SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化  

Optimization of the base Ge composition profile for base transittime minimization in the SiGe heterojunction bipolar transistor

作　　者：张鹤鸣[1] 戴显英[1] 林大松[1] 孙建诚[1] 何林[2] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子所,陕西西安710071 [2]模拟集成电路国家重点实验室,重庆400060

出　　处：《西安电子科技大学学报》2000年第3期305-308,共4页Journal of Xidian University

基　　金：模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目!(99JS0 9 1 1 DZ0 1 0 4 )

摘　　要：建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰值 ,并保持到收集结处 .α是大于 1的数 ,随基区中收集结侧相对发射结侧禁带变化量的增加而减小 ,x0An analytical model for the base transit time in SiGe HBT with an arbitrary base Ge profile is developed and the optimum base Ge composition profile function for minimizing the base transit time is also obtained by simulation and analysis. The results show that the optimum base Ge composition profile varies as x α from emitter/base junction to the point x 0 where the Ge composition reaches the peak and keeps that value from x 0 to the collector. The α is always larger than 1, and increases with decrease in base bandgap narrowing. The point x 0 moves toward the collector with the increase in base bandgap narrowing.

关 键 词：HBT 组分剖面 基区渡越时间 锗化硅 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]