VDMOS

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多芯片组件功率芯片粘接失效分析及工艺改进
《电子工艺技术》2025年第2期15-18,共4页孙鑫 金家富 闵志先 吴伟 张建 何威 
科技基础加强计划项目。
在微波多芯片组件中,VDMOS功率芯片常见的组装模式为粘接或焊接。导电胶粘接芯片虽具有操作简单、工艺温度低和便于返修的优点,但芯片的流片过程中易引入污染,在水、氧气条件下与背金电镀Ni层、导电胶Ag粉发生电化学腐蚀,导致接触电阻...
关键词：多芯片组件 VDMOS 粘接 焊接 钼铜载体 
军用DC/DC电源模块失效分析研究
《电子与封装》2025年第4期31-38,共8页李鹏 张竹风 王自成 刘红 赵国发 
针对某武器系统研制过程中出现的2只DC/DC电源模块输出异常问题,通过制定失效分析方案探究其失效机理。对失效模块进行外观检查,各管脚均存在不同程度的绝缘子破裂现象;进行电性能和I-V特性曲线测试,并与合格样品进行对比,发现2只失效...
关键词：DC/DC电源模块 失效分析 VDMOS烧毁 焊接不良 
250V VDMOS场限环终端的抗单粒子加固研究
《微电子学与计算机》2025年第1期117-124,共8页唐新宇 徐海铭 廖远宝 张庆东 
基于Sentaurus TCAD二维数值仿真方法,对N沟道250 V功率垂直双扩散金属氧化物半导体器件(Vertical Double-diffsed:Metal-Oxide-Semiconductor,VDMOS)的场限环(Field Limit Ring,FLR)终端单粒子烧毁(Single Event Burnout,SEB)机理进行...
关键词：功率VDMOS 单粒子 结终端 场限环 缓冲层 
VDMOS单粒子效应简化电路模型研究
《集成电路与嵌入式系统》2024年第8期72-77,共6页徐大为 徐政 吴素贞 陈睿凌 赵小寒 彭宏伟 
通过在功率VDMOS器件的等效电路模型中引入电阻分析器件的表面电压对其单粒子效应的影响。根据仿真数据,分析颈区宽度、P+注入和反向传输电容等参数对器件的影响,设计了250 V器件并进行辐照试验。仿真结果及试验结果与模型分析的结论一...
关键词：功率VDMOS器件 单粒子效应 简化电路模型 表面电压 
1500 V超结功率MOS器件优化与电容特性研究
《电子学报》2024年第7期2271-2278,共8页种一宁 李珏 乔明 
广东省基础与应用基础研究基金(No.2021B1515020031);国家自然科学基金(No.62174024);航空科学基金(No.201943080002)~~。
本文利用半超结结构进行高压超结功率金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)器件的设计,基于Sentaurus TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真平台设计超结元胞结构并优化高压超结功率MOS器件的击穿电压与导通电阻,随...
关键词：超结VDMOS 元胞 击穿电压 比导通电阻 寄生电容 
1000V 4H-SiC VDMOS结构设计与特性研究
《半导体光电》2024年第3期378-383,共6页李尧 牛瑞霞 王爱玲 王奋强 蓝俊 张栩莹 张鹏杰 刘良朋 吴回州 
国家自然科学基金项目(61905102,62264008);兰州市青年科技人才创新项目(2023-QNQ-119).
设计并优化了一种基于4H-SiC的1000V垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS),在留有50%的裕度后,通过Silvaco仿真软件详细研究了器件各项参数与耐压特性之间的关系。经优化,器件的阈值电压为2.3V,击穿电压达1525V,相较于相同耐...
关键词：4H-SIC 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 击穿电压 漂移区参数 沟道长度 
3200 V双p阱终端VDMOS击穿特性仿真研究
《半导体光电》2023年第6期837-844,共8页李尧 王爱玲 王奋强 蓝俊 牛瑞霞 张鹏杰 张栩莹 吴回州 刘良朋 
国家自然科学基金项目(61905102);甘肃省自然科学基金项目(20JR5RA385);甘肃省教育厅创新能力提升项目(2019A-035)。
基于场限环终端技术理论,提出了一种具有双p阱结构的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)。通过数值模拟软件分别仿真了p阱各项参数和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系,提取器件击穿时的表面电场并分析其击穿机理。研究结果表...
关键词：VDMOS P阱 漂移区掺杂浓度 击穿电压 表面电场分布 
功率VDMOS器件辐射效应研究进展被引量：1
《黑龙江科学》2023年第24期1-8,共8页张玉宝 魏亚东 杨剑群 蒋继成 姚钢 李兴冀 
黑龙江省科学院科学研究基金(KY2022YZN03)资助。
垂直沟道双扩散金属-氧化层-半导体场效应晶体管(VDMOS)是一类继MOSFET之后发展起来的高效功率开关器件,其沟道长度由外延层的厚度来控制,适合于MOS器件向短沟道尺寸发展,可提高器件的高频性能及工作效率。功率VDMOS晶体管是一类适用于...
关键词：VDMOS 电离辐射 总剂量 辐射效应 
Buck隔离型DC/DC变换器在高剂量率条件下的总剂量辐射损伤机理研究
《微电子学》2023年第6期988-993,共6页丛忠超 周军 李占行 常耀东 王海洋 李彭 
中国科学院西部之光基金资助项目(2019-XBQNXZ-B-013)
对国产Buck型正激DC/DC电源变换器在高剂量率辐射条件下开展电离总剂量辐照试验。分析了DC/DC电源变换器的关键电性能参数和功能随辐照总剂量的变化情况,并对DC/DC的失效机理和失效模式进行研究。通过机理分析定位辐照敏感单元。此外,...
关键词：DC/DC变换器 电离总剂量辐照 损伤机理 辐射效应 VDMOS 
硅基N沟道VDMOS不同偏置下总剂量效应研究
《固体电子学研究与进展》2023年第5期450-455,共6页李潇 崔江维 郑齐文 李鹏伟 崔旭 李豫东 郭旗 
中国科学院西部之光项目(2019-XBQNXZ-A-003);中国科学院青年创新促进会项目(2020430);国家自然科学基金资助项目(12275352)。
通过^(60)Coγ射线辐照试验,研究了不同栅极和漏极偏置下硅基N沟道VDMOS器件的总剂量效应,获得了器件的电学特性与低频噪声特性随辐射总剂量的变化规律。试验结果表明:受辐射诱生的氧化物陷阱电荷与界面陷阱电荷的影响,在栅极偏置为+20 ...
关键词：总剂量效应 N沟道VDMOS 偏置效应 电学特性 低频噪声特性 
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