功率集成

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新材料企业在新形势下用管理创新实现弯道超车
《中国商界》2025年第4期220-221,共2页张云飞 
在全球新材料产业迅猛发展的背景下,市场需求展现出多元化趋势,特别是在功率集成电路、新能源等领域,新材料技术的迭代升级不仅实现了运行速度提升、充电效率提高以及能耗降低等显著应用价值,更推动整个产业格局的重塑。当前新材料企业...
关键词：需求多样化 协同创新 新材料技术 新材料产业 功率集成电路 环保节能型 弯道超车 充电效率 
氮化镓基单片功率集成技术被引量：1
《电子科技大学学报》2024年第5期685-697,共13页周靖贵 陈匡黎 周琦 张波 
国家自然科学基金(62174019);广东省基础与应用基础研究项目(2021B1515140039,2024A1515012139)。
宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频...
关键词：氮化镓 异质结 二维电子气 高电子迁移率晶体管 氮化镓单片功率集成 P沟道 
智能功率集成电路在电机控制中的应用
《集成电路应用》2024年第9期8-9,共2页朱蓉 
阐述为完成电机的有效控制,需要借助专业的技术手段,实现电能的合理应用。同时,在为各类芯片供给电能时,应采用智能功率集成电路,确保电机始终处于稳定的运行状态。为此,分析智能功率集成电路及其在电机控制中的运用策略,包括分布电路...
关键词：集成电路 智能功率器件 电机控制 
薄硅膜SOI N型LDMOS浮体效应优化研究
《中国集成电路》2024年第6期72-74,81,共4页纪旭明 邵红 李金航 顾祥 张庆东 谢儒彬 
为避免PD SOI浮体效应对高压N型LDMOS器件的击穿电压的影响,本文从SOI LDMOS器件的结构和工艺出发,分析了N型LDMOS衬底电荷积累的影响,研究体引出优化方法,通过流片验证了方案的可行,规避了浮体效应引起的击穿电压的降低及漏电增加,为SO...
关键词：PD SOI LDMOS 浮体效应 击穿电压 功率集成 
功率集成电路TID加固环栅器件研究现状综述被引量：1
《微电子学》2023年第6期957-964,共8页罗萍 吴昱操 范佳航 张致远 冯皆凯 赵忠 
重庆市自然科学基金资助项目(CSTB2023NSCQMSX0153)
总结了标准工艺下功率集成电路中总剂量辐射(TID)加固环栅MOS器件与环栅功率器件的研究现状,归纳了不同结构形态的环栅器件的性能优劣,推荐8字形环栅MOS器件、华夫饼功率器件及回字形LDMOS器件结构用于功率集成电路的TID加固设计。同时...
关键词：总剂量辐射加固 环栅MOS器件 环栅功率MOS 等效W/L建模 环栅器件建库 
基于在线LASSO VAR和EGARCH模型的风场功率集成概率预测被引量：2
《上海交通大学学报》2023年第7期845-858,共14页王鹏 李艳婷 张宇 
国家自然科学基金面上项目(72072114)。
由于风速波动性大,风力发电往往呈现一定的不确定性.传统风能预测模型以均值为0、方差固定的正态分布度量不确定性,但方差可能随时间变化,即具有异方差性.为提升预测精度,基于在线最小绝对收缩和选择算子的向量自回归(LASSO VAR)和指数...
关键词：在线LASSO VAR 异方差 指数条件异方差模型 概率预测 
一种基于交错自举控制技术的全集成SCPC浮动电压驱动电路
《微电子学》2023年第2期209-214,共6页郑心易 罗萍 
广东省基础与应用基础研究基金资助项目(2021A1515011309)。
设计了一种适用于全集成开关电容功率转换器(SCPC)的浮动电压驱动电路。该电路采用交错自举控制技术,周期性地利用多相交错SCPC中的特定单元为其他单元提供自举驱动。该电路实现了全部功率开关的浮动电压驱动,并且适用于所有SCPC拓扑。...
关键词：开关电容功率转换器 浮动电压驱动 功率集成电路 
绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术被引量：1
《电子学报》2023年第2期514-526,共13页张龙 刘斯扬 孙伟锋 马杰 盘成务 何乃龙 张森 苏巍 
国家自然科学基金(No.62274032,No.62174029);江苏省科技成果项目(No.BA2022005,No.BA2020027)。
利用单芯片集成技术制造的智能功率芯片具有体积小、寄生小、损耗低等方面的优势,其技术难度远高于传统的多芯片、单封装形式的智能功率模块.本文首先介绍了单片智能功率芯片的架构与技术需求;然后,探讨了绝缘体上硅功率半导体单芯片集...
关键词：功率半导体 绝缘体上硅 单片集成 功率集成电路 功率器件 
纵向BCD工艺的设计与功率集成技术研究被引量：1
《装备制造技术》2023年第2期77-80,130,共5页李小红 杨世红 余远强 成荣花 胡继超 苗东铭 徐永年 温灵生 
随着功率集成电路对高集成度、低功耗等要求不断提高,越来越多的功率模块被集成到一块半导体芯片上,由此BCD工艺应运而生。BCD工艺是一种采用单片集成技术,将双极晶体管Bipolar、互补金属氧化物半导体CMOS逻辑电路以及大功率的双扩散金...
关键词：VDMOS LDMOS 纵向BCD 功率集成 结隔离 
GaN基互补型逻辑电路的研究进展及挑战被引量：2
《电子与封装》2023年第1期1-10,共10页张彤 刘树强 何亮 成绍恒 李柳暗 敖金平 
国家自然科学基金(61904207);四川省自然科学基金(22NSFSC0886)。
氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管具有工作频率高、导通损耗低等优点,已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中。为了充分发挥GaN功率器件的潜能,需要将功率开关器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成以减少寄生参数。...
关键词：GAN 功率集成电路 增强型器件 互补金属-氧化物-半导体 逻辑电路 稳定性 
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