低压硅基GaN射频器件  

Low Voltage GaNRF HEMTs on Silicon Substrates

作　　者：张凯[1,2] 朱广润 房柏彤 王伟凡 汪流 陈堂胜 ZHANG Kai;ZHU Guangrun;FANG Baitong;WANG Weifan;WANG Liu;CHEN Tangsheng(Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN;National Key Laboratory of Solid state Microwave Devices and Circuits,Nanjing,210016,CHN)

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016 [2]固态微波器件与电路全国重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2023年第4期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：基于硅基GaN的射频器件具有高功率、高效率、宽带工作以及低成本、批量化生产的优势,有望应用于5G移动终端等重要场景,具有巨大市场潜力。南京电子器件研究所发展了低损耗低方阻硅基GaN射频材料,开发了低阻欧姆接触技术,接触电阻(RC)仅有0.073Ω·mm(如图1所示),掌握了0.15μm和0.25μm低压器件设计与制备工艺。

关 键 词：射频器件 欧姆接触 GaN 批量化生产 方阻 巨大市场潜力 接触电阻 低损耗 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]