吴建

作品数：2被引量：4H指数：2
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发文主题：多晶硅氧化层牺牲层微电子机械系统淀积更多>>
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P沟道VDMOS器件抗辐射加固技术研究被引量：2
《微电子学》2017年第4期581-585,共5页冯建 吴建 吴雪 谭开洲 王斌 杨永晖 
针对功率器件的抗辐射加固技术,从入射粒子对半导体材料的辐射损伤机理出发,设计了一种-150 V抗辐射P沟道VDMOS器件。该器件采取的抗辐射加固措施有:在颈区的上方形成局部厚场氧化层结构;在N体区进行高剂量离子注入掺杂;在850℃低温条...
关键词：功率器件 抗辐射加固 局部厚场氧化层 N体区 栅氧化层 
SDB/SOI硅材料顶层硅膜均匀性控制研究被引量：2
《微电子学》2005年第6期594-596,共3页冯建 毛儒焱 吴建 王大平 
介绍了SDB/SOI(Silicon D irect Bonging/Silicon On Insulator)硅材料顶层硅膜均匀性的控制方法。顶层硅膜均匀性控制不好,会直接影响到IC或者其他元器件参数的一致性,造成器件成品率低,材料浪费大。因此,在制备SOI材料时,必须严格控...
关键词：硅直接键合 SOI 减薄 抛光 顶层硅膜 均匀性 
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