静电保护

作品数：112被引量：67H指数：4
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：曾传滨罗家俊姜一波韩郑生何苗更多>>
相关机构：长鑫存储技术有限公司京东方科技集团股份有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司中国科学院微电子研究所更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
江西兴勤电子有限公司
《景德镇陶瓷》2021年第6期42-42,共1页
兴勤电子工业股份有限公司创立于1979年,公司致力经营电子保护元件领域,针对电子产业的需求,提供「过电流保护」、「过电压保护」、「过温度侦测与防护」三大类的电子电路保护解决方案,产品线涵盖负温度系数热敏电阻(NTC Thermistor)、...
关键词：气体放电管 负温度系数热敏电阻 静电保护 正温度系数热敏电阻 保护元件 过电流保护 压敏电阻 过电压保护 
一种静电保护用低触发电压PMTSCR器件被引量：1
《微电子学》2021年第4期587-591,共5页廖昌俊 黄秋培 何明昊 王鑫 郑童文 刘继芝 
国家自然科学基金资助项目(61671120)。
提出了一种用于静电放电(ESD)保护的PMOS器件触发SCR器件(PMTSCR)。PMTSCR器件的开启由寄生PMOS的沟道长度、SCR器件寄生阱电阻RPW和RNW决定。器件具有触发电压低的优点。实验结果表明,通过调整PMTSCR器件的结构参数,相比于传统低电压触...
关键词：静电放点 可控硅整流器 触发电压 
静电防护用典型气体的放电特性及其机理被引量：1
《西安交通大学学报》2021年第6期77-83,共7页范鑫辰 罗志龙 徐浩铭 迟晓红 邹高兴 刘文凤 
国家自然科学基金资助项目(52077163);西安近代化学研究所开放基金合作项目(SYJJ47)。
针对火炸药生产、存储、运输以及使用过程中的静电放电问题,为了寻找抑制静电放电电压过高的可行办法,对空气、二氧化碳、氦气在0、20、40℃3种温度条件下以及压强范围0.05~0.15 MPa之间的静电击穿特性展开研究,并计算对比了静电击穿...
关键词：静电放电 典型气体 火炸药生产 静电保护 
浅析集成电路的静电保护被引量：1
《电子世界》2020年第21期197-198,共2页杨勇 蔡建荣 
随着科技的发展,人们对电子产品需求日渐增加,对集成电路的要求也随之增加,静电防护是集成电路设计、封装、运输和组装中十分重要的一部分工作。本文从静电产生的原因、静电的危害以及静电放电模型出发进行分析,最后给出了在生产中静电...
关键词：静电保护 静电防护 集成电路 电子产品 静电放电模型 
40 nm IC静态和动态ESD测试及失效分析
《南京师范大学学报（工程技术版）》2019年第4期8-12,共5页赵军伟 乔彦彬 张海峰 陈燕宁 李杰伟 符荣杰 
国家自然科学基金(U1866212)
结合电网内使用电子器件面临的复杂电磁环境,介绍芯片在静态和动态下静电放电(electrostatic discharge,ESD)的防护能力测试,分析了ESD器件充放电模式(CDM)失效的现象和定位方法.针对40 nm LQFP64封装芯片,详细介绍ESD测试过程和失效判...
关键词：静电放电 静电保护 器件充放电模式 激光束电阻异常侦测 
TFT-LCD摩擦工艺过程中静电放电不良分析及改善设计
《液晶与显示》2019年第8期733-738,共6页王国磊 陈鹏 李恒滨 王景棚 杜化鲲 马力 宋红花 王勇辉 张熠点 李宁 
本文对摩擦工艺过程中的线不良进行了分析,通过切割验证、设计方案变更验证了降低ESD风险的两个方向。通过实际的验证结果分析发现,减小填充图形的面积或者将填充图形连接到公共电极,同时搭配填充图形到信号线的距离增加到大于60μm,可...
关键词：薄膜晶体管液晶显示器 静电放电 静电保护 
电子工程的静电保护解析
《市场调查信息（综合版）》2019年第9期203-203,共1页刘剑 
电子工程往往发挥着十分关键的作用在我们平常的日常生活中,而且在这一过程中,还能够更为深入的了解到静电存在的各种效应极大的危害电子工程,文章先对电子工程与电气工程进行了介绍,然后对产生静电与导致的各种类型的影响进行了分析,...
关键词：电子工程 电气工程 科学技术 静电保护 
一种静电保护电路的版图设计研究被引量：1
《集成电路应用》2018年第12期4-6,共3页张登军 
广东省科技计划项目(2017B090908003)
国内存储器芯片快速发展,芯片的制造工艺不断提升,国内逻辑主流工艺发展到28 nm工艺节点,非挥发性存储器NAND Flash发展到24 nm工艺节点。芯片被广泛应用到各种电子产品中,集成电路芯片的ESD失效占用很大比例。它的可靠性问题越来越被关...
关键词：集成电路设计 静电保护 版图设计 寄生三极管 静电泄放 
一种纳米级存储器芯片的ESD的物理失效分析和研究
《电子科技》2018年第12期81-85,共5页张登军 逯钊琦 
目前国内存储器芯片快速发展,非挥发性存储器NOR发展到45 nm工艺节点,NAND Flash发展到24 nm工艺节点。存储器被广泛应用到各种电子产品中,芯片的制造工艺不断提升,集成电路芯片的ESD失效占用很大比例,这个可靠性问题越来越被关注。文...
关键词：静电保护 失效分析 ESD潜在损伤FIB EMMI 
高莱携新型耐高温工程聚合物母料及导电ESD改性母料亮相2018国际橡塑展
《上海化工》2018年第5期61-61,共1页Grace 
高莱公司在CHINAPLAS 2018上推出两个新系列产品,用于汽车、电子电气（E＆E）和静电保护（ESD）包装以及储存和分配等高性能应用领域.高莱首次展出T-TEC系列新型耐高温工程聚合物母料、改性母料和11种新开发的永久性导电和静电保护（ES...
关键词：高温工程 聚合物 国际橡塑展 母料 改性 导电 ESD 静电保护 
全选清除导出
共12页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部