云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 锗化硅

锗化硅: 作品数：82被引量：122H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：沈光地钱佩信华林王启明陈培毅更多>>; 相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国科学院清华大学北京工业大学更多>>; 相关期刊：《新材料产业》《微电子学》《中国集成电路》《西安电子科技大学学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>

应用于802.11ac的SiGe BiCMOS低噪声放大器被引量：2: 《电子技术应用》2018年第7期42-45,51,共5页魏启迪林俊明章国豪陈亮; 国家自然科学基金(61574049); 基于IBM 0.36μm SiGe BiCMOS工艺设计应用于802.11ac的全集低噪声放大器,工作频段为5~6 GHz,且带有旁路功能。低噪声放大器的主体电路采用单端发射极电感负反馈结构。模拟结果显示,在工作电压为5 V的情况下,当低噪声放大器工作时,HBT...; 关键词：低噪声放大器 802.11ac 锗化硅双极-互补金属氧化物半导体

用于最新技术节点Ge和SiGe的CMP技术研究进展被引量：1: 《微纳电子技术》2016年第9期623-629,共7页潘柏臣张保国赵帅周朝旭; 河北省高层次人才资助项目百人计划项目(E2013100006); 对锗和锗化硅材料应用及发展前景进行了简单介绍。主要论述了在14 nm技术节点以下应用于pMOS晶体管沟道材料的锗的化学机械抛光(CMP)技术的发展现状,如抛光液组分的优化以及工艺参数的革新,经过CMP后,Ge的表面粗糙度可以有效降低到0.175...; 关键词：锗锗化硅 14 nm技术节点化学机械抛光(CMP) 沟道材料

SiGe HBT的线性度研究（英文）: 《固体电子学研究与进展》2015年第2期139-144,共6页张贵恒张为付军王玉东; 应用一种改进的片上线性度测试方法来对上海华虹宏力半导体制造有限公司生产的SiGe HBT进行测试,得到了一个较好的测试结果,同时对其线性度随偏置情况的变化以及引起变化的机制进行了分析和讨论。通过分析表明:在集电极偏置电流较小时,S...; 关键词：锗化硅异质结晶体管负载牵引系统线性度非线性因素

晶体管狂飙: 《科技新时代》2014年第9期24-25,共2页Jessie Geoffray; 德国高性能微电子创新研究所和美国佐治亚理工学院的科学家在一项联合研究中展示了迄今为止世界上最快的硅设备。这种锗化硅（SiGe）晶体管工作的最大频率达到了798GHz，将此前的速度记录提升了接近200GHz。当涉及到对性能要求极高的应...; 关键词：晶体管性能要求锗化硅速度记录科学家研究所微电子竞争力

超高性能33GHz示波器: 《今日电子》2011年第9期70-70,共1页; DPO／DSA70000D系列示波器基于IBM8HP锗化硅（SiGe）技术，实现了超高带宽和性能。; 关键词：超高性能示波器带宽和锗化硅 DPO

Thin relaxed SiGe layer grown on Ar^+ ion implanted Si substrate by ultra-high vacuum chemical vapor deposition: 《Nuclear Science and Techniques》2005年第3期149-152,共4页CHENChang-Chun YUBen-Hai LIUJiang-Feng CAOJian-Qing ZHUDe-Zhang; Partially supported by the National Natural Sciences Foundation of China (No.10075072); Thin strain-relaxed Si0.81Ge0.19 films (95 nm) on the Ar+ ion implanted Si substrates with different ener- gies (30 keV,40 keV and 60 keV) at the same implanted dose (3×1015cm-2) were grown by ultra high vacuum chemi...; 关键词：约束松弛真空化学蒸气沉积离子注入锗化硅半导体薄膜

支撑光网络发展的硅基光电子技术研究被引量：4: 《物理》2003年第12期810-815,共6页余金中; 国家自然科学基金 (批准号 :698962 60 69990 5 40 );国家重点基础研究发展计划 (批准号 :G2 0 0 0 -0 3 -66);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA3 12 0 60 )资助项目; 作为大规模集成电路和化合物半导体光电子器件的制造技术共同构成的一门高新技术 ,硅基光电子技术越来越受到重视 .文章着重介绍中国科学院半导体研究所外延生长SiGe/Si量子结构和Si基器件研究的结果 :采用自行设计的UHV/CVD系统 ,成功...; 关键词：全光网络集成电路半导体光电子器件锗化硅/硅量子结构量子阱光电探测器耦合器

SiGe技术的应用与市场调查: 《中国集成电路》2003年第50期28-33,共6页刘志农钱佩信; 1 介绍自从1998年10月 IBM 首次量产 SiGe HBT 以来,SiGe 技术获得了长足的进展,SiGe HBT 技术已成为市场的主流技术之一。; 关键词：锗化硅 SIGE技术市场调查 HBT 集成电路化合物半导体应用手机广播电视网蓝牙无线局域网

SiGe HBT大电流密度下的基区渡越时间模型被引量：7: 《微电子学》2003年第2期86-89,共4页戴显英吕懿张鹤鸣何林胡永贵胡辉勇; 模拟集成电路国家重点实验室基金资助(99JS09.1.1DZ0104); 　在考虑基区扩展效应及载流子浓度分布的基础上,建立了SiGeHBT的基区渡越时间模型。该模型既适合产生基区扩展的大电流密度,又适合未产生基区扩展的小电流密度。模拟分析结果表明,与SiBJT相比,SiGeHBT基区渡越时间显著减小,同时表明,...; 关键词：SiGe-HBT 大电流密度基区渡越时间模型载流子浓度分布迁移率锗化硅

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