蔡瑞仁

作品数：2被引量：2H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国科学技术大学更多>>
发文主题：SIGE_HBT基区渡越时间速度过冲锗硅异质结双极晶体管HBT更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《微电子学》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
SiGe和SiGeC HBT速度过冲模型被引量：1
《微电子学》2007年第3期316-319,共4页蔡瑞仁 李垚 
建立了超薄基区Si Ge和Si GeC HBT的速度过冲模型。通过求解能量平衡方程,得到电子温度分布,B-C结附近的电子温度远高于晶格温度。Ge的分布对Si Ge BHT速度分布影响很大,对于线性分布,Ge梯度越大,速度过冲越明显;Ge梯度一样时,线性分布...
关键词：速度过冲 电子温度 SIGE HBT SIGEC HBT 
超薄基区SiGe HBT基区渡越时间能量传输模型被引量：2
《微电子学》2006年第5期618-621,共4页蔡瑞仁 李垚 刘嵘侃 
通过求解玻尔兹曼能量平衡方程,得出基区的电子温度分布,建立了考虑电子温度变化,适用于超薄基区SiGe HBT的基区渡越时间模型。该模型考虑了电子温度对迁移率的影响,基区重掺杂和Ge引起的禁带变窄效应及速度饱和效应。比较了用能量传模...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 超薄基区 能量传输模型 基区渡越时间 速度饱和效应 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部