杨永晖

作品数：16被引量：35H指数：4
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供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题：深槽半导体介质层多晶硅栅功率VDMOS器件更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>
发文期刊：《原子能科学技术》《微电子学》《核技术》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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一种低失调CMOS轨到轨运算放大器研究
《微电子学》2023年第3期396-401,共6页杨永晖 张金龙 张广胜 黄东 朱坤峰 
基于CMOS工艺设计了一款轨到轨运算放大器,整体电路包括偏置电路、输入级、输出级以及ESD保护电路。电路中的输入级使用了一种全新的架构,通过一对耗尽型NMOS管作为输入管,实现轨到轨输入,同时在输入级采用了共源共栅结构,能够提供较高...
关键词：轨到轨 运算放大器 CMOS:单对输入级 
基于PN结级联光源的全硅光电生物传感器被引量：1
《光电技术应用》2020年第6期43-49,共7页杨永晖 艾康 朱坤峰 赵建明 徐开凯 
基于硅基光源且与CMOS工艺兼容的全硅光电生物传感器,其光源低发光效率导致检测低灵敏度,尚不能大规模应用。对此,文中研究了多晶硅PN结级联光源及新型全硅光电生物传感器,包括PN结级联的多晶硅光源的发光机制、波导传输机理、波导生物...
关键词：全硅光电生物传感器 CMOS工艺 发光效率 光源-波导耦合 PN结级联光源 
P沟道VDMOS器件抗辐射加固技术研究被引量：2
《微电子学》2017年第4期581-585,共5页冯建 吴建 吴雪 谭开洲 王斌 杨永晖 
针对功率器件的抗辐射加固技术,从入射粒子对半导体材料的辐射损伤机理出发,设计了一种-150 V抗辐射P沟道VDMOS器件。该器件采取的抗辐射加固措施有:在颈区的上方形成局部厚场氧化层结构;在N体区进行高剂量离子注入掺杂;在850℃低温条...
关键词：功率器件 抗辐射加固 局部厚场氧化层 N体区 栅氧化层 
亚微米间距PECVD填隙工艺研究被引量：1
《微纳电子技术》2016年第1期60-63,共4页王学毅 王飞 冉明 刘嵘侃 杨永晖 
将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD)SiO_2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE)SiO_2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作。此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀积工艺填充亚微米金...
关键词：等离子增强化学气相淀积(PECVD) 二氧化硅(SiO2) 反应离子刻蚀(RIE) 三步填充法 亚微米间隙 金属间介质(IMD) 空洞 
基于多晶外基区及SIC技术的高速NPN管设计
《微电子学》2011年第2期285-288,共4页唐昭焕 甘明富 钟怡 谭开洲 刘勇 杨永晖 胡刚毅 徐学良 李荣强 
国家重点基础研究发展计划基金资助项目(Y61398);微电子支撑技术基金资助项目(62501080110)
提出了一种先进的双多晶硅非自对准NPN管的器件结构,并实际用于一种高性能NPN管的研制。该器件结构主要通过多晶外基区减小基区电阻和基区结面积,以及使用SIC技术减小集电极电阻的方式,极大地提升了NPN管的特征频率。通过实际工艺流片验...
关键词：半导体器件 NPN管 多晶外基区 集电极选择性注入 
不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响被引量：3
《核技术》2011年第3期205-208,共4页席善斌 王志宽 陆妩 王义元 许发月 周东 李明 王飞 杨永晖 
国家自然科学基金项目(No10975182)资助
对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同偏置条件下进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究。结果显示:基区掺杂浓度不同,NPN双极晶体管辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤要明显大于高基区掺杂浓度的...
关键词：NPN双极晶体管 ^6^0Co-y辐照 基区掺杂浓度 辐照偏置 
不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应被引量：8
《原子能科学技术》2011年第2期217-222,共6页费武雄 陆妩 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 王志宽 杨永晖 李茂顺 兰博 崔江维 赵云 
模拟集成电路国家重点实验室资助项目(9140C090403070C09)
对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显...
关键词：NPN双极晶体管 60Coγ辐照 偏置 低剂量率辐照损伤增强 
变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用被引量：8
《原子能科学技术》2010年第12期1493-1497,共5页费武雄 陆妩 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 李茂顺 兰博 崔江维 赵云 王志宽 杨永晖 
对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地...
关键词：NPN双极晶体管 ~60Coγ辐照 低剂量率辐照损伤增强 变温辐照 加速评估方法 
一种实用的高压BiCMOS关键工艺技术研究被引量：1
《微电子学》2010年第5期758-761,共4页唐昭焕 刘勇 王志宽 谭开洲 杨永晖 胡永贵 
提出了一种实用的高压BiCMOS工艺。该工艺集成了高性能耗尽型NJFET、NPN、VPNP、高压NMOS、高压PMOS、NMOS、PMOS、齐纳二极管,以及铬硅电阻、磷注入电阻等有源和无源器件。NJFET的夹断电压为-1.5 V,击穿电压为17 V;高压MOS管的击穿电压...
关键词：线性兼容CMOS工艺 BICMOS工艺 NJFET VPNP 低压差线性稳压器 
100V N沟道VDMOS寄生电容研究被引量：1
《微电子学》2010年第3期457-460,共4页唐昭焕 刘勇 胡永贵 羊庆玲 杨永晖 谭开洲 
从结构上对一种N沟道VDMOS器件的寄生电容进行研究,确定了栅氧化层厚度和多晶线宽是影响VDMOS器件寄生电容的主要因素;使用TCAD工具,对栅氧化层厚度和多晶线宽的变化对各个寄生电容的影响进行半定量分析,得到栅氧化层厚度每变化1 nm,关...
关键词：VDMOS 寄生电容 关断时间 栅氧 多晶线宽 
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