基区渡越时间

作品数：15被引量：17H指数：2
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石墨烯“打底”我科学家制备出高速晶体管
《云南电力技术》2019年第S02期9-9,共1页
1947年,第一个双极结型晶体管(BJT)诞生于贝尔实验室,引领了人类社会进入信息技术的新时代。过去的几十年里,提高BJT的工作频率一直是人们不懈的追求,异质结双极型晶体管(HBT)和热电子晶体管(HET)等高速器件相继被研究报道。然而,当需...
关键词：热电子晶体管 截止频率 双极结型晶体管 基区渡越时间 BJT 高速器件 贝尔实验室 石墨烯 
双外延基区4H-SiC BJTs的建模与仿真(英文)
《计算物理》2010年第5期771-778,共8页张倩 张玉明 张义门 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.60876061);Pre-research Project(Project No.51308040302)
基于4H-SiC的材料特性,对具有双外延基区结构的4H-SiC双极晶体管进行研究.通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时间,利用正交试验的方法,基于各种器件二维模型,对该器件结构进行数值计算,并进行平均极差分析.计算结果表...
关键词：4H—SiC 双极晶体管 基区自建电场 基区渡越时间 
基于电子温度效应的SiGe、SiGeC异质结晶体管的基区渡越时间模型
《中国科学技术大学学报》2010年第2期168-171,共4页高树钦 李壵 
提出了SiGe和SiGeC异质结晶体管基区渡越时间的一种闭式物理模型,该模型考虑了电子温度效应.计入薄基区内强电场(该电场源起于Ge,C元素的掺杂)引起的电子温度变化,得到的基区渡越时间值与漂移-扩散模型有所不同.随着Ge含量的增加,两者...
关键词：电子温度效应 SiGe异质结晶体管 SiGeC异质结晶体管 基区渡越时间 
势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响
《重庆工学院学报》2007年第15期133-135,共3页李蕊 
重庆工学院科研启动基金资助项目(2005ZD01)
在已有的SiGe HBT基区渡越时间模型的基础上,考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系.结果表明:大电流密度下的势垒效应会增大基区渡越时间,基区Ge的不均匀分布并不能完全起到减小基区渡越时间的作用.
关键词：SIGE HBT 基区渡越时间 势垒效应 
SiGe HBT基区渡越时间研究被引量：1
《微电子学》2006年第5期608-610,614,共4页戴广豪 王生荣 李文杰 李竞春 杨谟华 
对基于SiGe HBT基区本征载流子浓度和电子迁移率依赖于掺杂、基区Ge组分分布和速度饱和效应的基区渡越时间进行了研究。结果表明,相同Ge组分条件下,基区渡越时间bτ随WB由100 nm减薄到50 nm,降低了74.9%;相同WB,Ge组分为0.15比0.1 Ge组...
关键词：SIGE HBT 基区渡越时间 速度饱和 
超薄基区SiGe HBT基区渡越时间能量传输模型被引量：2
《微电子学》2006年第5期618-621,共4页蔡瑞仁 李垚 刘嵘侃 
通过求解玻尔兹曼能量平衡方程,得出基区的电子温度分布,建立了考虑电子温度变化,适用于超薄基区SiGe HBT的基区渡越时间模型。该模型考虑了电子温度对迁移率的影响,基区重掺杂和Ge引起的禁带变窄效应及速度饱和效应。比较了用能量传模...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 超薄基区 能量传输模型 基区渡越时间 速度饱和效应 
SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析被引量：4
《北京理工大学学报》2005年第6期522-525,共4页苏文勇 李蕊 邵彬 
国家自然科学基金资助项目(10374007)
对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布...
关键词：SIGE异质结双极晶体管 基区渡越时间 Ge分布 
晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2001年第12期19-21,共3页
Y2001-62909-147 0120497功率管理用的 MOSFET 先进封装技术=Advancedpackaging technologies in MOSFETs for power manage-ment[会,英]/Tsui,A.& Sarkis,J.//2000 IEEE 50thElectronic Components & Technology Conference.—147～150...
关键词：金属肖特基势垒场效应晶体管 研究与进展 器件 热载流子效应 固体电子学 基区渡越时间 电流密度 本征元件 电子科技大学学报 等效电路模型 
SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化被引量：9
《西安电子科技大学学报》2000年第3期305-308,共4页张鹤鸣 戴显英 林大松 孙建诚 何林 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目!(99JS0 9 1 1 DZ0 1 0 4 )
建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰...
关键词：HBT 组分剖面 基区渡越时间 锗化硅 
基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/SiHBT基区渡越时间的影响被引量：1
《微电子学》2000年第1期5-7,共3页张万荣 李志国 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地 
北京市自然科学基金;北京市科技新星计划;电子元器件可靠性国家重点实验室资助课题
由于发射结(EB结)价带存在着能量差ΔEv,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给HBT设计带来了更大的自由度。为减小基区电阻和防止低温载流子冻析,可增加基区浓度。但基区重掺杂导致禁带变窄,禁带变窄的非均匀性产生的...
关键词：异质结晶体管 掺杂 基区渡越时间 硅 锗化硅 HBT 
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