李壵

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基于电子温度效应的SiGe、SiGeC异质结晶体管的基区渡越时间模型
《中国科学技术大学学报》2010年第2期168-171,共4页高树钦 李壵 
提出了SiGe和SiGeC异质结晶体管基区渡越时间的一种闭式物理模型,该模型考虑了电子温度效应.计入薄基区内强电场(该电场源起于Ge,C元素的掺杂)引起的电子温度变化,得到的基区渡越时间值与漂移-扩散模型有所不同.随着Ge含量的增加,两者...
关键词：电子温度效应 SiGe异质结晶体管 SiGeC异质结晶体管 基区渡越时间 
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