刘嵘侃

作品数：14被引量：30H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题：SIGE_HBT半导体器件烘培自对准封装更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《西安电子科技大学学报》《半导体光电》《中国科学技术大学学报》更多>>
所获基金：国防科技技术预先研究基金国家部委预研基金模拟集成电路重点实验室基金更多>>
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低噪声CMOS图像传感器技术研究综述被引量：13
《半导体光电》2020年第6期768-773,共6页刘嵘侃 邢德智 唐昭焕 徐炀 
文章总结了低噪声CMOS图像传感器代表性关键技术的最新研究进展。从CMOS图像传感器架构及各模块设计的角度,介绍了有源像素结构和图像传感器架构,分析了广泛采用的像素内源跟随CMOS图像传感器读出电路及其噪声等效模型,重点介绍了低噪声...
关键词：CMOS图像传感器 低噪声 相关多采样 模拟集成电路 
亚微米间距PECVD填隙工艺研究被引量：1
《微纳电子技术》2016年第1期60-63,共4页王学毅 王飞 冉明 刘嵘侃 杨永晖 
将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD)SiO_2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE)SiO_2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作。此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀积工艺填充亚微米金...
关键词：等离子增强化学气相淀积(PECVD) 二氧化硅(SiO2) 反应离子刻蚀(RIE) 三步填充法 亚微米间隙 金属间介质(IMD) 空洞 
一种新颖的600V浮空埋层结构被引量：1
《微电子学》2014年第3期377-379,共3页刘嵘侃 谭开洲 唐昭焕 刘勇 冉明 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(YZ1006)
提出了一种新颖的低导通电阻600V器件结构。该结构采用了掺杂深槽和分裂浮空埋层结构,可以克服普通分裂浮空埋层结构划片道边缘漏电大的问题,同时仍然保持了普通分裂浮空埋层结构具有的较低导通电阻的优势。数值仿真表明,采用这种结构的...
关键词：比导通电阻 分裂浮空埋层 耐压 超结 
一种提高ESD性能的高压SBD器件结构研究被引量：1
《微电子学》2012年第2期273-276,共4页钟怡 许国磊 欧宏旗 义岚 刘嵘侃 
提出了一种新型SBD器件结构,并应用于高压SBD产品的研制。该结构通过在肖特基势垒区的硅表面增加一层表面缓冲掺杂层(Improved Surface Buffer Dope),将高压SBD的击穿点从常规结构的PN结保护环区域转移到平坦的肖特基势垒区,从根本上提...
关键词：肖基势垒二极管 静电放电 可靠性 
PLM在模拟集成电路研制管理中的应用
《微电子学》2008年第3期334-337,共4页陈洪波 蒋和全 刘嵘侃 
模拟集成电路的研制过程通常是以项目为主线的多点和多系统串行或并行流程,运用产品生命周期管理(PLM)系统,可以对整个研制信息链进行集成管理。国内PLM系统的应用研究起步较晚,在集成电路制造行业,特别是模拟集成电路研制领域的应用,...
关键词：产品生命周期管理 模拟集成电路 半导体制造 
精缩机制版阵列插图研究
《微电子学》2008年第2期298-301,共4页任芳 崔伟 何敏 刘嵘侃 
介绍了利用3696精缩机进行制版阵列插图的研究工作,总结了插图工艺制作的基本方法、常见问题及解决办法。通过具体应用实例,对多种形式的阵列插图制作进行了有益的探讨,对光掩模版的制造具有一定的指导意义。
关键词：半导体工艺 制版 精缩机 阵列插图 
SPC在多品种小批量生产线的应用研究被引量：5
《微电子学》2007年第5期682-684,共3页徐岚 刘嵘侃 陈亚兰 贾新章 
统计过程控制(SPC)是一种有效的质量管理工具,但由于半导体制造工艺过程的复杂性,常规的SPC模型已经不能对工艺过程状态进行有效的监控。着重论述了SPC在多品种、小批量半导体生产线上的实际应用;根据工艺特点,选取正确的SPC模型,通过...
关键词：统计过程控制 质量控制 控制图 嵌套回归 
超薄基区SiGe HBT基区渡越时间能量传输模型被引量：2
《微电子学》2006年第5期618-621,共4页蔡瑞仁 李垚 刘嵘侃 
通过求解玻尔兹曼能量平衡方程,得出基区的电子温度分布,建立了考虑电子温度变化,适用于超薄基区SiGe HBT的基区渡越时间模型。该模型考虑了电子温度对迁移率的影响,基区重掺杂和Ge引起的禁带变窄效应及速度饱和效应。比较了用能量传模...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 超薄基区 能量传输模型 基区渡越时间 速度饱和效应 
温湿度对制版图形缺陷的影响
《微电子学》2006年第1期36-37,42,共3页任芳 刘嵘侃 
介绍了制版工艺中常见的缺陷类型,分析了缺陷产生与温湿度的关系。通过实际工作应用,就缺陷控制的办法进行了有益的探讨,对光掩模版的制造有一定的指导意义。
关键词：半导体工艺 光掩膜版 缺陷 显影 腐蚀 温湿度 
基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究被引量：1
《西安电子科技大学学报》2005年第3期432-434,488,共4页刘道广 郝跃 徐世六 李开成 刘玉奎 刘嵘侃 张静 胡辉勇 李培咸 张晓菊 徐学良 
国家部委预研支持项目(99JS09.2.2.DZ3401)
采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管器件的最高振荡频率fmax.以分子束外延SiGe材料为基础,研制出了SiGe异质结晶体管器件,取得了fmax为124.2...
关键词：自对准 最高振荡频率 SiGe合金材料 
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