基于电子温度效应的SiGe、SiGeC异质结晶体管的基区渡越时间模型  

A base transit time model considering electron temperature effect in SiGe and SiGeC HBT

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作  者:高树钦[1] 李壵[1] 

机构地区:[1]中国科学技术大学物理系微电子实验室,安徽合肥230026

出  处:《中国科学技术大学学报》2010年第2期168-171,共4页JUSTC

摘  要:提出了SiGe和SiGeC异质结晶体管基区渡越时间的一种闭式物理模型,该模型考虑了电子温度效应.计入薄基区内强电场(该电场源起于Ge,C元素的掺杂)引起的电子温度变化,得到的基区渡越时间值与漂移-扩散模型有所不同.随着Ge含量的增加,两者的差别不能再忽略.A closed-form physical model was given for SiGe and SiGeC HBT considering electron temperature effect. Incorporating electron temperature variation induced by high electric field (caused by Ge, C gradient) in the thin base, the base transit time shows different values compared with the driftdiffusion model. As Ge gradient increases, the difference can no longer be neglected.

关 键 词:电子温度效应 SiGe异质结晶体管 SiGeC异质结晶体管 基区渡越时间 

分 类 号:TN322.8[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

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