IMEC在高k/金属栅上的进展  

作　　者：Laura Peters 

出　　处：《集成电路应用》2008年第3期56-56,共1页Application of IC

摘　　要：在IEEE国际电子器件会议（IEDM）上,IMEC报告了一项重大进展,即在32nm节点上,利用铪基高k介质和TaC金属栅极可显著提高平面CMOS的性能。通过在栅介质和金属栅之间增加一薄层介质盖可获得较低的阈值电压（Vt）和导带及价带间的有效功函数（WF）。此外,栅叠层的激光退火过程明显降低了最小的可能栅长,增强了对短沟效应的控制能力。

关 键 词：金属栅极 薄层介质 电子器件 IEEE CMOS 阈值电压 退火过程 短沟效应 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学] TQ028.67[化学工程]