10^12 cm^-2·eV^-1,载流...; 关键词：多层二硫化钼氧化镧铪场效应晶体管高K栅介质

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