后摩尔时代先进CMOS技术  

Advanced CMOS technology in the post-Moore era

作　　者：金成吉 张苗苗 李开轩 刘宁 玉虓 韩根全[2] JIN Chengji;ZHANG Miaomiao;LI Kaixuan;LIU Ning;YU Xiao;HAN Genquan(Zhejiang Lab,Hangzhou 311121,China;School of Microelectronics,Xidian University,Xi’an 710071,China)

机构地区：[1]之江实验室,杭州3111211 [2]西安电子科技大学微电子学院,西安710071

出　　处：《微纳电子与智能制造》2021年第1期32-40,共9页Micro/nano Electronics and Intelligent Manufacturing

基　　金：国家重点研发计划(2018YFB2200500);国家自然科学基金(62025402);之江实验室重大项目(2021MD0AC01);浙江省自然科学基金(LY19F040001)资助。

摘　　要：随着半导体器件从平面结构走向3D结构,集成电路技术进入“后摩尔时代”。论述了目前集成电路技术的需求和集成电路产业的研发现状,梳理了在先进技术节点下的绝缘层上硅、鳍型场效应晶体管和环栅场效应晶体管等新型器件的优势、研究现状及不足之处,分析了随着器件尺寸的减小,工艺技术的发展和其面临的挑战,为后摩尔时代集成电路技术的持续发展提供新的视野和观点。As the structure of semiconductor device developed from planar to 3D,integrated circuit technology entered into the post-Moore era.This paper discusses the requirements of integrated circuit(IC)technology and the current status of IC industry.The advantages,research status and issues of FDSOI,FinFET and GAA under the advanced technology nodes are summarized.The development of process technology and its challenges under advanced technology nodes are analyzed,which provides a new vision and perspective for the continuous development of IC technology in the post-Moore era.

关 键 词：集成电路 绝缘层上硅 鳍型场效应晶体管 环栅场效应晶体管 工艺技术 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]