传输线脉冲

作品数：37被引量：91H指数：5
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基于高分子电压诱导变阻膜的全PCB抗脉冲防护
《印制电路信息》2024年第1期21-25,共5页刘辉 吴丰顺 武占成 龚德权 王晶 胡元伟 马浩轩 
湖北省科技厅重点项目资助(ZZCXZZYF2022000614)。
随着芯片集成度的不断提高,内部互连导线间距越来越小,器件更易在静电作用下受到损害。为提高印制电路板(PCB)在实际应用中抗静电放电(ESD)和电磁脉冲(EMP)的能力,制作了一种高分子电压诱导变阻膜,将其嵌入PCB中形成脉冲吸收网络,使全...
关键词：静电放电(ESD) 传输线脉冲(TLP)测试 电磁脉冲(EMP) 变阻膜 
基于分段线性模型针对传输线脉冲瞬态干扰信号的芯片协同防护设计方法被引量：4
《电子与信息学报》2023年第9期3263-3271,共9页付路 阎照文 刘玉竹 苏丽轩 
电磁兼容传导敏感性时域测试系统(61427803);TSV三维集成电路与电路板电磁敏感度行为级协同分析方法研究(61271044)。
随着电子设备向小型化、高密度和高速的趋势发展,集成电路作为电子设备的基本核心单元也朝着这一方向发展,由此带来了越来越严重的电磁兼容问题。其中静电放电问题越来越引起设计者、制作者和使用者的重视。该文利用传输线脉冲(TLP)方...
关键词：集成电路 电磁兼容 传输线脉冲 静电放电 防护设计 
栅控二极管ESD工艺优化方法研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2023年第4期366-369,共4页贺琪 赵晓松 张庆东 顾祥 赵杨婧 
为解决通过更改器件设计来提升电路抗静电放电(ESD)能力时成本高的问题,从栅控二极管的工艺出发,研究CAN总线电路抗ESD能力提升方法。通过TCAD仿真,评估了沟道掺杂对于栅控二极管抗ESD能力的影响,发现调整ESD离子注入工艺可以优化栅控...
关键词：静电放电 栅控二极管 控制器局域网 传输线脉冲 绝缘层上硅 
双向可控硅静电防护器件中p型井对静电性能影响的研究
《中国集成电路》2023年第4期36-39,72,共5页张玉叶 汪洋 杨帅康 苏雪冰 杨红姣 
湖南省教育厅优秀青年基金项目资助(No.19B557);湖南省研究生科研创新项目资助(QL20210141)。
基于0.18μm Bipolar CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究讨论了双向可控硅静电防护器件中p型井(PW)位置对器件维持电压以及鲁棒性的静电性能影响,可用于高压静电放电(ESD)保护。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了PW的...
关键词：双向可控硅(DDSCR) 失效电流(It2) 维持电压(Vh) 传输线脉冲测试系统(TLP) 
保护环对双向可控硅静电防护器件电容特性的影响被引量：1
《电子产品世界》2022年第6期74-78,共5页杨帅康 汪洋 苏雪冰 张玉叶 杨红娇 
湖南省教育厅优秀青年基金项目,项目编号:19B557;湖南省研究生科研创新项目,项目编号:QL20210141。
本文研究了P型保护环对双向可控硅(DDSCR)静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备了不带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR)和带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR_GR)器件,在高压工艺下制备了不带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR)...
关键词：双向可控硅 保护环 寄生电容 传输线脉冲测试系统 
带有硅化物阻挡层的可控硅器件对维持电压的影响
《电子产品世界》2021年第9期76-79,共4页曹佩 汪洋 芦俊 魏伟鹏 李婕妤 曹文苗 
国家自然科学基金(61704145,61774129,61827812);湖南省自然科学基金(2019JJ50609)。
基于0.18μm双极CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究并实现了一种阳极和阴极两侧均加入硅化物阻挡层(SAB)的可控硅(SCR)器件,可用于高压静电放电保护(ESD)。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了SAB层对可控硅性能的影响...
关键词：可控硅(SCR) 硅化物阻挡层(SAB) 仿真 传输线脉冲测试系统(TLP) 维持电压(Vh) 
用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性被引量：1
《半导体技术》2021年第3期210-215,共6页王加鑫 李晓静 赵发展 曾传滨 李博 韩郑生 罗家俊 
国家自然科学基金青年基金资助项目(61804168)。
研究了基于0.18μm部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS器件的高温特性。借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该ESD防护器件在30~195℃内的ESD防护特性进行了测试。讨论了温度对ESD特征参数的影响,发现随着温度升高,该ES...
关键词：静电放电(ESD) 绝缘体上硅(SOI) NMOSFET 高温 传输线脉冲(TLP) 
功率NLDMOS电学安全工作区的版图设计优化被引量：1
《半导体技术》2019年第8期623-627,658,共6页陈轶群 陈佳旅 蒲贤勇 
在不调整制备工艺、不增加工艺成本条件下,研究了管芯版图优化对功率n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)电学安全工作区(E-SOA)的影响。通过研究p^+带嵌入方式、p^+图形形状、p^+分布密度、阵列单元栅宽及总栅数、金属引线方式等进行...
关键词：功率管 n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS) 版图设计 电学安全工作区(E-SOA) 传输线脉冲(TLP) 
一种估算微带传输线辐射敏感性的解析电路模型被引量：2
《西安电子科技大学学报》2017年第5期97-101,共5页史春蕾 柴常春 刘彧千 樊庆扬 刘阳 杨银堂 
中国工程物理研究院复杂电磁环境科学与技术重点实验室开放基金资助项目(2015-0214.X.Y.K)
根据传输线理论和电磁场理论,文中提出了一种估算微带传输线辐射敏感性的时域解析电路模型.该模型能够快速得到微带传输线对外界电磁干扰的敏感阈值,使用国际电工委员会横电磁标准62132-2规定的横电磁小室作为测试环境,选用具有陡峭边...
关键词：解析电路模型 辐射敏感性 传输线脉冲 微带传输线 
传输线长度对静电放电防护器件性能测试的影响被引量：1
《强激光与粒子束》2017年第10期71-75,共5页张希军 张莉婷 王书平 赵敏 
国家自然科学基金项目(60971042)
为了研究传输线长度对静电放电防护器件性能测试结果的影响,建立了静电放电模型和传输线脉冲模型两种试验系统,对某限压型防护器件进行了快沿电磁脉冲注入试验,并进行了理论分析。结果表明:传输线长度对静电放电防护器件性能测试结果具...
关键词：静电放电 防护器件 人体金属模型 传输线脉冲 延迟时间 
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