Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化  

Optimized Design of HCE Degradation Induced by Tilt of Halo

作　　者：王兵冰[1] 汪洋[1] 黄如[2] 张兴[2] 

机构地区：[1]北京大学深圳研究生院,深圳518055 [2]北京大学微电子所,北京100871

出　　处：《固体电子学研究与进展》2007年第1期130-133,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助项目(90207004)

摘　　要：通过模拟和实验研究了不同的halo注入角度的NMOSFET,研究发现halo的注入角度越大,热载流子效应的退化越严重。考虑到由于热载流子的注入造成栅氧化层损伤,使器件可靠性变差,halo注入时应该采用小的倾角注入。In this paper, NMOSFET with wide range of tilt angle of halo implant had been simulated and processed. It was found that HCE degraded more seriously with the higher tilt angle. We suggested a low tilt angle should be adopted considering the trap creation in gate oxide, due to the hot carrier injection.

关 键 词：HALO 热载流子效应 短沟效应 漏感应势垒降低效应 N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]