何林

作品数：2被引量：9H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
发文主题：HBTSIGE_HBT基区渡越时间锗化硅MOSFET更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《西安电子科技大学学报》更多>>
所获基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
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Optimization Design and Fabrication of Si/SiGe PMOSFETs
《Journal of Semiconductors》2001年第11期1434-1438,共5页杨沛锋 李竞春 于奇 陈勇 谢孟贤 杨谟华 何林 李开成 谭开洲 刘道广 张静 易强 凡则锐 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 (合同号 :99Js0 95 .1)~~
Through the theoretical analysis and computer simulation,the optimized design principles for Si/SiGe PMOSFETs are given,including the choice of gate materials,the determination of Ge percentage and the profile in SiGe...
关键词：SIGE MOSFET OPTIMIZATION 
SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化被引量：9
《西安电子科技大学学报》2000年第3期305-308,共4页张鹤鸣 戴显英 林大松 孙建诚 何林 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目!(99JS0 9 1 1 DZ0 1 0 4 )
建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰...
关键词：HBT 组分剖面 基区渡越时间 锗化硅 
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