栅控二极管

作品数：11被引量：11H指数：2
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栅控二极管ESD工艺优化方法研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2023年第4期366-369,共4页贺琪 赵晓松 张庆东 顾祥 赵杨婧 
为解决通过更改器件设计来提升电路抗静电放电(ESD)能力时成本高的问题,从栅控二极管的工艺出发,研究CAN总线电路抗ESD能力提升方法。通过TCAD仿真,评估了沟道掺杂对于栅控二极管抗ESD能力的影响,发现调整ESD离子注入工艺可以优化栅控...
关键词：静电放电 栅控二极管 控制器局域网 传输线脉冲 绝缘层上硅 
深亚微米SOI工艺ESD防护器件设计被引量：2
《电子与封装》2021年第5期56-62,共7页米丹 周昕杰 周晓彬 何正辉 卢嘉昊 
在集成电路设计领域,绝缘体上硅(SOI)工艺以其较小的寄生效应、更快的速度,得到广泛应用。但由于SOI工艺器件的结构特点及自加热效应(SHE)的影响,其静电放电(ESD)防护器件设计成为一大技术难点。当工艺进入深亚微米技术节点,基于部分耗...
关键词：深亚微米 SOI工艺 自加热效应 ESD防护器件 栅控二极管 
一种栅控二极管结构的暗信号分析
《集成电路通讯》2014年第3期16-18,共3页胡波 李秋利 
采用了一种由P型衬底、N型沟道和P＋沟道截止组成的栅控二极管结构，并就影响该结构暗信号的载流子产生复合过程的相关因素进行了分析，讨论了温度、栽流子寿命和表面态密度等因素与暗信号的关系。经分析，可以通过降低功耗或采用制冷...
关键词：栅控二极管 载流子产生复合 暗信号 表面态 
部分耗尽SOI ESD保护电路的研究被引量：2
《电子器件》2012年第2期208-211,共4页汤仙明 韩郑生 
为了解决SOI技术的ESD问题,我们设计了一种适用于部分耗尽SOI的栅控二极管结构的ESD保护电路,并进行了ESD实验。通过实验研究了SOI顶层硅膜厚度、栅控二极管的沟道长度和沟道宽度,限流电阻以及电火花隙等因素对保护电路抗ESD性能的影响...
关键词：绝缘衬底上的硅 静电放电 栅控二极管 人体放电模型 
一种新型高速嵌入式动态随机存储器
《微电子学》2012年第1期50-53,共4页臧松干 王鹏飞 林曦 刘昕彦 丁士进 张卫 
国家自然科学基金资助项目(61076076)
基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器。该器件由一个n型浮栅MOSFET和一个栅控二极管组成。MOSFET的p型掺杂多晶硅浮栅作为栅控二极管的p型掺杂区,同时也是电荷存储单元。写"0"...
关键词：嵌入式动态随机存储器 栅控二极管 隧穿场效应晶体管 
抗辐照SOI 256kB只读存储器的ESD设计被引量：1
《电子与封装》2011年第9期27-31,共5页罗静 颜燕 罗晟 洪根深 胡永强 
ESD设计技术已成为业界提升SOI电路可靠性的一个瓶颈技术。文章介绍了一款具有抗辐照能力、基于SOI/CMOS工艺技术研制的容量为256kB只读存储器电路的ESD设计方案。结合电路特点详细分析了其ESD设计的难点,阐述了从工艺、器件和电路三个...
关键词：静电放电 SOI 栅控二极管 只读存储器 
CMOS/SOI64-kB SRAM抗ESD实验被引量：2
《微电子学》2004年第6期636-639,共4页汤仙明 韩郑生 周小茵 海潮和 赵立新 
　设计了一种SOI栅控二极管结构的ESD保护电路,并将其应用到64kBSRAM电路上,进行了管脚摸底实验和电路的整体抗静电实验。通过实验,研究了ESD保护电路各项参数对ESD性能的影响。实验结果表明,这种结构的ESD保护电路的抗ESD能力达到了设...
关键词：SOI ESD 栅控二极管 SRAM 
栅控二极管R—G电流法表征SOI—MOS器件埋氧层界面陷阱的敏感性分析
《Journal of Semiconductors》2001年第10期1292-1297,共6页何进 Bich－Yen Nguyen 
摩托罗拉-北京大学联合研究资助项目~~
通过数值模拟手段，用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对R－G电流大小的影响规律。结果表明：无论在FD还是在PD SOI MOS器件中，界面陷阱密度是决定R－G电流峰值的主要因素，硅膜厚度和沟道掺杂浓度的影响却因器...
关键词：R-G电流 栅控二极管 界面陷阱 SOI MOSFET器件 敏感性 场效应晶体管 
TFSOI/CMOS ESD研究被引量：1
《微电子学与计算机》2000年第6期36-39,共4页刘文安 罗来华 赵文魁 沈文正 
文章讨论了 TFSOI/CMOS中 ESD电路与常见体硅 ESD电路的主要区别，详细分析了 ESD电路中各个组成部分对整体性能的影响，成功地研制了抗 2000V静电的 ESD保护电路，指出了进一步提高 TFSOI/CMOS ESD抗静电能力的途径。
关键词：ESD 栅控二极管 TFSOI CMOS 保护电路 
Hg_(1-x)Cd_xTe N^+-P栅控二极管表面沟道漏电的理论和实验研究被引量：2
《红外与毫米波学报》1992年第1期11-20,共10页袁皓心 童斐明 汤定元 
制备了HgCdTe离子注入N^+-P栅控二极管.测量结果表明,由P区一侧表面强反型引起的表面沟道漏电严重限制着器件性能,对这种漏电机制进行了详细的理论分析.在考虑了窄禁带HgCdTe的特殊性质后,计算了表面沟道电流决定的P-N结正、反向I-V特性...
关键词：光电二极管 表面效应 漏电 汞镉碲 
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