硅基GAN

作品数：22被引量：14H指数：2
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：薛成山庄惠照程新红俞跃辉周琦更多>>
相关机构：中国科学院电子科技大学浙江大学华南理工大学更多>>
相关期刊：《光子学报》《军民两用技术与产品》《半导体信息》《人工晶体学报》更多>>
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硅基GaN单片功率集成电路的研制
《通讯世界》2024年第8期1-3,共3页吕树海 谭永亮 默江辉 周国 付兴中 
研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片...
关键词：硅基GAN 单片集成功率IC 增强型器件 耗尽型器件 
低压硅基GaN射频器件
《固体电子学研究与进展》2023年第4期F0003-F0003,共1页张凯 朱广润 房柏彤 王伟凡 汪流 陈堂胜 
基于硅基GaN的射频器件具有高功率、高效率、宽带工作以及低成本、批量化生产的优势,有望应用于5G移动终端等重要场景,具有巨大市场潜力。南京电子器件研究所发展了低损耗低方阻硅基GaN射频材料,开发了低阻欧姆接触技术,接触电阻(RC)仅...
关键词：射频器件 欧姆接触 GaN 批量化生产 方阻 巨大市场潜力 接触电阻 低损耗 
基于200 mm硅基GaN的单色Micro LED微显示芯片制备及量产难点分析
《光电子技术》2023年第2期129-132,共4页彭劲松 杨建兵 殷照 汪曾峰 宋琦 吴焱 
应用200 mm硅基GaN外延片,研究晶圆级键合、薄膜转移和微小尺寸像素制备等技术,实现了Micro LED微显示阵列的点亮与显示功能。相对于传统蓝宝石基GaN外延晶圆,200 mm硅基GaN外延晶圆与硅基驱动晶圆尺寸更匹配,有利于通过晶圆键合工艺实...
关键词：发光二极管微显示芯片 硅基氮化镓外延片 显示缺陷 
硅基GaN微腔制作及其激射特性(特邀)被引量：2
《光子学报》2022年第2期53-61,共9页马立龙 谢敏超 欧伟 梅洋 张保平 
国家重点研究发展计划(No.2017YFE0131500);国家自然科学基金(No.62104204);厦门大学校长基金(No.ZK1029)。
提出了一种新的Si衬底上GaN微盘谐振腔的制备方式,避免了传统Si基GaN器件中晶体质量较差以及外延层较厚对器件性能的影响。本工作中GaN的外延生长使用蓝宝石衬底,随后将外延层转移至硅衬底上进行微盘谐振腔的制备。外延生长时靠近衬底侧...
关键词：半导体器件与技术 微腔 氮化镓 硅 高品质因子 低阈值 高温工作 
高阻硅基GaN晶片上MIS栅结构GaN HEMT射频器件研制被引量：1
《微波学报》2019年第4期16-20,共5页顾子悦 吴灯鹏 程新红 刘晓博 俞跃辉 
上海市科委项目(18511105202,17521106400)
5G通信中3.4~3.6 GHz是主要使用频段。GaN射频器件由于高频、低功耗、高线性度等优势,满足5G通信应用需求。文中在高阻硅基GaN外延片上研制了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT),并分析了金属-绝缘...
关键词：高阻硅 氮化镓射频 金属-绝缘层-半导体栅结构 
突破可靠性与成本桎梏硅基GaN功率器件车载应用时机已成熟
《半导体信息》2019年第2期27-31,共5页
随着全球新能源汽车市场的广泛铺开,功率如今也成为各大整车OEM及用户所关注的热点之一,如何有效地管理和使用电源功率已成为当下新能源类产品在全球汽车市场实现规模化普及的关键挑战。
关键词：GAN 功率器件 车载应用 栅极电压 氮化镓 
世界首个8英寸无色散常闭式／增强型硅基GaN功率器件问世
《军民两用技术与产品》2017年第13期25-25,共1页
比利时微电子研究中心（IMEC）在200mm／8英寸（20．32cm）硅基上成功开发出了200V和650V无色散常闭式／增强型氮化镓（GaN）功率器件。该器件具有超低动态导通电阻（20％以下）、先进的性能和再现性，以及良好的可靠性。
关键词：功率器件 增强型 常闭式 无色散 硅基 GaN 世界 导通电阻 
IMEC宣布8英寸硅基GaN功率器件取得突破
《电子与封装》2017年第6期26-26,共1页赵博 
比利时微电子研究中心（IMEC）近日宣布,在8英寸硅基Ga N晶圆上开发出200 V和650 V无分散常闭/增强型（dispersion-free normally-off/enhancement mode）功率器件,实现了超低动态导通电阻Ro（n20%以下）以及领先性能和复现能力。IMEC...
关键词：GaN IMEC 原型设计 定制生产 导通电阻 技术转移 领先性 强型 研究中心 normally 
硅基GaN超级结器件研究被引量：1
《半导体技术》2014年第1期51-55,共5页于宗光 黄伟 李海鸥 
国家自然科学基金资助项目(61274077);江苏省333工程科研资助项目(BRA2011115)
提出采用硅基F-离子处理技术研制硅基GaN超级结高压器件,并建立了三维电荷器件模型。实验结果表明,当栅极电压偏置于-1.25^-0.25 V时,漂移区长度为10μm的新器件其峰值跨导g m(max)出现最大值约为390 mS/mm,且较为平缓。该器件导通电阻...
关键词：宽禁带半导体 氮化镓异质结 超级结 F-离子处理技术 比导通电阻 
硅基GaN功率半导体技术被引量：4
《电力电子技术》2012年第12期22-33,共12页周琦 陈万军 张波 
国家自然科学基金重点项目(61234006);国家自然科学基金面上项目(61274090)~~
宽禁带半导体氮化镓(GaN)器件具有高压、高速、高功率、高效率、耐高温等优点,针对未来功率电子应用,GaN器件具有传统Si材料器件所不可比拟的优势。Si基GaN(GaN-on-Si)功率半导体技术由于使用Si衬底材料,可在大直径硅晶圆上外延GaN且具...
关键词：半导体 功率器件 功率集成 
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