自加热效应

作品数：42被引量：44H指数：3
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相关作者：罗家俊韩郑生徐秋霞周华杰宋毅更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院中芯国际集成电路制造(上海)有限公司杭州电子科技大学更多>>
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基于积分宽度法测量发光二极管结温方法的研究
《光电子．激光》2023年第4期344-350,共7页蒋福春 荆利青 刘文 武红磊 
国家自然科学基金(61974094);广东省重点领域重大研发计划(2020B010169003);深圳大学实验室与设备管理研究基金(2021008)资助项目。
本文提出了一种基于光谱积分宽度法来测量发光二极管(light emitting diode, LED)结温的新方法,并进行了理论分析和实验研究。本方法主要分为光谱数据采集、定标函数的测定和结温测量三个过程。首先,为了测量成本的降低和精度的提高而...
关键词：发光二极管(LED) 积分宽度 结温 光谱分布 自加热效应 
90nm SOI nMOSFET自加热效应研究
《半导体技术》2022年第5期369-372,380,共5页王娟娟 李江江 曾传滨 李逸帆 倪涛 罗家俊 赵发展 
国家自然科学基金资助项目(61804168)。
应用超快脉冲I-V测试系统对不同宽长比的90 nm绝缘体上硅(SOI)nMOSFET的自加热效应展开研究,根据瞬态和稳态漏源电流-漏源电压(I_(ds)-V_(ds))特性的对比结果,分析器件受自加热影响的程度。测试结果显示,宽长比为10μm/0.09μm的器件在...
关键词：绝缘体上硅(SOI) NMOSFET 自加热效应 接触孔 金属互连线 
深亚微米SOI工艺ESD防护器件设计被引量：2
《电子与封装》2021年第5期56-62,共7页米丹 周昕杰 周晓彬 何正辉 卢嘉昊 
在集成电路设计领域,绝缘体上硅(SOI)工艺以其较小的寄生效应、更快的速度,得到广泛应用。但由于SOI工艺器件的结构特点及自加热效应(SHE)的影响,其静电放电(ESD)防护器件设计成为一大技术难点。当工艺进入深亚微米技术节点,基于部分耗...
关键词：深亚微米 SOI工艺 自加热效应 ESD防护器件 栅控二极管 
90 nm PDSOI MOSFET热阻研究被引量：1
《微电子学》2021年第2期251-254,共4页李垌帅 王芳 王可为 卜建辉 韩郑生 罗家俊 
国家自然科学基金资助项目(61874135)。
对90 nm PDSOI MOSFET的热阻进行了提取与研究。以H型栅MOSFET为研究对象,将源体二极管作为温度敏感器,通过测量源体结电流与器件温度的关系以及源体结电流与器件功率的关系,获得MOS器件功率与器件温度的关系,从而获取MOS器件热阻值。...
关键词：部分耗尽SOI 自加热效应 热阻 源体二极管法 H型栅 
SOI MOSFET自加热效应测试方法被引量：1
《半导体技术》2021年第2期164-168,共5页王娟娟 曾传滨 李江江 倪涛 李晓静 李多力 罗家俊 
国家自然科学基金资助项目(61804168)。
为研究自加热效应对绝缘体上硅(SOI)MOSFET漏电流的影响,开发了一种可同时探测20 ns时瞬态漏源电流-漏源电压(Ids-Vds)特性和80μs时直流静态Ids-Vds特性的超快脉冲I-V测试方法。将被测器件栅漏短接、源体短接后串联接入超快脉冲测试系...
关键词：超快脉冲测试方法 自加热效应 绝缘体上硅(SOI) MOSFET 温度分布 
NEDC工况下温度对锂离子电池组性能的影响被引量：4
《电池》2020年第3期254-257,共4页郑昆 侯卫国 董田 蔡国辉 
研究环境温度(40℃、25℃、0℃和-15℃)对锂离子电池组(102 Ah、30.8 kWh)在新标欧洲循环(NEDC)工况下放电性能的影响。锂离子电池组的放电容量、能量随环境温度下降而降低,主要是受内阻的影响。影响内阻的主要因素有:环境温度、放电电...
关键词：锂离子电池组 新标欧洲循环(NEDC) 内阻 放电深度(DOD) 自加热效应 
InAs基中红外带间级联激光器中的自加热效应（英文）
《红外与毫米波学报》2019年第4期408-411,共4页余成章 徐志成 陈建新 何力 
Supported by National Natural Science Foundation of China(61534006,61290302,61505237,61404148);the National Key Research and Development Program of China(2016YFB0402403)
制备并测试了 II 型中红外带间级联激光器制备的器件在脉冲和连续工作模式下最高工作温度分别为275K和226K.80K下器件激射波长为3.8μm左右阈值电流密度约17A/cm2.对器件在连续工作模式下的自加热效应进行了分析并利用有限元方法模拟了...
关键词：带间级联激光器 中红外 分子束外延 
三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法
《现代电子技术》2016年第24期137-140,共4页林洁馨 杨发顺 马奎 唐昭焕 傅兴华 
国家自然科学基金地区科学基金项目(61464002);贵州省科技合作项目(黔科合LH字[2015]7636);贵州省科学技术基金(黔科合J字[2014]2066号)
二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评估。基于三维集成技术的功率MOSFET器件,散热路径热阻难于精确确定,故提出一种针对三维集成功率MOSFET器件...
关键词：漏极持续电流 三维集成 自加热效应 导通偏置条件 
GaN HEMT器件封装热特性仿真分析被引量：4
《黑龙江工程学院学报》2016年第2期38-41,共4页崔虹云 吴云飞 司有宝 候宪春 张运香 李培瑶 柳涛 
2014年黑龙江省大学生创新创业训练计划项目(201410222059);2012年佳木斯大学青年基金项目(Lq2012-42)
主要研究在大功率工作条件下的带封装的GaN HEMT器件自加热效应。当封装GaN HEMT器件工作在大功率条件下时所产生的自加热效应会使器件栅指处的有源沟道层温度升高,同时多栅指之间还会产生互加热效应,使得器件的有源沟道层的温度升高,...
关键词：自加热效应 封装 
基于LPIND的硅基等离子天线
《中国科技论文》2016年第2期134-138,共5页刘会刚 梁达 任立儒 耿卫东 
国家自然科学基金资助项目(61401237);天津市自然科学基金资助项目(13JCQNJC01200);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20130031120034);国家级大学生创新创业训练计划资助项目(201410055056)
首先介绍了LPIND(Lateral Positive-Intrinsic-Negative Diode)及其在硅基等离子天线方面的应用,并对LPIND进行建模,仿真分析了不同SOI(Silicon On Insulator)埋层材料对LPIND本征区载流子浓度的影响,仿真结果显示,LPIND的自加热效应会...
关键词：LPIND 自加热效应 硅基等离子天线 低功耗 
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