IMEC宣布8英寸硅基GaN功率器件取得突破  

作　　者：赵博 

出　　处：《电子与封装》2017年第6期26-26,共1页Electronics & Packaging

摘　　要：比利时微电子研究中心（IMEC）近日宣布,在8英寸硅基Ga N晶圆上开发出200 V和650 V无分散常闭/增强型（dispersion-free normally-off/enhancement mode）功率器件,实现了超低动态导通电阻Ro（n20%以下）以及领先性能和复现能力。IMEC表示正在准备进行原型设计、小批量定制生产与技术转移。

关 键 词：GaN IMEC 原型设计 定制生产 导通电阻 技术转移 领先性 强型 研究中心 normally 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]