绝缘层上硅

作品数：27被引量：52H指数：4
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相关机构：中国科学院复旦大学西安电子科技大学杭州电子科技大学更多>>
相关期刊：《物理学报》《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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栅控二极管ESD工艺优化方法研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2023年第4期366-369,共4页贺琪 赵晓松 张庆东 顾祥 赵杨婧 
为解决通过更改器件设计来提升电路抗静电放电(ESD)能力时成本高的问题,从栅控二极管的工艺出发,研究CAN总线电路抗ESD能力提升方法。通过TCAD仿真,评估了沟道掺杂对于栅控二极管抗ESD能力的影响,发现调整ESD离子注入工艺可以优化栅控...
关键词：静电放电 栅控二极管 控制器局域网 传输线脉冲 绝缘层上硅 
高温SOI技术的发展现状和前景被引量：3
《电子与封装》2022年第12期85-93,共9页罗宁胜 曹建武 
高温绝缘层上硅(SOI)技术突破了体硅半导体器件的高温困境,已被广泛应用于石油天然气钻探、航空航天和国防装备等尖端领域。近年来,第三代宽禁带半导体功率器件已日趋成熟和普及,其中SiC器件以其先天的耐高压、耐高温等特性,与高温SOI...
关键词：体硅 绝缘层上硅 SIC 高温SOI技术 
全耗尽绝缘层上硅技术及生态环境简介被引量：1
《电子与封装》2022年第6期77-85,共9页赵晓松 顾祥 张庆东 吴建伟 洪根深 
随着半导体技术节点微缩到3 nm及以下,晶体管的尺寸难以进一步缩小,导致了成本优势的减小。功能性和功耗成为物联网、可穿戴设备、汽车电子等应用的主要关注点,为满足这些需求,全耗尽绝缘层上硅(Fully Depleted Silicon on Insulator,FD...
关键词：全耗尽绝缘层上硅 超薄埋氧 体偏置 
0.20μm双埋氧SOI NMOSFET的自热效应
《半导体技术》2021年第8期617-622,共6页王国庆 张晋敏 吴次南 谢泉 刘凡宇 李博 杨静琦 
国家自然科学基金资助项目(61264004);贵州省自然科学基金资助项目(黔科合基础[2018]1028);贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才[2015]4015);贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目(黔人项目资助合同[2018]09);贵州大学研究生重点课程(贵大研ZDKC[2015]026)。
研究了一种新型双埋氧绝缘体上硅(DSOI)NMOSFET的自热效应(SHE)。通过实验测试并结合计算机数值模拟分析了SHE对DSOI NMOSFET输出特性的影响。仿真结果显示DSOI NMOSFET的背栅引出结构形成了额外的散热通道。重点研究了器件电压和环境...
关键词：双埋氧绝缘层上硅(DSOI) 自热效应(SHE) 晶格温度 退化电流 背栅 
后摩尔时代先进CMOS技术被引量：5
《微纳电子与智能制造》2021年第1期32-40,共9页金成吉 张苗苗 李开轩 刘宁 玉虓 韩根全 
国家重点研发计划(2018YFB2200500);国家自然科学基金(62025402);之江实验室重大项目(2021MD0AC01);浙江省自然科学基金(LY19F040001)资助。
随着半导体器件从平面结构走向3D结构,集成电路技术进入“后摩尔时代”。论述了目前集成电路技术的需求和集成电路产业的研发现状,梳理了在先进技术节点下的绝缘层上硅、鳍型场效应晶体管和环栅场效应晶体管等新型器件的优势、研究现状...
关键词：集成电路 绝缘层上硅 鳍型场效应晶体管 环栅场效应晶体管 工艺技术 
基于绝缘层上硅衬底的新型半导体光电探测器件研究
《微纳电子与智能制造》2021年第1期57-62,共6页刘坚 万景 
回顾了近年来课题组基于绝缘层上硅衬底(silicon-on-insulator,SOI)实现的一系列新型半导体器件成果。基于正反馈工作机制的零亚阈摆幅器件Z2-FET具有快速开关和栅控回滞特性,可用于高性能存储、静电保护和高灵敏度光电探测等领域。界...
关键词：SOI Z2-FET ICPD 光电探测 PISD FD-SOI 图像传感器 
超短沟道绝缘层上硅平面场效应晶体管中热载流子注入应力导致的退化对沟道长度的依赖性被引量：1
《物理学报》2015年第16期384-390,共7页刘畅 卢继武 吴汪然 唐晓雨 张睿 俞文杰 王曦 赵毅 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2011CBA00607);国家自然科学基金(批准号:61376097);浙江省自然科学基金(批准号:LR14F040001);功能信息材料国家重点实验室开放课题(批准号:SKL201304)资助的课题~~
随着场效应晶体管(MOSFET)器件尺寸的进一步缩小和器件新结构的引入,学术界和工业界对器件中热载流子注入(hot carrier injections,HCI)所引起的可靠性问题日益关注.本文研究了超短沟道长度(L=30—150 nm)绝缘层上硅(silicon on insulat...
关键词：绝缘层上硅 场效应晶体管 热载流子注入 沟道长度 
无引线封装高温压力传感器被引量：12
《半导体技术》2014年第12期921-925,共5页田雷 尹延昭 苗欣 吴佐飞 
研究的压力敏感芯片利用单晶硅的压阻效应原理制成；采用绝缘层上硅（S01）材料取消了敏感电阻之间的pn结，有效减小了漏电，提高了传感器的稳定性；用多层复合电极替代传统的铝电极，并应用高掺杂点电极技术，提高了传感器使用温度。...
关键词：无引线封装 高温 压力传感器 绝缘层上硅(SOI) 多层金属电极 
三星与意法半导体签署战略协议
《中国集成电路》2014年第7期5-5,共1页
意法半导体（ST）和三星电子株式会社近日签署了28nm全耗尽型绝缘层上硅（FD—SOI）技术多资源制造全方位合作协议。
关键词：意法半导体 合作协议 三星电子 绝缘层上硅 株式会社 耗尽型 
多种栅结构SOI NMOS器件ESD特性研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2013年第5期501-504,共4页何玉娟 罗宏伟 肖庆中 
国家预研项目资助项目(51308040403)
研究了不同栅结构对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现环源结构的SOI NMOS器件抗ESD能力最强,而环栅结构的器件抗ESD能力最弱,其原因可能与器件有缘区面积和电流分布有关。
关键词：静电保护 绝缘层上硅 传输线脉冲测试 栅接地N型金属-氧化层-半导体器件 
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