徐政

作品数：14被引量：5H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文主题：单粒子半导体功率器件抗辐射多晶氧更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《集成电路与嵌入式系统》《微电子学与计算机》《电子与封装》更多>>
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VDMOS单粒子效应简化电路模型研究
《集成电路与嵌入式系统》2024年第8期72-77,共6页徐大为 徐政 吴素贞 陈睿凌 赵小寒 彭宏伟 
通过在功率VDMOS器件的等效电路模型中引入电阻分析器件的表面电压对其单粒子效应的影响。根据仿真数据,分析颈区宽度、P+注入和反向传输电容等参数对器件的影响,设计了250 V器件并进行辐照试验。仿真结果及试验结果与模型分析的结论一...
关键词：功率VDMOS器件 单粒子效应 简化电路模型 表面电压 
Trench型N-Channel MOSFET低剂量率效应研究
《微电子学与计算机》2024年第5期134-139,共6页徐海铭 唐新宇 徐政 廖远宝 张庆东 谢儒彬 洪根深 
基于抗辐射100V Trench型N-Channel MOSFET开展了不同剂量率的总剂量辐射实验并进行了分析,创新性提出了器件随低剂量率累积以及不同偏置状态下的变化趋势和机理,给出了器件实验前后的转移曲线和直流参数,进行了二维数值仿真比较,证明...
关键词：槽型场效应管 总剂量电离效应 阈值漂移 低剂量率 
基于衬底材料优化的抗辐射功率器件SEB加固技术被引量：1
《电子与封装》2023年第4期69-74,共6页徐政 郑若成 吴素贞 徐海铭 廖远宝 唐新宇 
在外延层和衬底之间增加缓冲层能够提高器件的二次击穿电压,从而提高器件的单粒子烧毁(SEB)阈值电压。仿真对比了抗辐射加固纵向扩散金属氧化物场效应管(VDMOS)的单层缓冲层和掺杂线性梯度变化缓冲层的二次击穿特性和电场分布。在掺杂...
关键词：功率VDMOS SEB 缓冲层 抗辐射加固 
一种改善器件性能的Halo工艺
《电子与封装》2016年第9期35-39,共5页徐政 李红征 赵文彬 
短沟效应是MOS器件特征尺寸缩小面对的关键挑战之一。Halo结构能够有效抑制短沟效应,合理的Halo区掺杂分布可以改善小尺寸器件性能。在对Halo注入条件进行优化的过程中,不仅考虑了Halo注入倾角和注入能量对器件常温特性和高低温特性的影...
关键词：HALO 短沟效应 离子注入 掺杂分布 多晶条宽 
CMOS工艺中等离子体损伤WAT方法研究被引量：1
《电子与封装》2016年第6期31-35,共5页陈培仓 徐政 李俊 
WAT(Wafer Accept Test)即硅圆片接收测试,就是在半导体硅片完成所有的制程工艺后,对硅圆片上的各种测试结构进行电性测试,它是反映产品质量的一种手段,是产品入库前对wafer进行的最后一道质量检验。随着半导体技术的发展,等离子体工艺...
关键词：CMOS WAT 等离子体 损伤 半导体工艺 
SRAM中器件参数的设计方法
《电子与封装》2015年第11期43-47,共5页徐政 李红征 赵文彬 
为了解决含有SRAM产品转线时器件参数匹配的问题,首先对晶圆制造厂提供的SPICE模型,使用BSIMPROPLUS软件提取出SRAM单元中器件的阈值、饱和电流、漏电等参数,然后使用提取出的器件参数计算出SRAM单元在不同工艺角的翻转电压、功耗、读...
关键词：静态随机存储器 参数匹配 工艺角 
硅化钛场板的工艺条件与特性研究
《电子与封装》2013年第10期33-35,共3页许帅 徐政 吴晓鸫 
场板的制备工艺与特性研究对提高RF LDMOS大功率器件的可靠性与耐高压性有重要意义。文中制备了一种"Si衬底-SiO2-多晶-硅化钛-金属"结构的场板,分析了其工艺条件对特性的影响,并优化其工艺条件。实验表明:PESiO2加200 nm的多晶介质层...
关键词：硅化钛 场板 CV特性 稳定性 
RF LDMOS功率器件关键参数仿真
《电子与封装》2012年第8期33-35,48,共4页陈慧蓉 顾爱军 徐政 
在RF LDMOS功率器件中,击穿电压、截止频率fT和导通电阻Ron是器件的关键参数,为提高这几个器件性能参数可采取的各种措施又往往是相互矛盾和相互制约的。文中研究了几个参数之间的关系和优化方案。现在RF LDMOS功率器件在向高工作电压...
关键词：RF LDMOS 击穿电压 导通电阻 输出电容 输出功率 
RF LDMOS器件仿真与单元设计
《电子与封装》2011年第9期18-22,共5页顾吉 王涛 徐政 
RF LDMOS器件在GSM/CDMA移动通讯基站、数字广播电视发射、射频通讯领域应用广泛,RF LDMOS在这些领域中的地位类似于CPU在计算机和互联网领域的核心地位。尤其,RF LDMOS器件对于国防科技和军事通讯领域的意义显得更为突出。对于RF LDMO...
关键词：仿真 RF LDMOS 二层多晶场板 
高兼容CMOS工艺嵌入EEPROM技术
《电子与封装》2008年第7期31-33,42,共4页封晴 徐政 钱宏文 
电可擦除只读存储器是非易失性存储器。文章介绍了高兼容常规CMOS工艺的一种嵌入式电可擦除只读存储器设计与工艺技术,对电可擦除只读存储器单元、高压MOS器件的结构与技术进行了研究。研究结果表明,我们设计的0.8μm电可擦除只读存储...
关键词：非易失性存储器 电可擦除只读存储器 CMOS 工艺 嵌入EEPROM 
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