何林

作品数：3被引量：16H指数：2
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发文主题：SIGE_HBT锗化硅HBT异质结双极晶体管大电流密度更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《西安电子科技大学学报》更多>>
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四探针法测量应变Si_(1-x)Ge_x掺杂浓度被引量：2
《西安电子科技大学学报》2003年第2期255-258,280,共5页戴显英 王伟 张鹤鸣 何林 张静 胡辉勇 吕懿 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(99JS09 3 1DZ0111)
在对Si1-xGex材料多子迁移率模型分析基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度关系的曲线图谱.经过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si1-xGex材料掺杂浓度的技术.该表征技术与Si...
关键词：测量 应变 Si1-xGex材料 迁移率模型 电阻率 掺杂浓度 四探针 硅锗材料 半导体材料 
SiGe HBT大电流密度下的基区渡越时间模型被引量：7
《微电子学》2003年第2期86-89,共4页戴显英 吕懿 张鹤鸣 何林 胡永贵 胡辉勇 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助(99JS09.1.1DZ0104)
　在考虑基区扩展效应及载流子浓度分布的基础上,建立了SiGeHBT的基区渡越时间模型。该模型既适合产生基区扩展的大电流密度,又适合未产生基区扩展的小电流密度。模拟分析结果表明,与SiBJT相比,SiGeHBT基区渡越时间显著减小,同时表明,...
关键词：SiGe-HBT 大电流密度 基区渡越时间模型 载流子浓度分布 迁移率 锗化硅 
SiGe HBT基区渡越时间模型被引量：11
《西安电子科技大学学报》2001年第4期456-461,共6页林大松 张鹤鸣 戴显英 孙建诚 何林 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 ( 99JS0 9 1 1 DG10 4)
建立了SiGeHBT基区渡越时间模型 .该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应 ,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布 ,以及器件在小电流到大电流密度下的应用 .模拟结果表明 ,基区集电结边界处载流子浓度引起...
关键词：异质结双极晶体管 锗化硅 HBT 基区渡越时间模型 
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