硅基GaN单片功率集成电路的研制  

作　　者：吕树海[1] 谭永亮[1] 默江辉[1] 周国[1] 付兴中[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《通讯世界》2024年第8期1-3,共3页Telecom World

摘　　要：研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片功率集成电路的最大电流大于600 mA。研制结果验证了全GaN工艺实现逻辑驱动电路和功率器件系统集成的可行性,为复杂功能电路的开发提供方向和思路。

关 键 词：硅基GAN 单片集成功率IC 增强型器件 耗尽型器件 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]