耗尽型

作品数：63被引量：85H指数：6
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张波郝跃杜锴冯倩代波更多>>
相关机构：电子科技大学西安电子科技大学中国科学院东南大学更多>>
相关期刊：《电力电子》《微电子学与计算机》《电子测试》《现代电子技术》更多>>
相关基金：国家自然科学基金陕西省科学技术研究发展计划项目重庆市自然科学基金福建省农科院青年科技人才创新基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
耗尽型GaN非易失性存储器的研究
《固体电子学研究与进展》2025年第2期12-15,共4页邵国键 陈韬 周书同 李信 
研究了基于SiO_(2)/SiN/AlGaN/GaN结构的耗尽型GaN非易失性存储器,该存储器中SiN介质层作为电荷存储层,SiO_(2)层作为隔离层。通过在栅极施加正压实现存储器的写入模式,将电子引入SiN电荷存储层。而栅极施加负压则能实现存储器的擦除模...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 耗尽型GaN非易失性存储器 擦除模式 写入模式 循环特性 保持特性 
硅基GaN单片功率集成电路的研制
《通讯世界》2024年第8期1-3,共3页吕树海 谭永亮 默江辉 周国 付兴中 
研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片...
关键词：硅基GAN 单片集成功率IC 增强型器件 耗尽型器件 
水平结构氢终端金刚石MOSFET的研究进展
《固体电子学研究与进展》2024年第3期185-195,共11页尹灿 邢艳辉 张璇 张丽 于国浩 张学敏 张宝顺 
国家自然科学基金资助项目(60908012,61575008,61775007,62074011,62134008)。
氢等离子体处理后的金刚石表面具有导电性,室温下二维空穴气(Two-dimensional hole gas,2DHG)面密度可达1013 cm-2,因此利用氢终端金刚石制备的场效应晶体管成为研究重点。本文基于金刚石优异的物理性质,介绍了两种氢终端金刚石2DHG的...
关键词：氢终端金刚石 二维空穴气 金属氧化物半导体场效应晶体管 耗尽型 增强型 金属氧化物 
22nm全耗尽型绝缘体上硅器件单粒子瞬态效应的敏感区域
《国防科技大学学报》2024年第2期146-152,共7页张博翰 梁斌 刘小年 方亚豪 
国家自然科学基金资助项目(61974163)。
基于3D-TCAD模拟,研究了22 nm全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon-on-insulator,FDSOI)器件单粒子瞬态(single-event transient,SET)效应的敏感性区域。对比了使用单管和使用反相器来研究器件SET敏感性区域的方法,从而分析实际...
关键词：单粒子瞬态 电荷收集 双极放大效应 敏感区域 全耗尽型绝缘体上硅 
150 nm FDSOI器件的背栅NBTI效应研究
《固体电子学研究与进展》2023年第6期552-556,共5页赵杨婧 禹胜林 赵晓松 洪根深 顾祥 
负偏置温度不稳定(NBTI)是器件的主要可靠性问题之一,本文通过对150 nm工艺的FDSOI器件进行加速应力试验,分析了不同栅极偏置应力、温度应力下器件阈值电压和饱和电流的退化特性,发现背栅偏置更容易导致NBTI退化,同时研究了正背栅耦合...
关键词：负偏置温度不稳定性(NBTI) 全耗尽型绝缘体上硅 背栅偏置 正背栅应力耦合 
带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关设计
《通信电源技术》2023年第5期23-26,共4页杨柳 
设计了一款带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关(Single-Pole Three-Throw,SP3T)芯片。该芯片集成了单刀三掷开关和数字驱动器。单刀三掷开关由2个单刀双掷开关级联组成。单刀双掷开关采用吸收式开关结构,可以实现更好的关态驻波比。驱...
关键词：微波单片集成电路(MMIC) 增强/耗尽型(E/D)高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单刀三掷开关(SP3T) 数字驱动 直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL) 
用于关断耗尽型GaN器件的Buck-Boost负压电路
《微电子学》2021年第4期487-493,共7页许齐飞 毛帅 冯旭东 明鑫 张波 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402800);国家自然科学基金资助项目(61974019)。
设计了一种Buck-Boost负压关断电平产生电路。通过引入动态调整关断时间的计时模块、分段电流限模块和纹波高速检测模块,实现了在耗尽型GaN器件快速开关时稳定栅极负压的供给,有效消除了耗尽型GaN器件在高压应用时密勒误开启现象的发生...
关键词：耗尽型GaN BUCK-BOOST变换器 恒定导通时间 高速比较器 
一种集成于BUCK芯片的5V低压差线性稳压器被引量：6
《电子与封装》2021年第7期38-41,共4页屈柯柯 祝乃儒 张海波 
基于BCD工艺设计了一种12 V输入5 V输出的带有片外电容的低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路,该电路主要应用于降压拓扑(BUCK)系统中,给内部模拟电路供电。该LDO使用N型场效应晶体管(NMOS)做输出管,使用密勒补偿,同时还...
关键词：低压差线性稳压器 温度补偿 耗尽型NMOS 频率补偿 
0.5~2.7 GHz GaAs超宽带多功能MMIC芯片设计被引量：2
《半导体技术》2021年第2期129-133,157,共6页丁有源 王青松 牛伟东 
基于0.25μm GaAs增强/耗尽型(E/D模)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了并行驱动器的多功能单片微波集成电路(MMIC)芯片。该芯片的移相器采用磁耦合全通网络(MCAPN)结构,功率分配器则使用集总元件进行集成,不...
关键词：GAAS 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 增强/耗尽型(E/D模) 单片微波集成电路(MMIC) 磁耦合全通网络(MCAPN) 功率分配器 数字驱动器 
GaN功率器件栅驱动电路技术综述被引量：14
《微电子学》2020年第2期207-213,共7页冯旭东 胡黎 张宣 明鑫 周琦 张波 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402800)。
第三代宽禁带半导体GaN晶体管具有低导通阻抗、低寄生参数和更快的开关速度,有望取代传统Si MOSFET,成为未来高性能电源系统实现方案。GaN器件的优势在400 V以上高压系统中更为明显,可以实现更高的开关频率和功率密度,显著提高系统的转...
关键词：低压GaN驱动 高压GaN驱动 无磁芯变压器隔离 耗尽型GaN 负压栅驱动 
全选清除导出
共7页<1234567>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部