热载流子效应

作品数：96被引量：93H指数：4
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不同宽长比的柔性LTPS TFT的电应力可靠性
《半导体技术》2024年第6期589-595,共7页张之壤 朱慧 刘行 张轶群 徐朝 郑文轩 
国家自然科学基金(62374012)。
为了研究不同宽长比的柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的电应力可靠性,测试了器件的I-V特性,以表征器件在强电场直流应力下由于自热效应和热载流子效应带来的电学性能退化。通过瞬态电流法表征了器件在强电场直流应力下的时间常数谱...
关键词：柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT) 自热效应 热载流子效应 瞬态电流 强电场直流应力 
叠层SOI MOSFET不同背栅偏压下的热载流子效应
《半导体技术》2023年第8期665-669,675,共6页汪子寒 常永伟 高远 董晨华 魏星 薛忠营 
国家重点研发计划项目(2022YFB4401700)。
叠层绝缘体上硅(SOI)器件通过调节背栅偏压来补偿辐照导致的阈值电压退化,对于长期工作在辐射环境中的叠层SOI器件,热载流子效应也是影响其可靠性的重要因素。因此,采用加速老化的方法研究了叠层SOI NMOSFET在不同背栅偏压下的热载流子...
关键词：叠层绝缘体上硅(SOI) 热载流子效应 背栅偏压 TCAD仿真 界面陷阱电荷 
40nm NMOS器件沟道热载流子效应和电离总剂量效应关联分析被引量：2
《现代应用物理》2022年第1期180-185,共6页何宝平 马武英 王祖军 姚志斌 缑石龙 
国家自然科学基金资助项目(11690043,11690040)。
通过理论模拟和辐照试验,对40 nm NMOS器件在电离总剂量(total ionization dose,TID)效应和沟道热载流子(channel hot carrier,CHC)效应综合作用下二者的相关性进行了研究。研究结果表明,CHC效应和TID效应单独作用都会对纳米NMOS器件产...
关键词：电离总剂量效应 沟道热载流子效应 浅槽隔离 超薄栅氧化层 
对改性晶圆上制备的PDSOI NMOS器件热载流子效应的全面认识
《原子能科学技术》2021年第12期2157-2167,共11页刘春媚 杨旭 朱慧龙 胡志远 毕大炜 张正选 
Supported by Jiangsu Enterprise Academician Workstation Project。
通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象。理论分析和TCAD模拟结果表明,硅离子注入在埋氧层中引入的电子陷阱能够捕获注入的电子,并通过改变电场来影响氧化层的热载流子退...
关键词：热载流子效应 总剂量效应 辐射加固 PDSOI NMOS 改性器件 
基于表面等离激元热载流子效应的光解水研究进展被引量：1
《半导体技术》2021年第8期581-590,616,共11页严贤雍 翟爱平 石林林 王文艳 冯琳 李国辉 郝玉英 崔艳霞 
国家自然科学基金资助项目(61775156,61922060);山西省重点研发计划(国际科技合作)项目(201803D421044);霍英东教育基金会高等院校青年教师基金资助项目(20171402210001)。
近年来,二氧化钛、氧化锌等半导体材料被广泛应用于光解水研究中。金属纳米结构激发的表面等离激元(SPP)热载流子效应能够有效地俘获入射光,进一步增强光能与化学能之间的转换效率,是提高半导体光解水性能的一种可行方法。合理地将金属...
关键词：表面等离激元(SPP) 纳米结构 肖特基势垒 热载流子 光解水 
AlGaN/GaN HEMT的恒压电应力退化研究被引量：1
《微电子学》2020年第2期276-280,共5页张璐 宁静 王东 沈雪 董建国 张进成 
国家自然科学基金资助项目(61334002);陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2016ZDJC-09);陕西省重点研发项目(2017ZDCXL-GY-11-03)。
研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在不同持续恒压电应力条件下的退化机制,制作了一种AlGaN/GaN HEMT。对该器件分别采用恒压开态应力和恒压关态应力,研究了与直流特性相关的重要参数的陷阱产生规律。实验结果表明,在开态应力下...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 电应力退化 热载流子效应 逆压电效应 
纳米尺度金属-氧化物半导体场效应晶体管沟道热噪声模型被引量：2
《物理学报》2020年第5期174-181,共8页张梦 姚若河 刘玉荣 
国家自然科学基金(批准号:61871195);广东省科技项目(批准号:2019B010143003)资助的课题~~
随着CMOS工艺的发展,热载流子效应对沟道热噪声的影响随着器件尺寸的降低而增大,传统热噪声模型未能准确表征沟道的热噪声.本文通过解能量平衡方程,得到电子温度表达式,并结合沟道漏电流表达式,建立了沟道热噪声模型.利用建立的电子温...
关键词：电子温度 迁移率降低 热载流子效应 温度梯度 沟道热噪声 
总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响被引量：3
《微电子学》2018年第1期126-130,共5页苏丹丹 周航 郑齐文 崔江维 孙静 马腾 魏莹 余学峰 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(11475255);中国科学院西部之光资助项目(2015XBQNB15;XBBS201321);青年科学基金资助项目(11505282)
为了研究总剂量辐射对纳米MOS晶体管热载流子效应的影响,对65nm体硅工艺的NMOS器件进行了总剂量辐射和热载流子试验,对比了辐射前后不同宽长比器件的跨导、栅极泄漏电流、线性饱和电流等电参数。结果表明,MOS器件的沟道宽度越窄,热载流...
关键词：65 NM NMOSFET 总剂量效应 热载流子效应 
总剂量辐照与热载流子协同效应特性分析被引量：1
《电子产品可靠性与环境试验》2017年第6期12-15,共4页付兴中 何玉娟 郑婕 章晓文 
国家自然科学基金项目(批准号:61574048;61204112);广东省科技重大专项(2015B090912002;2015B090901048)资助
研究了总剂量辐照效应对0.35μm的NMOS器件热载流子测试的影响,结果发现:经过100 krad(Si)总剂量辐照的NMOS器件在热载流子测试时其阈值电压的变化量远远地大于未经辐照的器件的,其原因与总剂量辐照退火效应和辐射感生界面陷阱俘获热电...
关键词：总剂量辐照 热载流子效应 协同效应 
抗辐射0.18μm NMOS器件热载流子效应研究被引量：2
《电子与封装》2017年第4期30-33,48,共5页谢儒彬 张庆东 纪旭明 吴建伟 洪根深 
基于0.18μm CMOS工艺开发了抗总剂量辐射加固技术,制备的1.8 V NMOS器件常态性能良好,器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压与关态漏电流无明显变化。研究器件的热载流子效应,采用体电流Isub/漏电流Id模型评估器件的HCI寿命,寿命达到5...
关键词：辐射加固 总剂量效应 热载流子效应 0.18μm 
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