迁移率模型

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基于圆弧曲线迁移率模型的生物地理学优化算法
《重庆师范大学学报（自然科学版）》2024年第5期18-28,共11页张祥 刘晓宇 
重庆市社会科学规划培育项目(No.2021PY50);国家自然科学基金青年科学基金项目(No.12401699);重庆市教育委员会科学技术研究项目(No.KJQN202200543);重庆市自然科学基金创新创新发展联合基金重点项目(No.CSTB2023NSCQ-LZX0037);国家重点研发计划重点专项(No.SQ2023YFA1000183);重庆市研究生科研创新项目(No.CYS23414)。
迁移操作是生物地理学优化(biogeography-based optimization,BBO)算法中的核心部分,通过改进迁移率模型可以更好地实现信息交换,从而提升算法的全局搜索能力。针对传统BBO算法采用线性迁移率模型搜索能力弱的问题,提出了一种迁入(迁出...
关键词：生物地理学优化算法 迁移率模型 非线性迁移 圆弧曲线函数 
基于应变迁移率模型对应变沟道AlGaN/GaNHEMT器件电子输运特性的研究
《桂林电子科技大学学报》2023年第6期431-438,共8页刘子玉 陈永和 马旺 孙远远 杨叶 
广西自然科学基金(2018GXNSFAA138025);广西科技计划(AD18281037)。
为了进一步提升AlGaN/GaN HEMTs的电流特性,提出了一种在非栅下沟道插入InGaN弛豫层的应变GaN沟道AlGaN/5-nm-GaN/InGaN HEMT(SGC-HEMT)器件结构。通过Sentaurus TCAD仿真研究了SGC-HEMT器件电子输运特性。基于修正的应变迁移率模型,通...
关键词：GaN/AlGaN 2DEG 应变沟道 有效迁移率 电子输运 
基于改进的迁移率模型的生物地理学优化算法被引量：15
《计算机应用》2019年第9期2511-2516,共6页王雅萍 张正军 颜子寒 金亚洲 
国家自然科学基金资助项目(61773014)~~
生物地理学优化(BBO)算法通过迁移和变异不断更新栖息地,以寻找最优解,其中迁移率模型的优劣会直接影响算法的优化性能。针对原始BBO算法采用线性迁移率模型适应性不足的问题,基于Logistic函数、三次多项式函数以及双曲正切函数提出了...
关键词：生物地理学优化 迁移率模型 逻辑回归函数 三次多项式 双曲正切函数 
基于先进迁移率模型的4H-SiC MOSFET Spice模型研究被引量：2
《中国科学技术大学学报》2017年第10期878-884,共7页周郁明 李勇杰 鲍观甲 刘航志 
国家自然科学基金(51177003);安徽高校自然科学基金(KJ2016A805)资助
提出了一种基于先进迁移率模型的4H-SiC MOSFET的Spice模型,该模型是基于MOSFET的Spice一级(Level-1)模型方程,将方程中的常数迁移率用更能准确反映4H-SiC/SiO2界面特性的迁移率模型来代替.产品数据手册验证了该模型静态特性的准确性,DC...
关键词：4H-SIC MOSFET SPICE模型 迁移率 开关损耗 
压应变Ge/(001)Si_(1-x)Ge_x空穴散射与迁移率模型被引量：2
《物理学报》2015年第3期477-482,共6页白敏 宣荣喜 宋建军 张鹤鸣 胡辉勇 舒斌 
教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);陕西省自然科学基础研究计(批准号:2014JQ8329)资助的课题~~
应变Ge材料因其载流子迁移率高,且与硅工艺兼容等优点,已成为硅基CMOS研究发展的重点和热点.本文基于压应变Ge/(001)Si1-xGex价带结构模型,研究了压应变Ge/(001)Si1-xGex空穴各散射概率、空穴迁移率与Ge组分(x)的关系,包括空穴离化杂质...
关键词：锗 应变 散射 迁移率 
基于六普数据的年龄—迁移率模型研究被引量：2
《中央民族大学学报（自然科学版）》2014年第4期72-75,共4页王文忠 沈思 
国家社会科学基金(No.14CRK012)
文章利用全国第六次人口普查资料,结合Rogers年龄—迁移率理论模型,从迁移率特征、理论模型和实际数据的异同点及形成的原因上入手对全国和朝鲜族迁移率的基本状况进行了考察和分析,利用模拟实际迁移率所得到的模型参数,从统计角度上分...
关键词：年龄—迁移率模型 朝鲜族 迁移率 
生物地理学算法求解一类非线性线性双层规划
《电子科技》2014年第1期13-17,共5页贾飞 孟敏 
用生物地理学优化算法的实数编码来求解下层为凸规划的非线性双层规划问题。基于上层目标函数设置了一种新的适宜度函数,可以简单区分不同类型的解;对下层问题先用坐标轮换法求解,然后利用基于下层问题的KKT最优性等价条件来检验求解结...
关键词：生物地理学优化算法 非线性双层规划 迁移率模型 KKT条件 
新器件结构SGOI低场迁移率模型及数值分析
《浙江大学学报（工学版）》2013年第1期77-82,187,共7页李斌 陈安生 刘红侠 温才 魏岚 唐金龙 
国家杰出青年基金资助项目(11104226);西南科技大学博士研究基金资助项目(11zx7132)
为了减小绝缘层上硅锗(SGOI)自加热和短沟道效应,提出新型的双台阶式埋氧SGOI n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET).在该器件结构中,采用双台阶式埋氧结构来减小自加热效应,引入接地层(GP)用于减小漏致势垒降低(DIBL).建立应变硅...
关键词：低场迁移率 台阶式埋氧 接地层(GP) 自加热效应 绝缘层上硅锗(SGOI) 
有机二极管基于通用迁移率模型的解析电流电压关系被引量：1
《原子与分子物理学报》2011年第4期755-759,共5页王平 孙久勋 杨凯 
四川省青年科技基金(2011JQ0053)
提出一种有机半导体二极管电流电压关系的解析表达式.该表达式是基于Pasveer等人[Phys.Rev.Lett.94,206601(2005)]的迁移率模型建立的,其中考虑了影响有机半导体载流子输运最重要的因素,包括温度、载流子浓度和电场强度.将Pasveer等人...
关键词：有机半导体 迁移率 二极管 电流电压关系 
4H-SiCn-MOSFET新型反型层迁移率模型被引量：4
《西安电子科技大学学报》2011年第1期42-46,共5页汤晓燕 张玉明 张义门 
国家自然科学基金资助项目(60876061;61006060);中央高校基本科研业务费资助项目(JY10000925009)
提出了一种基于物理的4H-SiCn-MOSFET反型层迁移率模型.基于第一性原理的准二维库仑散射迁移率模型考虑了载流子屏蔽效应和温度对库仑散射的影响,模型中不包含任何经验参数,可方便地应用于二维器件模拟软件.推导出SiC表面粗糙散射迁移...
关键词：碳化硅 反型层 迁移率 库仑散射 
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