短沟效应

作品数：24被引量：14H指数：2
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相关期刊：《安徽大学学报（自然科学版）》《清华大学学报（自然科学版）》《微电子技术》《大自然探索》更多>>
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应用反短/窄沟效应优化亚阈值SRAM单元
《哈尔滨工业大学学报》2017年第4期61-65,共5页蔡江铮 袁甲 陈黎明 黑勇 
国家自然科学基金(61306039);中科院战略性先导科技专项基金(XDA06020401)
为缓解传统存储器单元尺寸设计方法在亚阈值区引入的面积和外围电路开销问题,采用晶体管的反短沟效应和反窄沟效应改进传统方法,不仅解决了亚阈值电压下单元面积和外围辅助电路开销过大的问题,还进一步提升了单元的噪声容限和读写速度....
关键词：亚阈值 静态随机存储器 尺寸设计 反窄沟效应 反短沟效应 
一种改善器件性能的Halo工艺
《电子与封装》2016年第9期35-39,共5页徐政 李红征 赵文彬 
短沟效应是MOS器件特征尺寸缩小面对的关键挑战之一。Halo结构能够有效抑制短沟效应,合理的Halo区掺杂分布可以改善小尺寸器件性能。在对Halo注入条件进行优化的过程中,不仅考虑了Halo注入倾角和注入能量对器件常温特性和高低温特性的影...
关键词：HALO 短沟效应 离子注入 掺杂分布 多晶条宽 
FINFET技术
《数字技术与应用》2014年第1期66-68,共3页朱范婷 
CMOS的发展紧随摩尔定律的步伐不断缩小特征尺寸的同时,不断增加的亚阈值电流和栅介质漏电流成为了阻碍工艺进一步发展的主要因素。于是减少漏电流,提高器件的稳定性成为CMOS向22nm以下节点发展的重要挑战.独特的FinFET器件结构在抑制...
关键词：低功耗 短沟效应 
部分重叠双栅MOSFET特性的研究
《安徽大学学报（自然科学版）》2012年第2期43-47,共5页韩名君 赵阳 柯导明 
国家自然科学基金资助项目(61076086);安徽省科技计划基金资助项目(2008307);安徽省自然科学基金资助项目(KJ2010B472);东南大学MEMS重点实验室开放基金资助项目
研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知:部分重叠双栅MOSFET器件通过沟道电场的调节,可降低短沟效应和等效栅电...
关键词：部分重叠双栅 分裂双栅 短沟效应 栅电容 沟道表面电场 
半导体技术
《中国无线电电子学文摘》2010年第1期53-62,共10页
关键词：半导体技术 发光二极管 二次缺陷 器件性能 短沟效应 扩展电阻 量子点 提取效率 出光效率 击穿电压 
Halo结构器件研究综述
《半导体技术》2009年第8期726-729,共4页陈昕 
随着集成电路产业的迅速发展,CMOS工艺已进入≥22nm特征尺寸的研究。讨论了Halo结构在当前工艺尺寸等比例缩小挑战背景下的应用情况。与传统长沟器件结构进行了比较,指出由于短沟效应(SCE)和漏致势垒降低(DIBL)效应需要专门工艺来克服,H...
关键词：HALO结构 短沟效应 漏致势垒降低效应 工艺等比例缩小 
MOSFET和Poly-Si TFTs参数提取策略的研究
《半导体技术》2009年第7期653-657,共5页魏长河 郑学仁 
国际合作项目(2006440003070462)
随着半导体制造技术的不断改善和工艺的不断升级,精确的模型参数对于代工厂和设计者尤为重要。而参数提取策略的选择是整个参数提取过程中的关键步骤。该研究以伯克利大学开发的SPICE Level-3MOSFET和多晶硅薄膜晶体管模型为研究对象,...
关键词：多晶硅薄膜晶体管 短沟效应 阈值电压 漏电流 参数提取 
IMEC在高k/金属栅上的进展
《集成电路应用》2008年第3期56-56,共1页Laura Peters 
在IEEE国际电子器件会议（IEDM）上,IMEC报告了一项重大进展,即在32nm节点上,利用铪基高k介质和TaC金属栅极可显著提高平面CMOS的性能。通过在栅介质和金属栅之间增加一薄层介质盖可获得较低的阈值电压（Vt）和导带及价带间的有效功函数...
关键词：金属栅极 薄层介质 电子器件 IEEE CMOS 阈值电压 退火过程 短沟效应 
Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化被引量：2
《固体电子学研究与进展》2007年第1期130-133,共4页王兵冰 汪洋 黄如 张兴 
国家自然科学基金资助项目(90207004)
通过模拟和实验研究了不同的halo注入角度的NMOSFET,研究发现halo的注入角度越大,热载流子效应的退化越严重。考虑到由于热载流子的注入造成栅氧化层损伤,使器件可靠性变差,halo注入时应该采用小的倾角注入。
关键词：HALO 热载流子效应 短沟效应 漏感应势垒降低效应 N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管 
高k栅介质MOSFETs的二维阈值电压模型
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1725-1731,共7页季峰 徐静平 Lai P T 陈卫兵 李艳萍 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60376019)~~
给出包括栅电介质与耗尽层区域的边界条件和二维沟道电势分布.根据这个电势分布,得出高k栅介质MOSFET的阈值电压模型,模型中考虑短沟道效应和高k栅介质的边缘场效应.模型模拟结果和实验结果能够很好地符合.通过和一个准二维模型的结果...
关键词：高K栅介质 MOSFET 阈值电压 边缘场 短沟效应 
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