基于电子温度效应的SiGe、SiGeC异质结晶体管的基区渡越时间模型  

A base transit time model considering electron temperature effect in SiGe and SiGeC HBT

作　　者：高树钦[1] 李壵[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学物理系微电子实验室,安徽合肥230026

出　　处：《中国科学技术大学学报》2010年第2期168-171,共4页JUSTC

摘　　要：提出了SiGe和SiGeC异质结晶体管基区渡越时间的一种闭式物理模型,该模型考虑了电子温度效应.计入薄基区内强电场(该电场源起于Ge,C元素的掺杂)引起的电子温度变化,得到的基区渡越时间值与漂移-扩散模型有所不同.随着Ge含量的增加,两者的差别不能再忽略.A closed-form physical model was given for SiGe and SiGeC HBT considering electron temperature effect. Incorporating electron temperature variation induced by high electric field （caused by Ge, C gradient） in the thin base, the base transit time shows different values compared with the driftdiffusion model. As Ge gradient increases, the difference can no longer be neglected.

关 键 词：电子温度效应 SiGe异质结晶体管 SiGeC异质结晶体管 基区渡越时间 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]