总剂量辐照

作品数：84被引量：139H指数：6
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H型栅NMOS器件Kink效应的研究
《电子元件与材料》2024年第1期55-60,共6页徐大为 彭宏伟 秦鹏啸 王青松 董海南 
H型栅NMOS器件因其强抗辐照和低功耗等优势已逐渐成为PDSOI电路设计中的核心器件。但H型栅NMOS器件的Ids-Vds曲线会在漏极电压较高时发生明显的翘曲现象,称为Kink效应。该效应严重影响一定工作条件下的电路性能和稳定性。为此,依据实测...
关键词：H型栅NMOS KINK效应 PDSOI 总剂量辐照 TCAD 
压力传感器电离总剂量辐照计算方法研究
《传感器世界》2023年第11期1-4,9,共5页陈龙珑 袁光义 何迎辉 彭小桂 
空间环境下,压力传感器受到各种辐射影响,其中,电离总剂量辐射与传感器输出密切相关,电离总剂量辐射会影响压力传感器内部电子元器件电性能,进而影响传感器输出,甚至导致其失效。因此,通过计算压力传感器电离总剂量辐照完成元器件抗辐...
关键词：压力传感器 总剂量辐照 等效铝厚度 半空间估算法 
一种高压直采ADC的抗总剂量辐照设计
《空间电子技术》2023年第4期45-49,共5页曹梦琦 王晓晖 高炜祺 
由于γ射线对SiO_(2)的电离作用,会引起MOS管阈值电压负漂移和二极管死区漏电变化,负漂移和漏电变化程度随MOS管栅氧厚度增加而加大。这样在设计高压直采ADC时,实现稳定基准和低漏电开关是个难点,通常的解决方法是优化电路参数裕量和版...
关键词：高压直采ADC MOS管阈值电压 二极管死区漏电 总剂量 
GaN HEMT器件^(60)Co-γ辐照效应研究
《固体电子学研究与进展》2023年第3期277-280,286,共5页邵国键 赵玉峰 王金 周书同 陈韬 景少红 钟世昌 
装备发展部型谱项目(2209WW0002)。
研究了总剂量4 Mrad(Si)^(60)Co-γ辐照对AlGaN/GaN HEMT器件的影响,器件在辐照过程中采用不同的加电方式。辐照过程会增加器件的栅泄漏电流,但辐照终止后电流快速恢复至初始状态。对比辐照前后的直流性能,器件的肖特基势垒高度、阈值...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 辐照效应 总剂量辐照 辐照退化 肖特基势垒 阈值电压 跨导 
一种抗辐射加固带隙基准的设计方法
《现代应用物理》2023年第1期152-156,共5页梁盛铭 向飞 王菡 苟超 钟英俊 
介绍了一种双极型抗总剂量辐射带隙基准的设计方法。该方法基于带隙基准结构,通过引入负反馈采样电路,来补偿总剂量辐照后晶体管性能退化引起的基准电压漂移,动态维持基准电压的初始精度,减小总剂量辐照的影响。同时,给出了实验结果,展...
关键词：总剂量辐照 带隙基准 电流增益 基极电流补偿 基准电压精度 
基于GaN的DC/DC变换器总剂量与单粒子辐射损伤效应研究被引量：1
《微电子学》2022年第6期1055-1060,共6页张琴 艾尔肯·阿不都瓦衣提 尹华 张炜楠 邓芳 龙涛 李左翰 
国防基础科研计划项目(JCKY2019210C031)
对基于GaN的DC/DC变换器进行了总剂量、单粒子及耦合辐照效应研究,讨论了DC/DC变换器在特定负载及电压条件下,输出电压、输出电流、输出效率随不同辐照条件的变化。试验结果表明,使用GaN MOSFET开关管的DC/DC变换器在总剂量、单粒子及...
关键词：DC/DC变换器 总剂量辐照 单粒子辐照 辐射损伤效应 
背栅偏置对掩埋氧化层辐射感生陷阱电荷调控规律及机理
《固体电子学研究与进展》2022年第6期449-455,共7页王海洋 郑齐文 崔江维 李豫东 郭旗 
新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(2021D01E06);国家自然科学基金资助项目(12075313);中国科学院青年创新促进会资助项目(2020430,2018473)。
研究了辐照过程中施加背栅偏置对掩埋氧化层(BOX)辐射感生陷阱电荷的调控规律及机理。测试了130 nm部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管在不同背栅偏置条件下辐射损伤规律,试验结果显示辐照过程中施加正向背栅偏置可以显著...
关键词：绝缘体上硅 掩埋氧化物 背栅调控 总剂量辐照 
DSOI总剂量效应模型及背偏调控模型被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第6期549-556,共8页王海洋 郑齐文 崔江维 李小龙 李豫东 李博 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(12075313);新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(2021D01E06);中科院西部之光资助项目(2018-XBQNXZ-B-003);中国科学院青年创新促进会资助项目(2020430,2018473)。
总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(DSOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。由于背栅端口的存在,SOI器件存在新的总剂量效应加固途径,对于全耗尽SOI器件,利用正背栅耦合效应,可通过施加背...
关键词：双埋氧层绝缘体上硅 总剂量辐照 背偏调控 模型 
背栅偏置对不同沟道长度PDSOI晶体管总剂量损伤规律及机理研究被引量：1
《核技术》2022年第5期49-54,共6页王海洋 郑齐文 崔江维 李豫东 郭旗 
新疆维吾尔自治区自然科学基金项目(No.2021D01E06);国家自然科学基金(No.12075313);中国科学院青年创新促进会(No.2020430、No.2018473)资助。
为研究辐照过程中施加背栅偏置对不同沟道长度部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Partily Depleted Silicon-On-Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors,PD SOI MOSFETs)电参数影响规律,及对隐埋...
关键词：绝缘体上硅 隐埋氧化层 背栅调控 总剂量辐照 
30nm PMOS器件总剂量辐照实验与仿真
《现代应用物理》2022年第1期125-128,179,共5页张宏涛 曹艳荣 王敏 任晨 张龙涛 吕玲 郑雪峰 马晓华 
国家自然科学基金资助项目(11690042,11690040,U1866212,12035019,61727804);北京智芯微电子技术有限公司实验室开放基金,科学挑战计划资助项目(TZ2018004)。
使用Silvaco TCAD软件建立PMOS器件模型,仿真模拟得到了PMOS器件γ射线总剂量效应,提取了氧化层及界面处陷阱电荷共同影响后器件的电学参数并验证了退化程度。仿真结果表明,PMOS器件沟道越短,有效沟道长度占比总沟道长度就越少,器件退...
关键词：PMOS器件 总剂量效应 可靠性 Silvaco TCAD 
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