VDMOS器件

作品数：48被引量：69H指数：4
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P沟道VDMOS器件抗辐射加固技术分析
《电子元器件与信息技术》2024年第8期15-17,共3页王斌 李孝权 肖添 
在辐射条件下,P沟道VDMOS器件中的电子在辐射过程中会发生辐射跃迁,生成活性粒子(如质子、中子等)。这些活性粒子会引起P沟道VDMOS器件的热效应与辐射损伤,从而影响器件的性能。热效应包含热膨胀、热应力等:辐射损伤包括辐射引起的电学...
关键词：功率器件 抗辐射加固 局部厚场氧化层 
高k栅介质增强型β-Ga_(2)O_(3) VDMOS器件的单粒子栅穿效应研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2024年第1期6-12,共7页王韬 张黎莉 段鑫沛 殷亚楠 周昕杰 
以增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件作为研究对象,利用TCAD选择不同的栅介质材料作为研究变量,观察不同器件的单粒子栅穿效应敏感性。高k介质材料Al_(2)O_(3)和HfO_(2)栅介质器件在源漏电压200 V、栅源电压-10 V的偏置条件下能有效抵御线...
关键词：氧化镓 单粒子栅穿 TCAD仿真 VDMOS器件 
一款600V高压VDMOS器件的设计被引量：1
《机电元件》2023年第2期25-27,共3页单长玲 习毓 丁文华 
本文基于高压VDMOS器件的导通电阻模型,探讨了导通电阻影响因素;在保证器件击穿电压的同时,优化了外延层电阻;采用JFET注入工艺,减小JFET电阻;同时结合器件结构、元胞密度和芯片面积来降低器件的导通电阻。通过工艺仿真和二维数值仿真...
关键词：导通电阻 工艺仿真 二维数值模拟 JFET 漂移区 
VDMOS器件制造中的湿法工艺与设备研究被引量：4
《电子工业专用设备》2021年第6期16-20,共5页宋文超 
简述了VDMOS器件制造工艺流程,介绍了其中常用的RCA清洗、SPM去胶、BOE腐蚀、Al腐蚀等湿法工艺,并对相关湿法设备的配置以及工作原理进行了介绍。
关键词：VDMOS器件 湿法设备 RCA清洗 SPM去胶 BOE腐蚀 铝腐蚀 
一种900V大功率MOSFET的工艺仿真设计被引量：2
《微处理机》2021年第2期14-17,共4页刘好龙 周博 
高压功率MOSFET器件由于其在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点应用十分广泛,是武器装备体系中不可或缺的关键基础元器件。以一款900 V大功率MOSFET器件为例,为分析其VDMOS基本结构、工作原理和主要参数,利用工艺仿真软件Silvac...
关键词：高压MOSFET器件 VDMOS器件 半导体工艺 Silvaco仿真 Synopsys仿真 
宇航VDMOS器件单粒子辐射加固技术综述
《微电子学》2020年第3期379-383,共5页唐昭焕 谭开洲 胡刚毅 杨发顺 马奎 
空间环境材料行为与评价技术国家级重点实验室基金资助项目(61429100306);半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心基金资助项目(010201)。
宇航用功率VDMOS器件是航天器电源系统中实现功率转换的核心元器件之一。针对航天器对宇航用功率VDMOS器件的发展需求,在总结国内外宇航用功率VDMOS器件产品及技术发展现状的基础上,对比分析了宇航用功率VDMOS器件在技术水平、系列化程...
关键词：宇航VDMOS 单粒子辐射 辐射加固技术 线性能量传输 
一种提高功率MOSFET击穿电压的终端结构
《微处理机》2018年第3期20-23,共4页林洪春 薛斌 
MOSFET器件具有驱动电路简单、开关速度快、无二次击穿等固有优点,广泛应用于军工产品、消费类电子、工业产品、机电设备、智能手机及其他便携式数码电子产品等领域。近年来随着军工设备更新换代、民品产业绿色节能等需要,MOSFET器件的...
关键词：MOSFET器件 VDMOS器件 终端结构 击穿电压 
P沟道VDMOS器件抗辐射加固技术研究被引量：2
《微电子学》2017年第4期581-585,共5页冯建 吴建 吴雪 谭开洲 王斌 杨永晖 
针对功率器件的抗辐射加固技术,从入射粒子对半导体材料的辐射损伤机理出发,设计了一种-150 V抗辐射P沟道VDMOS器件。该器件采取的抗辐射加固措施有:在颈区的上方形成局部厚场氧化层结构;在N体区进行高剂量离子注入掺杂;在850℃低温条...
关键词：功率器件 抗辐射加固 局部厚场氧化层 N体区 栅氧化层 
半超结VDMOS器件设计与应用
《电子世界》2016年第20期184-184,186,共2页孙晓儒 
本文主要针对半超结VDMOS器件的设计和应用进行简要讨论分析,并通过超结器件的工作原理缺点以及使用的改进方法,对其进行理论性质方面的应用探究。而在这种新型器件的使用中,结构特征与工作原理,就代表了全部的结构应用区间。对于新型...
关键词：半超结 VDMOS器件 设计 应用 
一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构
《黑龙江科技信息》2016年第22期204-204,共1页刘文辉 
针对N+掺杂区设计了一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构,新结构中源极N+掺杂区为梯形结构。该结构减小了元胞的尺寸,提高了单位面积的元胞数量,从而提高了单位面积的电流密度,减小了VDMOS器件的封装尺寸。
关键词：VDMOS器件 元胞尺寸 导通电阻 
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