PMOS器件

作品数：19被引量：9H指数：2
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T型栅PMOS器件跨导双峰效应的研究
《集成电路与嵌入式系统》2025年第3期54-58,共5页彭宏伟 赵小寒 陈祎纯 陈睿凌 王青松 徐大为 
T型栅PMOS器件因其强抗辐照能力、低寄生电容,逐渐成为RFSOI电路中必不可少的器件。而跨导是MOS器件中的一个关键参数,但T型栅PMOS器件的跨导会在栅极电压增大时出现双峰效应,影响电路研制的判断。本文首先结合实测数据和3D TCAD仿真结...
关键词：T型栅PMOS 跨导双峰效应 SOI TCAD 
基于PMOS器件的低压驱动电路仿真及设计
《电子制作》2024年第21期92-96,共5页刘洋 刘澎 岳一鹏 
本文以PMOS为核心器件,搭配不同的分立器件组合成三种不同的高边开关基本拓扑机构,经仿真分析和试验验证,功能和性能指标基本吻合,满足低压负载的驱动需求。这三种驱动电路可作为“最小硬件单元”,搭配其他功能电路如过载保护、电流反馈...
关键词：PMOS 低压驱动 电路仿真 
30nm PMOS器件总剂量辐照实验与仿真
《现代应用物理》2022年第1期125-128,179,共5页张宏涛 曹艳荣 王敏 任晨 张龙涛 吕玲 郑雪峰 马晓华 
国家自然科学基金资助项目(11690042,11690040,U1866212,12035019,61727804);北京智芯微电子技术有限公司实验室开放基金,科学挑战计划资助项目(TZ2018004)。
使用Silvaco TCAD软件建立PMOS器件模型,仿真模拟得到了PMOS器件γ射线总剂量效应,提取了氧化层及界面处陷阱电荷共同影响后器件的电学参数并验证了退化程度。仿真结果表明,PMOS器件沟道越短,有效沟道长度占比总沟道长度就越少,器件退...
关键词：PMOS器件 总剂量效应 可靠性 Silvaco TCAD 
锗硅外延工艺优化对28nm PMOS器件性能的改善被引量：1
《微电子学与计算机》2020年第5期28-32,共5页李帅 蔡小五 隋振超 
国家自然科学基金(61874135)。
在28 nm CMOS技术节点,锗硅技术在器件沟道产生压应力可以提高PMOS电学性能.在选择性锗硅外延工艺基础上对锗含量进行细化阶梯分布,此阶梯式分布能避免因锗含量过高产生位错而进一步提高总体应力效果.通过研究发现,薄膜堆叠层的厚度和...
关键词：锗硅外延 薄膜堆叠层 器件性能 PMOS器件 
28 nm PMOS器件中Ge注入对NBTI可靠性的影响
《微电子学》2019年第3期413-417,共5页万雨石 龙世兵 蔡巧明 杨列勇 
国家自然科学基金资助项目(61521064,61322408);国家重点研发计划项目(2016YFA0201803);中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDB-SSW-JSC048)
研究了28 nm多晶硅栅工艺中Ge注入对PMOS器件的负偏压温度不稳定性(NBTI)的影响。在N阱中注入Ge,制作了具有SiGe沟道的PMOS量子阱器件。针对不同栅氧厚度和不同应力条件的器件,采用动态测量方法测量了NBTI的退化情况,采用电荷泵方法测...
关键词：负偏压温度不稳定性 量子阱器件 器件可靠性 
碳掺杂对28 nm PMOS器件性能的影响
《微电子学》2019年第1期136-139,145,共5页吉忠浩 阎大勇 龙世兵 薛景星 徐广伟 肖印长 娄世殊 
国家自然科学基金资助项目(61521064;61322408);国家重点研发计划资助项目(2016YFA0201803);中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDB-SSW-JSC048);中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室课题基金项目
基于28nm Polysion工艺,研究了在轻掺杂源漏区(LDD)提升掺杂浓度与掺杂碳源对PMOS器件的影响。实验结果表明,掺杂碳原子可以有效抑制硼的瞬时增强扩散效应(TED),并有效降低器件结深,降低漏电流。在P型轻掺杂源漏区(PLDD)提升掺杂浓度,...
关键词：28nm 碳掺杂 PLDD掺杂浓度 PMOS器件 
5 V pMOS器件的热载流子注入退化机理
《电子器件》2018年第5期1093-1096,共4页杨翰琪 刘小红 吕康 魏家行 孙伟锋 
国家自然科学基金项目(61604038);江苏省高校品牌专业建设工程项目
研究了低压pMOS器件热载流子注入HCI(Hot-Carrier Injection)退化机理,分析了不同的栅压应力下漏极饱和电流(Idsat)退化出现不同退化趋势的原因。结合实测数据并以实际样品为模型进行了器件仿真,研究表明,快界面态会影响pMOS器件迁移率...
关键词：PMOS 热载流子注入 不同栅压应力 TCAD仿真 
pMOS器件NBTI效应随着器件参数变化规律的一种模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2018年第1期25-31,共7页刘毅 孙瑞泽 贺威 曹建民 
深圳市科技计划项目(JCYJ20160308093947132)
器件的负偏压温度不稳定性(Negative bias temperature instability,NBTI)退化依赖于栅氧化层中电场的大小和强反型时沟道空穴浓度,沟道掺杂浓度的不同显然会引起栅氧化层电场的变化。栅氧化层的厚度不仅影响栅氧化层电场,而且会影响沟...
关键词：半导体物理 负偏压温度不稳定性 阈值电压 沟道掺杂浓度 栅氧厚度 可靠性 
界面电荷位置对短沟道pMOS器件阈值电压的影响被引量：2
《固体电子学研究与进展》2016年第5期369-373,共5页孙瑞泽 刘毅 张准 贺威 曹建民 
深圳市科技计划项目(JCYJ20160308093947132;JCYJ20140418095735595)
通过二维数值模拟的方法,研究了短沟道器件中不同位置的界面电荷对pMOS器件阈值电压的影响。把pMOS器件栅氧化层等分成不同的区域,随即可以在不同的区域设置不同的界面电荷,从而很好地模拟了器件界面电荷处于不同位置时阈值电压漂移的...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管器件 负偏压温度不稳定性 器件模拟 界面电荷 
工艺偏差下PMOS器件的负偏置温度不稳定效应分布特性被引量：1
《物理学报》2016年第16期261-267,共7页汤华莲 许蓓蕾 庄奕琪 张丽 李聪 
国家自然科学基金(批准号:61574109);微光夜视技术重点实验室基金项目(批准号:9140C380502150C38001);中央高校基本科研业务费(批准号:JB141109)资助的课题~~
当器件特征尺寸进入纳米级，负偏置温度不稳定性（NBTI）效应和工艺偏差都会导致p 型金属氧化层半导体（PMOS）器件性能和可靠性的下降.基于反应-扩散（R-D）模型，本文分析了工艺偏差对NBTI效应的影响；在此基础上将氧化层厚度误差和...
关键词：p型金属氧化层半导体 负偏置温度不稳定性 工艺偏差 阈值电压 
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